Изучение электрических свойств p-n перехода

8735
знаков
3
таблицы
11
изображений

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Математический факультет

Лабораторная работа №5

Изучение электрических свойств p-n перехода


Выполнила: студентка гр. 47а

Нигматьянова В. Д.

Проверила:

Сагдаткиреева М. Б.

Уфа – 2010


 

Изучение свойств p-n перехода

 

Приборы и принадлежности: измерительное устройство, объекты исследования (диоды).

Цель работы: 1) Изучение свойств p-n перехода.

2)Получение вольтамперной характеристики.

3)Получение вольтфарадной характеристики.

4)Определение концентрации примеси.

Краткая теория.

Полупроводники могут иметь два типа примесной проводимости: электронную (n-тип), обусловленную донорными примесями, и дырочную (p-тип), обусловленную акцепторными примесями. В n-полупроводнике основные носители заряда – электроны, а в p-полупроводнике-дырки. Кроме основных носителей заряда в каждом веществе в значительно меньшем количестве содержатся и неосновные носители заряда противоположного знака. Они возникают за счет разрушения ковалентных связей.

Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой – дырочную проводимость, называется p-n переходом. Практически p-n переход создается не механическим контактом двух полупроводников, а внесением донорных и акцепторных примесей в различные части чистого полупроводника. Эти переходы являются основной большинства современных полупроводниковых приборов.

По своему характеру p-n переходы бывают резкие и плавные, симметричные и несимметричные. В резких p-n переходах концентрация доноров и акцепторов меняются скачкообразно на границе раздела. В симметричных p-n переходах концентрация основных носителей по обе стороны перехода равны, в несимметричных – резко различаются.

Рассмотрим резкий p-n переход (рис 1), в котором концентрация дозорной NDи акцепторной NA примесной изменяются скачком на границе раздела. Будем считать, что переход является несимметричным, например NA>ND. Обозначим концентрацию основных носителей в p-n области через pp, в n- области через nn, а концентрацию неосновных носителей соответственно через np и pnсоответственно. При комнатной температуре обычно все примесные уровни ионизованы, тогда справедливо pp=NA и nn=ND.

а)

б)

Рис 1. Структура p-n перехода (а), распределение примесной (б)

В состоянии термодинамическое равновесия концентрации основных и неосновных носителей связаны законом действующих масс:

 (1)

где - концентрация собственных носителей тока.

Электроны из n-области, где их концентрация выше будут диффундировать в p-область. Диффузия дырок будет происходить в обратном направлении. За счет ухода дырок в слое p- области, примыкающем к границе раздела появится отрицательный объёмный заряд, обусловленный некомпенсированными отрицательными ионами акцепторной примеси. Аналогично диффузия электронов из n- и p- область будет сопровождаться образованием положительного заряда ионами донорной примеси в n-области. Наличие заряда в приконтактной облети вызывает появление электрического поля. Следовательного, на границе раздела имеется разность потенциалов , называемая контактной. Это поле называется дрейфовый ток неосновных носителей, направленный противоположно диффузионному току. При равновесии дифузинный и дрейфовый токи раны друг другу по величине. Физическим условием равновесия p-n перехода являются постоянство уровня Ферми для системы.

Уровнем Ферми называется энергия уровня, отделяющего занятые уровни от свободных. Среднее число электронов на уровне с энергией E определяется формулой квантого распределения Ферми-Дирака

 (2)

Следовательно уровень Ферми можно определить как уровень, вероятность заполнения которого равна 1/2.

Энергетическая диаграмма p-n перехода в условиях равновесия приведена на рис 2.

Рис 2. Энергетическая диаграммы p-n перехода в условиях равновесия.


Величина контактной разности потенциалов  на переходе будет равна

где e- заряд электрона.

Рис 3. Запирающее включение внешнего поля.

Высота потенциального барьера p-n перехода определяется отношением концентраций однотипных носителей на границах перехода и тем выше, чем сильнее легированы полупроводники. Ее максимальное значение определяется шириной запрещенной зоны полупроводникив

 (4)

Если приложить к полупроводнику внешнее поле, направление которого совпадает с полем контактного слоя, основные носители тока уходят от границы p-n перехода. В результате запирающий слой расширяется и его сопротивление возрастает. Ток в полупроводике создается за счет неосновных носителей и практически отсутствуют Такое включение называется обратным или запирающим(Рис.3).

Если внешнее поле направлено в противоположную сторону, то оно вызывает движение носителей навстречу друг другу к границе прехеода. В этой области они рекомендуют, ширина контактного слоя и его сопротивление уменьшается. В цепи возникает прямой ток, созданный основными носителями.

Рис.4. прямое включение p-n перехода

Ширина p-n перехода при приложенном внешнем поле описывается выражением

, (5)

где V>0 соответствует прямому включению, а V<0 – обратному. Отсюда следует, что при прямом включении ширина перехода уменьшается, а при обратном – увеличивается.

Таким образом, p-n переход обладает односторонней проводимостью. В прямом включении сила тока быстро возрастает с ростом напряжения носителями и резко возрастает при электрическом пробое.

На Рис.6 представлена вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n- перехода.

Рис6 Вольтамперная характеристика p-n перехода

Когда к n-облети присоединяют положительный полюс источника, p-n переход пропускают только малый ток неосновных носителей. Лишь при очень большом напряжении сила тока резко возрастает, что обусловлено электрическим пробоем перехода(обратное направление, левая ветвь ВАХ).

При включении в цепь переменного тока p-n переходы действуют как выпрямители.

Устройство в цепь пременного тока p-n переход, называется полупроводниковым(кристаллическим) диодом. Условное обозначение полупроводникового диода(рис 7).

Рис7 Условное обозначение полупроводникового диода

Простейшие схемы выпрямления переменного тока показаны на рис8. Им соответсвует графики зависимости (силы тока через нагрузку R от времени) на рис9.


  

Рис8. Схемы простейших выпрямителей на полупроводниковых диодах

Вследствии односторонней проводимости полупроводникового диода ток в нагрузочном сопротивлении R(Рис8 а) протекает только в те полупериоды, когда p-n переход работает в пропускном направлении.

Для уменьшения пульсации в схему на рис8б включен сглаживающтй фильтр, представляющий собой конденсатор емкостью С, включен параллельно нагрузке R.

От приложенного напряжения зависит не только проводимостью но и электрическая емкость p-n перехода.

Для барьерной емкости резкого симметричного p-n перехода имеем:

Для резкого несимметричного перехода при NA>>ND

На рис 10 приведена зависимость  от напряжения (вольтфарадная характеристика) для резкого p-n перехода. При V>0 емкость резко возрастает, однако в этом случае расчеты барьерной емкости, проведенные для объединенного перехода, не совсем адекватны.


Рис 10 Вольтфарадная характеристика p-n перехода.

Рис11 Определение концентрации примесей по вольтфарадной характеристике.

По характеру зависимости C=f(V) на основе выражения10 можно судить также о распределении примесей на p-n переходе.

 (11)

Ход работы

 

Схема КД 521.

Значения напряжения и тока для прямого режима.

 N  U, B  A,mkA

 

 

 1  0.35  0.001  1.641  2.692
 2  0,40  0.014  1.628  1.276
 3  0.45  0.047  1.595  2.544
 4  0.50  0.151  1.491  2.223
 5  0.55  0.412  1.230  1.512
 6  0.60  1.370  0.272  0.074
 7  0.65  2.870  1.228  1.507
 8  0.70  8.260  6.610  43.790

 

 1.642  6.952

По полученным данным построили вольтамперную характеристику диода, используя программу EXCEL из Microsoft Office.

Построим линию тренда для прямой ветви ВАХ и получим уравнение этой линии для всех типов диодов.

; =0.124

 


 

Схема КД 226.

 N  U, B  A,mkA

 

 

 1  0.35  0.023  2.051  4.210
 2  0,40  0.090  1.984  2.936
 3  0.45  0.306  1.768  3.125
 4  0.50  1.060  1.014  1.028
 5  0.55  2.820  0.745  0.555
 6  0.60  8.150  6.075  36.905

 

   2.075  8.126

Линия тренда.

; =0.271.

=12.56;

Схема ПД.

 N  U, B  A,mkA

 

 

 1  0.20  0.392  1.202  1.444
 2  0,25  0.791  0.803  0.645
 3  0.30  1.400  0.194  0.037
 4  0.35  2.330  0.736  0.541
 5  0.40  3.660  2.066  4.268
 6  0.45  6.250  4.656  21.678
 7  0.50  9.740  8.145  66.341

 

 1.594    13.472

Линия тренда


; =0.320

Вывод: Полученные ВАХ наглядно показывают что p-n переход обладает односторонней проводимостью. В прямом включении сила тока быстро возрастает с ростом напряжения.

Для КД 521 линия тренда имеет уравнение y = 18,172x - 7,8998.

Для КД 226 линия тренда имеет уравнение y = 28,331x - 11,382

Для ПД линия тренда имеет уравнение y = 29,444x - 6,7965


Информация о работе «Изучение электрических свойств p-n перехода»
Раздел: Физика
Количество знаков с пробелами: 8735
Количество таблиц: 3
Количество изображений: 11

Похожие работы

Скачать
49068
4
27

... постоянная Больцмана; Т – абсолютная температура; U – величина напряжения, приложенного к p-n-переходу в обратном направлении. Выражение (1) описывает вольтамперную характеристику (ВАХ) p-n-перехода. Удобным средством при изучении свойств p-n-перехода является полупроводниковый диод, который представляет собой две сваренные между собой пластинки p- и n-типа. В такой пластинке можно выделить три ...

Скачать
25731
0
8

... ат. % As или Fe в золото приводит к повышению электросопротивления последнего при 00 С в 2 раза.. Искажение решетки является не единственной причиной роста электросопротивления твердых растворов. Электрические свойства твердого раствора обусловлены также химическим взаимодействием компонентов. Как показали Н.С. Курнаков и его ученики, в непрерывном ряду твердых растворов электросопротивление ...

Скачать
39753
0
9

... системы. Механизм электропроводности дисперсных систем определяется материалом частиц, природой стабилизирующего слоя и свойствами дисперсионной среды [30, 32]. Теории электрических процессов таких систем наиболее полно изложены в работах Духина С.С., Шилова В.Н., Дерягина Б.Ф. [30, 32, 84, 31]. Применительно к магнитным жидкостям дисперсная система состоит из частиц магнетита, покрытых прочной ...

Скачать
97365
13
23

... ± 0,002 4.3 Результаты исследования обменных свойств МКЛ и их обсуждение Отработанная методика и полученная по ней градуировочная зависимость использовались при исследовании обменных свойств мягких контактных линз по отношению к раствору капель «Ципромед». Сорбция и десорбция проводились в статических условиях. Использовали модельные калиброванные линзы диаметром 12,0 мм, толщиной 0,60 ...

0 комментариев


Наверх