| Стр. | |
| 1 Принцип действия полевого транзистора | |
| 2 Вольт-фарадная характеристика МОП-структуры | |
| 3 Расчет стоковых и стокозатворных характеристик | |
| 4 Определение напряжения насыщения и напряжения отсечки | |
| 5 Расчет крутизны стокозатворной характеристики и проводимости канала | |
| 6 Максимальная рабочая частота транзистора |
1 Принцип действия транзистора
В отсутствии смещений (UЗ =0, UС =0) приповерхностный слой полупроводника обычно обогащен дырками из-за наличия ловушек на границе кремний – оксид кремния и наличия положительных ионов в пленке диэлектрика. Соответственно энергетические зоны искривлены вниз, и начальный поверхностный потенциал положительный. По мере роста положительного напряжения на затворе дырки отталкиваются от поверхности. При этом энергетические зоны сначала выпрямляются, а затем искривляются вниз, т.е. поверхностный потенциал делается отрицательным.
Существует некоторое пороговое напряжение , по превышении которого энергетические зоны искривляются настолько сильно, что в близи поверхностной области образуется инверсный электрический сой, именно этот слой играет роль индуцированного канала.
1.1 Равновесное состояние
Рисунок 1.1 – Равновесное состояние
Т.к. UЗ =0, то контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником равна нулю, то энергетические зоны отображаются прямыми линиями. В таком положении уровень Ферми постоянен при UЗ =0, полупроводник находится в равновесном состоянии, т.е. pn = pi2 и ток между металлом и полупроводником отсутствует.
1.2 Режим обогащения (UЗ >0)
Если UЗ >0, то возникает поле направленное от полупроводника к затвору. Это поле смещает в кремнии основные носители (электроны) по направлению к границе раздела кремний – оксид кремния. В результате на границе возникает обогащенный слой с избыточной концентрацией электронов. Нижняя граница зоны проводимости, собственный уровень и верхняя граница валентной зоны изгибаются вниз.
Рисунок 1.2 – Режим обогащения
1.3 Режим обеднения (UЗ
Похожие работы
... и как его измерить? 6. Что такое нагрузочная характеристика, как она снимается и какие параметры можно по ней определить? 7. Объясните работу параметрического стабилизатора. 8. В чем отличие работы диода в однополупериодной и двух-полупериодной мостовой схемах? 9. Чему равен угол отсечки при коротком замыкании нагрузки и при холостом ходе? Литература 1.Иванов-Цаганов А.И. Электротехнические ...
... тиристорами или симисторами, обеспечивая при этом гальваническую развязку цепей управления. Малое потребление цепи управления позволяет включать СИТАК к выходу микропроцессоров и микро-ЭВМ. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) выполнены как сочетание входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором (ПТИЗ) и выходного биполярного п-р-и-транзистора (БТ). ...
... , что собственное быстродействие транзистора обратно пропорционально квадрату длины инверсионного канала. Поэтому для повышения быстродействия необходимо переходить на субмикронные длины канала. 2 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 2.1 Основные сведения об арсениде галлия Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. ...
... Б, например, h11Б) и ОЭ (h21Э). Ниже приведены формулы пересчета h–параметров, полученных по схеме ОБ, в параметры ОЭ и ОК. (2.18) (2.19) Между h– параметрами и параметрами транзистора, соответствующими Т–образным эквивалентным схемам, существует определенная зависимость. Для схемы с общей базой эта зависимость выражается соотношениями ...
0 комментариев