Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

7356
знаков
9
таблиц
0
изображений

УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.


Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3


Работу не высылать.

УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.


Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3


Работу не высылать.

Аннотация.


Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.


Исходные данные:


Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б

Величина напряжения питания Еп ……………………………………………... 5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки Rк …………………………………… 1,6 кОм

Сопротивление нагрузки Rн ……………………………………………………. 1,8 кОм


Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.





Биполярный транзистор ГТ310Б.


Краткая словесная характеристика:


Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г..


Электрические параметры.


Коэффициент шума при ƒ= 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ……………. 3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ= 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H21э

при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ= 20 МГц не менее …………………………... 8

Постоянная времени цепи обратной связи

при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ= 5 МГц не более ………………………….… 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой

при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ= 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ƒ= 5 МГц не более ………………………… 4 пФ


Предельные эксплуатационные данные.


Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при Rбэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В

при Rбэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В

Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт

Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до

328 К


Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:


PК.макс= ( 348 – Т )/ 2


Входные характеристики.


Для температуры Т = 293 К :


Iб, мкА









200









160







120









80







40







0

0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35

Uбэ


Выходные характеристики.


Для температуры Т = 293 К :




Iк ,

мА








9








8








7






6








5








4








3








2








1








0

1 2 3 4 5 6

Uкэ


Нагрузочная прямая по постоянному току.



Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:


Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА


Iк ,

мА











6












5











4






А






3

Iк0











2











1









0

1 2 3 4

5

Uкэ0

6 7 8

9

Еп

Uкэ


Iб, мкА










50










40








30

Iб0










20








10








0

0,15

0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ


Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В

В
еличина сопротивления Rб:


Определим H–параметры в рабочей точке.


Iк ,

мА











6












5











4





ΔIк0






3










ΔIк



2










1









0

1 2 3 4

5

Uкэ0

6 7 8

9

Еп

Uкэ

ΔUкэ


Iб, мкА










50










40




ΔIб






30

Iб0








20










10








0

0,15

0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

ΔUбэ



ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА


H
-параметры:


Определим G – параметры.


Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:





G-параметр:

G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6


G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом


Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.



Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:


В
еличины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):


С

обственная постоянная времени транзистора:


Крутизна:




Определим граничные и предельные частоты транзистора.


Г
раничная частота коэффициента передачи тока:



Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:

М
аксимальная частота генерации:


П
редельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:


Предельная частота проводимости прямой передачи:



Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.


Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:




Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя


Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:


Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В


Iк ,

мА











6












5











4






А






3

Iк0











2











1









0

1 2 3 4

5

Uкэ0

6 7 8

9

Еп

Uкэ


Определим динамические коэффициенты усиления.




Iк ,

мА











6












5






А






4




ΔIк


3

Iк0









2










1









0

1 2 3 4

5

Uкэ0

6 7 8

9

Еп

Uкэ

ΔUкэ


Iб, мкА










50










40




ΔIб






30

Iб0








20










10








0

0,15

0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

ΔUбэ



ΔIк= 2,2 мА, ΔUкэ= 1,9 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUбэ = 0,014 В


Д
инамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями:


Выводы:


Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение

выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.


Библиографический список.


“Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..

Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..

Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..


Информация о работе «Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2»
Раздел: Радиоэлектроника
Количество знаков с пробелами: 7356
Количество таблиц: 9
Количество изображений: 0

Похожие работы

Скачать
9069
11
0

... K, T2= 213 K Iобр,мкА 150 I2 125 100 75 50 25 I1 0 10 20 30 40 50 U 60 UобрВ U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К Определение сопротивления базы. Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К): Iпр,мА

Скачать
6680
11
10

... 100 75 50 25 I1 0 10 20 30 40   50 U 60 UобрВ   U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К Определение сопротивления базы. Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прям

Скачать
23990
4
3

... п.), так и тем, каким образом они сформированы в ИС и соединяются между собой, т. е. схемой. Устройства функциональной электроники приобретают в настоящее время возрастающее значение в элементной базе СМЭ. Функциональная электроника охватывает вопросы получения комбинированных средств с наперед заданными свойствами и создание различных электронных устройств методами физической интеграции, т. е. ...

Скачать
148486
26
5

... плана ФЭ. Большое разнообразие моделей РК приводит к необходимости использования разнообразных способов и технических средств для измерения их параметров. Как правило, статические и динамические параметры РК измеряют на разных технологических установках. Методы построения средств измерения для идентификации моделей РК могут быть сведены к следующим принципам, учитывающим особенности подключения ...

0 комментариев


Наверх