Лабораторная работа 2
Тема: Исследование биполярного транзистора
Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора
Приборы и элементы: биполярный транзистор 2N3904; источник постоянной ЭДС; источник переменной ЭДС; амперметры; вольтметры; осциллограф; резисторы.
Ход работы:
1. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
Рисунок 1. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером
Таблица 1. Результат эксперимента
| Ек(В) | |||||||
| Еб(В) | Iб(мкА) | 0,1 | 0,5 | 1 | 5 | 10 | 20 |
| 1,66 | 9,341 | -783,3 | -1,604 | -1,612 | -1,637 | -1,749 | -1,901 |
| 2,68 | 19,23 | -1,656 | -3,453 | -3,469 | -3,595 | -3,753 | -4,069 |
| 3,68 | 29,32 | -2,479 | -5,209 | -5,233 | -5,422 | -5,657 | -6,129 |
| 4,68 | 39,02 | -3,269 | -6,903 | -6,934 | -7,182 | -7,439 | -8,115 |
| 5,7 | 49,15 | -4,042 | -8,568 | -8,606 | -8,914 | -9,299 | -10,07 |
2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) На схеме (рис. 2) установить значение напряжения источника Ек равным 10 В и провести измерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе "Результаты экспериментов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 10.2 построить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
Рисунок 2
в) Построить схему, изображенную на рис 3. Включить схему. Зарисовать входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов".
Рисунок 3
г) По входной характеристике найти сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".
Контрольные вопросы
1. Дать определение транзистора.
2. Виды и типы транзисторов.
3. Режимы работы транзисторов.
Похожие работы
... характеристику для тока эмиттера Iэpy в рабочей точке, о затем находят ΔIк и ΔUкб и по формуле (6) рассчитывают h22Б. Рисунок – 6 Схема h параметров транзистора с ОБ. ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ Цель работы — снятие и анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного с ОЭ; определение по ним его h-параметров (рисунок ...
... Образования Республики Молдова Технический Университет Молдовы Факультет Радиоэлектроники и Телекоммуникаций Кафедра Телекоммуникаций Курсовая работа по дисциплине Радиоэлектроника I Тема: Анализ и моделирование биполярных транзисторов. Выполнил: Студент группы TLC-034 Раецкий Николай Проверил: Зав.кафедрой Телекомуникаций ...
... к модификации межэлектродных ёмкостей, а также режим работы транзистора – режимы большого или малого тока коллектора (проявление эффекта Кирка). Необходимо и достаточно параметры математической модели биполярных транзисторов описываются 8-ю характеристиками: Зависимостью напряжения на переходе эмиттер-база Uбэ в режиме насыщения от тока коллектора (желательно иметь диапазон изменения тока ...
... параметров модели транзистора, зависимости этих параметров от температуры и конструкции, рассмотрены методы экстракции параметров модели из экспериментальных характеристик. Анализ PSpice модели БТ показал, что наряду с достоинствами этой модели есть и существенные недостатки. В целом модель биполярного транзистора в PSpice может с высокой точностью и в широком диапазоне напряжений, токов и ...
0 комментариев