Навигация
Розрахунок узагальнюючих параметрів і схеми НЗЗ
19455
знаков
5
таблиц
10
изображений
4 Розрахунок узагальнюючих параметрів і схеми НЗЗ
4.1 Розрахунок якісних показників підсилювача
Якість підсилювача характеризується ступенем його відповідності технічному завданню. Найбільшою мірою це відображає коефіцієнти підсилення К, 
і величини спотворень 
, 
і 
.
Коефіцієнт підсилення за напругою визначається як добуток коефіцієнтів підсилення за напругою окремих каскадів 
, розрахованих раніше:
;
Цей коефіцієнт має бути більше необхідного:
Ємність першого розділового конденсатора 
на вході підсилювача визначається зі співвідношення:
,
де 
внутрішній опір джерела сигналу,
вхідний опір першого (вхідного) каскаду.
мкФ;
Номінальне значення: 
мкФ.
Величина спотворень, внесених ємністю, дорівнює:
дБ;
Тоді, 
дБ.
дБ
де 
, 
- величини лінійних спотворень, внесених і-им каскадом. Отримані величини не повинні перевищувати заданих:
, 
дБ
, 
дБ
4.2 Розрахунок електричних параметрів підсилювача
Величина споживаного струму 
визначається за відомими з попередніх розрахунків величинами колекторних (стокових) струмів спокою вхідного і проміжного каскадів 
, постійною складовою струму колектора вихідного каскаду 
, а також за струмами дільників базового зсуву 
всіх каскадів, включаючи вихідний (
при наявності):
А.
У двотактному каскаді режиму В- =0,637
.
Потужність, споживана від джерела живлення,
Вт.
ККД підсилювача дорівнює:
Висновок:
В ході курсового проекту був розрахован трьохкаскадний підсилювач потужності. Був вибран двотактний безтрансформаторний каскад, зібраний по схемі з загальним емітером (ЗЕ) на складених транзисторах. Наведені принципові схеми, вольт-амперні характеристики (ВАХ) транзисторів, діода, наскрізна динамічна характеристика.
Список літератури:
1. Гусев В.Г. Злектроника. - М.: Высшая школа. 1991. 622с.
2. Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. -К.: Техника 1984. 424с.
3. Методические указания к курсовой работе по дисцеплине «Злектронные устройства ЖАТС». Часть З -X.: ХИИТ, 1988. 37с.
4. Методичні вказівки до курсового проекту з дисципліни « Електроніка та мікросхемотехніка». Часть 1 - X.: УкрДАЗТ. 2003. 62с.
5. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник Под. ред. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1985. 560 с.
6. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное.. М.: Знергоатомиздат 1985. 902 с.
Похожие работы
... Uбе,В Розрахунок резонансного підсилювача потужності 1. Визначимо ємність активної області колекторного переходу. Ска=Ск/(1+Кс) = ...
... ГТ403А 2 Типова схема двотактного трансформаторного підсилювача та транзисторах включених по схемі з спільним емітером В даній курсовій роботі я спроектував вихідний двотактний трансформаторний підсилювач потужності в режимі роботи класу А. Так як в даній роботі мені було потрібно одержати максимальний коефіцієнт підсилення по потужності при коефіцієнті гармон ...
... Коефіціент загальних гармонічних спотворень Діапазон робочих температур PH Вт RHОм RдкOм UдВ FH Гц Fb кГц MH дБ Hb дБ Kг% Tmin Tmax ºC 8 Розрахунок схеми підсилювача, кінцевий каскад якого на зібраних комплементарних парах транзистора, з двополярним джерелом електроживлення 25 14 240 0,08 38 8 1,8 1,6 0,8 10-50 3.1 ...
... мінімальний завал. Отже розрахуємо конденсатор С1 у відповідності до опору гучності та необхідного завалу: Отже, обирається конденсатор С1 К50-15-32 мкФ. 2.2 Розрахунок підсилювача потужності на ІМС Резистор R2, що формуватиме вхідний опір буде типу С1-4-0,25 Вт-8,2 кОм2%. В типовій схемі включення даної мікросхеми [рисунок 1.2] резистори в зворотньому зв'язку розраховані на коеф ...
0 комментариев