Расчет тракта промежуточной частоты

3.4 Расчет тракта промежуточной частоты

Принципиальная схема усилителя промежуточной частоты представлена на рис3.4. В тракте промежуточной частоты будут использованы три полностью аналогичных каскада.

Рис3.4

Находим величины элементов связи.

(3.71)

где к₂=0.8 – коэффициент связи

W_б=330 Ом – выходное сопротивление ПКФ.

 (3.72)

Расчет элементов С₂, L₃,L₄ можно произвести по формулам 3.44 – 3.45.

Результаты расчета сведены в таблицу 3.4.

Сопротивление термокомпенсации R₃

(3.73)

U_к=8В – напряжение U_кэ в выбранной рабочей точке.

Принимаем R₃=1(кОм).

Находим величину сопротивления резистора R₁

 (3.74)

где V=3 – коэффициент нестабильности схемы;

Принимаем R₁=5.7кОм

Находим величину сопротивления резистора R₂

(3.75)

Принимаем R₂=3(кОм)

Емкость в цепи эмиттера С₃ равна

 (3.76)

Принимаем С₃=620пФ.

Емкость С₁=0.1 мкФ из соображений минимального сопротивления на рабочей частоте.

3.5 Расчет частотного детектора

Особенностью детектора отношений (дробного детектора), приведенного на рис 3.5, является его способность к подавлению паразитной амплитудной модуляции, что позволяет использовать этот тип детектора без предварительного ограничения амплитуды входного сигнала. К тому же дробный детектор более чувствителен и требует на входе напряжения порядка 0.05 – 0.1 В. Благодаря этим свойствам детектор отношений нашел широкое применение в технике радиоприемных устройств.

Рис 3.5

Определяем индуктивность катушки L₃, при условии, что L₁=0.849мкГн.

(3.77)

Находим конструктивные коэффициенты связи между индуктивностями L₁ и L₂, а также L₃ и L₁.

 (3.78)

где Q_э – эквивалентная добротность контуров.

(3.79)

где Q₃=50 – добротность катушки L₃.

Вычисляем собственное резонансное сопротивление первичного контура.

 (3.80)

где f₀ – промежуточная частота, f₀=10.7МГц;

Q_k=150 – добротность контура L₁,C₁.

Рассчитываем коэффициент включения первичного контура в коллекторную цепь транзистора VT1

 (3.81)

где R₂₂, R₁₁ – соответственно выходное и входное сопротивление транзистора, R₂₂=17.3кОм, R₁₁=728Ом.

Находим емкости конденсаторов контуров

 (3.82)

Принимаем С₃=240пФ.

 (3.83)

где С_d=0.5пФ – емкость диода.

Принимаем С₆=240пФ.

Определяем величины емкостей нагрузки диодов

(3.84)

где F_в =47кГц – верхняя частота низкочастотного сигнала;

R₆=R₇=6.2кОм.

Принимаем С₈=С₉=С₅=6.2нФ.

Находим емкость электролитического конденсатора С₁₀

(3.85)

Принимаем С₁₀=33мкФ.

Вычисляем емкость конденсатора С₇ низкочастотного фильтра предыскажений

(3.86)

где t_п=75мкс – постоянная цепи предыскажений;

R_вхсд=485 Ом – входное сопротивление стереодетектора;

C_вхсд@0 – входная емкость стереодетектора;

Принимаем С₇=370 нФ.

Максимальное изменение постоянной времени цепи коррекции предыскажений при движении потенциометра R₈ определяем следующим образом

 (3.87)

где R_вхсд=970/2=485 Ом, С_вхсд@0

Рассчитываем величину U_д0

(3.88)

где U₁ – напряжение на контуре L₂, C₆, U₁=0.1В

Определяем угол отсечки токов в режиме отсутствия частотно модулированного сигнала

(3.89)

где S_д=13мА/В – крутизна ВАХ диода.

Определяем величину напряжения на конденсаторе С₁₀

 (3.90)

Находим величину параметра А

 (3.91)

где  - максимальная девиация частоты.

Вычисляем максимальное значение U_д1max

 (3.92) Определяем q_1min

 (3.93)

где R₅=R₈=10 кОм;

x_q@1.6 – поправочный множитель, согласно графику рис.6.4 [4], при R_н=0.5 кОм.

Находим выходное напряжение при максимальном отклонении f от f_пч

(3.94)

Рассчитываем напряжение на входе транзистора VT1

(3.95)

Находим коэффициент передачи всей схемы от входа транзистора VT1 до входа СД

(3.96)

Величину емкости С₁ найдем по формулам 3.42, 3.43, где G_посл=1/R_вхсд= Ом;

Принимаем С₁=470 пФ.