Современные тенденции развития
Номенклатура выпускаемой памяти на кристалле
Формирование системы сервисной идентификации SoC-памяти
Система сохранения параметров сервисного обслуживания
Составляющие оценки программирования SoC-памяти
Особенности супервизоров
Корпус SoC-памяти
Способы подключения SoC-памяти
Навигация
Система сохранения параметров сервисного обслуживания
Разработка компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания встроенной памяти гибкой автоматизированной системы на кристалле
63826
знаков
0
таблиц
8
изображений
2.4 Система сохранения параметров сервисного обслуживания
Последовательная энергонезависимая память - наиболее гибкий тип долговременной энергонезависимой памяти, которая обеспечивает возможность записи вплоть до байтового уровня, без необходимости стирания данных перед записью нового значения. Это делает их идеальными для хранения параметров.
Семейства последовательной Flash-памяти имеют возможность “секторного стирания / страничной прошивки” и “страничного стирания / страничной прошивки". Это стало возможно благодаря более тонкой мелкоячеистости памяти по сравнению со стандартной Flash-памятью, характеристика зернистости которой не соответствует характеристике байтового уровня последовательного ЭППЗУ.
Электроника управления исполнительными устройствами ГАС, а также рынка компонентов компьютеров и периферии – основные потребители микросхем долговременной памяти.
В этом году для EEPROM компанией используется 0.35 мкм технология производства, что позволило довести емкость памяти до 1 Мбит в соответствие с потребностями рынка. В тоже время технология изготовления последовательной Flash-памяти достигла уровня 0.18 мкм и появилась возможность производства и этого вида памяти полностью в соответствии с рыночными запросами.
Ассортимент микросхем последовательной энергонезависимой памяти включает набор схем емкостью от 256 бит до 16 Мбит. Все микросхемы памяти обеспечены описаниями, примерами по применению и модельными файлами, что делает их удобными в использовании. По напряжению питания микросхемы последовательной энергонезависимой памяти ST доступны в пяти диапазонах : от 4,5 В до 5,5 В; от 2,5 В до 5,5 В; от 2,7 В до 3,6 В; от 1,8 В до 5,5 В и от 1,8 В до 3,6 В.
Проектная износостойкость EEPROM – более миллиона циклов перезаписи с сохранностью данных в течение более чем 40 лет. Микросхемы производятся в различных корпусах, включая традиционные PSDIP, TSSOP, SO, а также современного типа LGA и SBGA (тонкопленочные). Кроме того, имеется возможность поставки микросхем в упаковках на барабане и в не распиленном виде.
Разработан широкий диапазон высококачественной последовательной памяти EEPROM, с плотностью от 1 кб до 1 Мб, с тремя промышленными стандартами последовательных шин (400 кГц, 2-проводная шина с плотностью до 1 Mбит, быстрая 1 MГц шина типа MICROWIRE с плотностью от 1 кбит до 16 кбит и сверхбыстрая 10 MГц шина типа SPI с плотностью до 256 кбит), с питанием 5 В; 2,5 В и 1,8 В. Система записи обозначений последовательной EEPROM для типовых корпусов показана на рис 2.2. Следует заметить, что для не распиленных пластин и микросхем в барабанах обозначения могут несколько отличаться.
Микросхемы последовательной EEPROM, рекомендуются для использования в приложениях, не требующих высокой шинной скорости для накопления и хранения данных, но желающих иметь возможность побайтового и страничного чтения/записи. Шина работает с тактовой частотой 400 кГц при напряжении питания до 1,8 В. Последовательная EEPROM выпускается в различных корпусах: пластиковых DIP с двухрядным расположением выводов, SO, MSOP, TSSOP для поверхностного монтажа и SBGA с матрицей шарообразных выводов.
Рисунок 2.2 – Система записи обозначений микросхем памяти ST типа EEPROM
Микросхемы памяти EEPROM с шиной SPI предпочтительны для приложений с высокоскоростной передачей информации по шине. С появлением микросхем со скоростью от 5 МГЦ до 10 МГц и емкостью от 512 кбит до 1 Мбит, эта шина быстро завоевывает популярность на рынке микросхем памяти. EEPROM с шиной SPI имеют вход HOLD ("Захват"), который позволяет сохранять синхронизацию при паузах в процессе передачи последовательностей данных по шине. Кроме того, имеется специальный управляющий вход W для защиты матрицы памяти от записи.
Микросхемы памяти EEPROM с шиной MICROWIRE доступны с емкостью от 256 бит до 16 кбит. В настоящее время шина MICROWIRE широко применяется во многих современных устройствах, для которых требуется достаточно высокая скорость передачи данных без использования внешних шин адреса/данных.
Семейство микросхем высокоскоростной низковольтовой последовательной Flash-памяти имеет четырехпроводный SPI-совместимый интерфейс, что позволяет использовать Flash-память вместо последовательной EEPROM. Изготавливаемые по высокоизносостойкой КМОП Flash-технологии, данные микросхемы обеспечивают, по крайней мере, 10000 циклов перепрограммирования на сектор с сохранностью данных свыше 20 лет.
В настоящее время доступны два дополняющих друг друга подсемейства последовательной Flash-памяти с возможностью стирания сектора или страницы:
– последовательная Flash-память с секторным стиранием и страничным программированием: серия M 25 Pxx;
– последовательная Flash-память со страничным стиранием и программированием: серия M 45 PExx.
Если рассмотреть различные виды микросхем последовательной долговременной памяти с высокой плотностью, то M25Pxx с тактовой частотой 25 MГц оказываются существенно быстрее, чем многие другие типы схем Flash-памяти с последовательной выборкой.
Семейство последовательной Flash-памяти ST позволяет загружать в оперативную память 1 Мб за 43 мс при минимальном числе команд, что делает их удобными в использовании. Технические и программные средства защиты предохраняют хранимую информацию от перезаписи.
Для снижения потребляемой мощности эти микросхемы работают от одного источника питания от 2,7 В до 3,6 В и имеют режим пониженного энергопотребления, в котором потребляемый ток менее 1 мкА. Кроме того, четырехпроводный интерфейс значительно уменьшает число выводов устройства используемых для управления передачей данных по шине, что обеспечивает высокую интеграцию и меньшую стоимость по сравнению с другими подобными схемами. Микросхемы памяти серии M25Pxx выпускаются в широком и узком S08, LGA и MLP корпусах.
Похожие работы
ть алгоритмическое и программное обеспечение для тестирования пакета кристаллов ГАС, в соответствии со стандартом IEEE 1500. Объект исследования – пакет кристаллов ГАС. 1. Анализ технического задания 1.1 Состояние рынка технологий сервисного обслуживания SoC Проблема диагностирования и ремонта памяти связана с тенденцией на постоянное уменьшение площади кристалла, отводимой для ...
... рисунков в формате А0-А1 со скоростью 10-30 мм/с. Фотонаборный аппарат Фотонаборный аппарат можно увидеть только в солидной полиграфической фирме. Он отличается своим высоким разрешением. Для обработки информации фотонаборный аппарат оборудуется процессором растрового изображения RIP, который функционирует как интерпретатор PostScript в растровое изображение. В отличие от лазерного принтера в ...
... также невысока и обычно составляет около 100 кбайт/с. НКМЛ могут использовать локальные интерфейсы SCSI. Лекция 3. Программное обеспечение ПЭВМ 3.1 Общая характеристика и состав программного обеспечения 3.1.1 Состав и назначение программного обеспечения Процесс взаимодействия человека с компьютером организуется устройством управления в соответствии с той программой, которую пользователь ...
... SunSoft. Кроме непосредственно разработки, в его функции также входило обеспечение лицензиями на ПО дистрибьюторов, OEM-партнеров и конечных пользователей. 8 июля 1987 г. — официальное рождение новой RISC/UNIX платформы: Sun представила компьютерному сообществу одновременно и открытую архитектуру SPARC, и первую базирующуюся на ней систему Sun-4/260, и ОС, и обширный набор прикладного ПО. ...
0 комментариев