Разработка электронного устройства

Министерство образования Республики Беларусь

Белорусский государственный технологический университет

Пояснительная записка к курсовой работе на тему: Разработка электронного устройства

Минск 2007

Введение

 

В результате поисков способов использования электрических явлений появилась электроника. Первые попытки были предприняты сразу после изобретения А. Вольтой источника тока.

Изобретение радио вызвало необходимость для создания чувствительных индикаторов электрических колебаний и устройств для их усиления.

В 1916 г. Русским ученым М.П. Бонч-Бруевичем было установлено, что двух каскадный реостатный усилитель с положительной обратной связью может создавать скачки напряжений и токов. Это открытие явилось основой для разработки регенеративных импульсных устройств.

В 1947 г. Американские исследователи создали и испытали первый германиевый точечный транзистор. В 1960 г. Колбин и Нойс (США) сообщили об изобретении интегральных схем, составляющих основу современной электроники.

Использование интегральных микросхем обеспечивает улучшение характеристик, разрабатываемых устройств, малое потребление энергии, расширяет функциональные возможности, что позволяет их использовать во всех сфера.

Эффективное применение интегральных аналоговых и цифровых микросхем невозможно без знания принципа их действия и основных параметров. Физические принципы и особенности работы микросхем наиболее доступно объясняется при моделировании с помощью дискретных элементов и схем

Все электронные устройства можно разделить на две группы – аналоговые и цифровые. Преимущество устройств – простота, надёжность и быстродействие, они получили широкое распространение, не смотря на менее высокую точность обработки сигналов.

Использование усилителей позволяет преобразовать форму и величину напряжения. Аналоговый сигнал может быть превращён в импульсный для последующей обработки цифровым устройством.

Развитие связи в послевоенные годы тесно связано с появлением полупроводниковой электроники.

В 1947 г. Американские исследователи создали и испытали первый германиевый точечный транзистор. В 1960 г. Колбин и Нойс (США) сообщили об изобретении интегральных схем, составляющих основу современной электроники.

Использование интегральных микросхем обеспечивает улучшение характеристик, разрабатываемых устройств, малое потребление энергии, расширяет функциональные возможности, что позволяет их использовать во всех сфера.

Эффективное применение интегральных аналоговых и цифровых микросхем невозможно без знания принципа их действия и основных параметров. Физические принципы и особенности работы микросхем наиболее доступно объясняется при моделировании с помощью дискретных элементов и схем.

Все электронные устройства можно разделить на две группы – аналоговые и цифровые. Преимущество устройств – простота, надёжность и быстродействие, они получили широкое распространение, не смотря на менее высокую точность обработки сигналов.

Использование усилителей позволяет преобразовать форму и величину напряжения. Аналоговый сигнал может быть превращён в импульсный для последующей обработки цифровым устройством.

1. Выбор элементной базы

 

Элементная база, примененная при разработке данного устройства, не содержит каких-либо специализированных элементов, поскольку к работе данного устройства не предъявляются особые требования, в том числе и температурные. Устройство выполнено на широко доступных компонентах, которые производятся отечественными предприятиями радиоэлектронной промышленности. Использование же импортных комплектующих, как и применение в качестве компараторов специально предназначенных для этого микросхем, ведет к удорожанию устройства, без какого-либо значительного улучшения его параметров. Все использованные при разработке данного устройства элементы, могут быть заменены любыми другими, подходящие по параметрам без ухудшения работы изделия. При этом возможна корректировка номиналов некоторых элементов.

Элементы, используемые в данном устройстве:

·  резисторы: МЛТ-0.25±5% или ОМЛТ-0.25±5%

·  конденсаторы КМ-4±5%

·  транзисторы КТ686Г, KT630E, 2Т709А, КТ315Е

·  операционные усилители 140УД6

·  диоды КА536И-6, 2Д202Т, 2С456А

·  стабилитроны 2C456A

2. Синтез электрической принципиальной схемы

 

2.1 Расчет усилительных каскадов на транзисторах

 

Поскольку необходимо усилить сигнал по напряжению, то в качестве схемы нормирующего усилителя выбираем схему с общим эмиттером. Однако схеме присущи следующие недостатки:

1) даже при отсутствии переменного сигнала через нагрузку протекает постоянный ток;

2) схема является температурно-нестабильной, т.к. при увеличении температуры транзистора на 10°, ток коллектора увеличивается в 2 раза, что приводит к дальнейшему увеличению температуры транзистора. В результате транзистор либо сгорает, либо переходит в режим насыщения;

3) в данной схеме большие нелинейные искажения сигнала.

Схема усилителя с ОЭ:

Выбираем из справочника транзистор, например, КТ315E.

Его параметры: