2.2 Визначення параметрів паразитних елементів ГІС
У розробленій топології є місця, котрі представляють собою паразитні елементи. Ескіз топології наведений на рисунку 1.
Для розрахунку паразитних ємностей використовуємо формулу:
(2.11)
Де b - довжина провідників, w – відстань між провідниками, h – товщина підложки, t – товщина провідників (мм), .
Згідно топології паразитні ємності будуть між виводами 1 і 2, 2 і 3 та 3 і 4, а також між виводами 7 і 8 та 8 і 9.
Розрахунок паразитних ємностей проводимо в програмі Microsoft Excel, записавши необхідні розрахунки.
Виводи 1 і 2 та 6 мають значну відстань паралельного проходження всередині мікросхеми.
Для паразитних індуктивностей використовуємо формулу
(2.12)
Початкові дані для розрахунку та результати зведені до таблиць 2.9 та 2.10.
Таблиця 2.9
Довжина провідників, мм | Відстань між провідниками, мм | Ємність, пФ | |
Виводи 1 2 | 3,175 | 0,2 | 0,780344 |
Виводи 2 3 | 0,2 | 0,75 | 8,738025 |
Виводи 3 4 | 1,4 | 0,575 | 7,54662 |
Виводи 7 8 | 0,2 | 0,75 | 8,738025 |
Виводи 8 9 | 0,2 | 0,75 | 8,738025 |
Таблиця 2.10
Довжина провідників, мм | Індуктивність, нГ | |
L1 | 3,8675 | 0,693372 |
L2 | 3,1755 | 0,711979 |
L3 | 3,2675 | 0,708133 |
Програма розрахунку паразитних параметрів знаходиться у додатку 4.
Товщина підкладки h=0,5мм, товщина доріжок t=0.01мм.
3 Аналіз впливу паразитних елементів і забезпечення функціональних властивостей ЗЕМ на базі СхСАПР
Визначені паразитні ємності вводимо до схеми ЗЕМ. Проводимо аналіз схеми у статичному режимі. Для його проведення необхідно провести моделювання схеми при трьох температурах: -60 ۫ , 25 ۫ , 60 ۫.
Також проводимо аналіз ЗЕМ з паразитними елементами у часовій області.
Схема з паразитними елементами, показники напруги та струму в схемах, а також аналіз схеми у часовій області зображені у додатку 5.
В цьому підрозділі проводимо порівняльний аналіз функціональних властивостей ЗЕМ з паразитними параметрами та без них у статичному режимі та у часовій області. Таким чином можемо зробити висновок про вплив паразитних елементів на роботу ЗЕМ і ефективність його конструкторської реалізації у формі ГІС.
Як ми виявили, паразитні параметри майже не впливають на роботу ЗЕМ. Це видно з статичних та часових характеристик які знаходяться а додатках 1, 2, 5.
Висновки
Виконавши курсову роботу розробили принципову схему ЗЕМ, промоделювали її в системі OrCad 9.2. Визначили параметри схеми у статичному режимі та у часовій області. Розробили топологію гібридної інтегральної схеми. Виконали розрахунки паразитних елементів ГІС, визначили їх вплив на робрту схеми у статичному та динамічному режимі.
... ./ “_____”_________2009р. Виконавець Студент групи x /xxxxxx./ “_____”____________2009р. Харків 2009 ЗАТВЕРДЖЕНО xxx.03077-01 12 01-1-ЛЗ ВІРТУАЛЬНИЙ ВИМІРЮВАЛЬНИЙ КОМПЛЕКС НА БАЗІ УЧБОВОГО ЛАБОРАТОРНОГО СТЕНДУ EV8031 Текст програми xxxxx.03077-01 12 01-1 Аркушів _48_ Харків 2009 ЗМІСТ 1 ТЕКСТ ПРОГРАМНОГО ЗАБЕСПЕЧЕННЯ ...
... добрі передумови для надання їй суспільної значимості та виробничої скерованості. Розділ 2. ОКРЕМІ АСПЕКТИ ОРГАНІЗАЦІЇ РОБОТИ ШКІЛЬНОГО РАДІОТЕХНІЧНОГО ГУРТКА 2.1 Місце розділу «Елементи цифрової техніки» в програмі радіотехнічного гуртка, та методичні рекомендації щодо його вивчення З огляду на те, що цифрова обробка інформації практично вже стала основною складовою роботи пристроїв не ...
... 4. Як графічно позначаються польові транзистори? Інструкційна картка №9 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки» І. Тема: 2 Електронні прилади 2.4 Електровакуумні та іонні прилади Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумово ...
... Собівартість, грн 1718 2700 3. Ціна виготовлювача, грн 2474 3500 4. Ринкова ціна, грн 3000 4350 5 ОХОРОНА ПРАЦІ У даному дипломному проекті розроблений телевізійний приймач з можливістю прийому сигналів у форматі MPEG-2, виконаний на декількох печатних платах. Одним з етапів виготовлення пристрою є монтаж радіоэлементів на друковану плату. Монтажно-складальні операції у виробництв ...
0 комментариев