3.2 Расчет промежуточного каскада усилителя

Так как сквозной коэффициент усиления равен 134,1 а коэффициент усиления предоконечного каскада равен 4,95.

Для получения заданного коэффициента усиления нам необходим каскад предварительного усиления с коэффициентом усиления Ku=5,2 и входной каскад с коэффициентом усиления Ku≤1.

Выберем транзистор КТ315В

Его основные параметры:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, h21э=30…120

Постоянный ток коллектора, Iкмах= 100 мА

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, Uкэмах=40В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 150 мВт

Обратный ток коллектора IК об=1 мкА

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=20 мА Uнас=0,4 В.

Емкость коллектора CК=7 пФ

Постоянная времени цепи обратной связи τОС=300 пс.

Введем ограничение по току: пусть IК max=150 мА.

Uкэmin возьмем больше Uнас=0,4. Пусть Uкэ min=0,8 В.

Выберем UR10=(0,1…0,2)·ЕП.

Пусть UR10=0,15·ЕП=0,15·40=6 В.

Тогда получаем условие:

;

где – напряжение на выходе промежуточного каскада, – обратный ток коллектора.

Так как  В, получаем:

 

 мА

Выбираем

 и  мА.

Найдем мощность рассеяния транзистора:

 

Полученное значение мощности не превысило допустимое (150 мВт).

По линейке номиналов подбираем R9=1 кОм.

Рассчитаем нагрузку каскада по переменному току:

Удостоверимся в возможности этого тока:

,

.

Рассчитаем коэффициент усиления каскада по напряжению:

,

где h21Э– статический коэффициент передачи тока, h11Э– входное сопротивление транзистора.

rБЭ найдем как:

 Ом

 Ом

 Ом

Так как нам необходимо получить усиление каскада KU=5,2 введем отрицательную обратную связь.

,

где δ – коэффициент передачи обратной связи.

Исходя из неравенства, >>1, получаем

 ;

По линейке номиналов подбираем R10=22 Ом.

Проведем перерасчет коэффициента усиления и глубины обратной связи:

Найдем напряжение на входе каскада:

Ток базы находим из следующей формулы:

 мА.

Ток делителя находим из условия

 

 мА.

;

;

где UR10 – напряжение на резисторе обратной связи;

Так как для кремниевых транзисторов

 В

 

По линейке номиналов подбираем R8=27 Ом.

По линейке номиналов подбираем R7=7,5 кОм.

Проведем перерасчет  с полученными значениями R7 и R8

Рассчитаем входное сопротивление каскада. Оно представляет собой параллельное соединение входного сопротивления транзистора VT3 и резисторов R7 и R8.

Найдем входное сопротивление транзистора VT2 с учетом обратной связи:

, где А– глубина обратной связи.



Информация о работе «Электронный усилитель»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 14721
Количество таблиц: 3
Количество изображений: 7

Похожие работы

Скачать
65585
10
0

... на типы осуществляют по назначению усилителя, характеру входного сигнала, полосе и абсолютному значению усиливаемых частот, виду используемых активных элементов. По своему назначению усилители условно делятся на усилители напряжения, усилители тока и усилители мощности. Если основное требование – усиление входного напряжения до необходимого значения, то такой усилитель относится к усилителям ...

Скачать
41293
3
19

... каскадов. 3. Собственная компенсация частотных свойств активных элементов Влияние частотных свойств активных элементов на характеристики устройств различного назначения значительно определяет область их практического применения. Создание идентичных операционных усилителей (например, несколько ОУ в одном кристалле) позволило внедрить в инженерную практику принцип взаимной компенсации, когда ...

Скачать
31526
1
9

... , вольтметров, ваттметров, вариометров”. Принципиальная схема вольтметра приведена на чертеже 4032.525018.000 Э3. Выводы по результатам проектирования В данном курсовом проекте был разработан электронный вольтметр переменного тока действующего значения, удовлетворяющий следующим требованиям технического задания: 1.  Диапазон измерения: 1 мВ – 300 В; 2.  Диапазон частот: 20 Гц – 200 кГц; ...

Скачать
50633
4
35

... постоянной времени усилителя и, следовательно, его граничной частоты определяется соотношениями (42)–(44). Завершая обсуждение найденных принципов собственной и взаимной компенсации влияния паразитных емкостей полупроводниковых компонентов, целесообразно отметить два обстоятельства, имеющих, возможно, самостоятельное значение в аналоговой микросхемотехнике. Во-первых, относительно хорошая ...

0 комментариев


Наверх