5. Моделирование схемы в пакете Multisim 8
5.1 Подбор элементной базы и проверка работоспособности
Для моделирования схемы необходимо подобрать аналоги отечественным компонентам схемы (транзисторы, диоды, стабилитроны), т.к. данный пакет не содержит отечественную элементную базу.
Результат подбора аналогов элементов и их параметры приведены в таблице 1 и 2
Таблица 1
Номер по схеме | Отечественный элемент | Импортный аналог |
Транзисторы | ||
VT1, VT2, VT3 | КТ313Б | 2N3250A |
VT4, VT6 | КТ630Б | 2N2102 |
VT5, VT7 | КТ816Г | 2N5194 |
VT8, VT9 | КП904А | 2N7000 |
Диоды | ||
VD1 | Д814Г | 1N962B |
VD2, VD3, VD4,VD5 | КД223А | 1N5401 |
VD6, VD9 | КД103А | BAW62 |
Стабилитроны | ||
VD10, VD11 | КС211Е | BZX84-C10 |
Таблица 2
Транзисторы npn и pnp | КТ313Б (2N3250A) | КТ630Б (2N2102) | КТ816Г (2N5194) | Полевой транзистор | КП904А (2N700) |
IK MAX, mA | 35 | 1 | 3 | PMAX, мВт | 75 |
IK, И MAX, mA | 2 | 6 | UСИ MAX, Bт | 70 | |
UКЭRMAX (UКЭО ГР), В | 5 | 80 | 80 | UЗС MAX, Вт | 90 |
UКБО MAX, B | 6 | 120 | IC MAX, A | 16 | |
UЭБО MAX, B | 5 | 7 | 5 | IK MAX, A | 100 |
PK MAX(PMAX), мВт | 300 | 0,8 | 25 | SмА/В | 250..510 |
ТП MAX, c | 125 | 125 | 125 | CЗИ, пФ | 300 |
TMAX, c | 85 | 100 | КУР, дБ | 13 | |
h21Э(h21Э)(S21 ТИП) | 80…300 | 80…240 | 25 | UЗИ MAX, В | 30 |
UКЭ НАС, В | 0,5 | 0,3 | 0,6 | ||
IКБО(IКЭR), мкА | 0,5 | 1 | 0,1 | ||
fГР(fh21), МГц | 200 | 50 | 3 | ||
CК, пФ | 12 | 15 | 60 | ||
СЭ, пФ | 65 | 115 |
Прежде чем проводить анализы требуется проверить работоспособность схемы на импортных элементах, т.е. проверить соответствие параметров в ТЗ и в полученной схеме.
Проверим усиление на выходе, для этого установим на вход источник синусоидального сигнала AC Voltage со следующими параметрами:
Напряжение- 1 В
Частота- 1000 Гц.
Рис.1 Входной и выходной сигнал
Из графика видно, что усиление выходного сигнала относительно входного порядка 20 раз, а подключив ваттметр к выходу усилителя получаем мощность порядка 35 Вт, что соответствует ТЗ.
Рис. 2. Ваттметр
... ; верификацию топологии; выпуск конструкторской документации. В данной работе, с помощью современных средств проектирования и разработки электронных схем, промоделирована работа схемы усилителя мощности звуковой частоты на зарубежных аналогах отечественных элементов, а также на созданных в процессе работы моделях отечественных активных элементах. Для данной схемы были получены ее основные ...
... сопротивления источника входного сигнала, а поэтому изменение условия оптимальности при облучении не приводит к дополнительному увеличению шума. Радиационные эффекты в ИОУ. Воздействие ИИ на параметры ИОУ. Интегральные операционные усилители (ИОУ) представляют собой высококачественные прецизионные усилители, которые относятся к классу универсальных и многофункциональных аналоговых ...
... простой в применении методики расчета МКЦ необходимой при проектировании сверхширокополосных усилителей. Целью данного дипломного проекта является разработка методики расчета МКЦ сверхширокополосного усилителя на мощных полевых транзисторах, обеспечивающий максимальный коэффициент передачи при заданных неравномерности АЧХ и полосе пропускания. Данная методика необходима для создания интегральных ...
... к модификации межэлектродных ёмкостей, а также режим работы транзистора – режимы большого или малого тока коллектора (проявление эффекта Кирка). Необходимо и достаточно параметры математической модели биполярных транзисторов описываются 8-ю характеристиками: Зависимостью напряжения на переходе эмиттер-база Uбэ в режиме насыщения от тока коллектора (желательно иметь диапазон изменения тока ...
0 комментариев