Навигация
Нобелевская премия в области физики 2000 года
57127
знаков
0
таблиц
0
изображений
3.5 Нобелевская премия в области физики 2000 года
3.5.1 Алферов Жорес Иванович
Жорес Иванович Алфёров родился в белорусском городе Витебске. После 1935 года семья переехала на Урал. В г. Туринске А. учился в школе с пятого по восьмой классы. 9 мая 1945 года его отец, Иван Карпович Алфёров, получил назначение в Минск, где Алфёров окончил мужскую среднюю школу №42 с золотой медалью. Он стал студентом факультета электронной техники (ФЭТ) Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова.
В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, А. был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе в лабораторию В.М. Тучкевича. В первой половине 50-х годов перед институтом была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии Алфёрова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы За комплекс проведенных работ в 1959 году Алфёров получил первую правительственную награду, им была защищена кандидатская диссертация, подводившая черту под десятилетней работой.
После этого перед Ж.И. Алфёровым встал вопрос о выборе дальнейшего направления исследований. Накопленный опыт позволял ему перейти к разработке собственной темы. В те годы была высказана идея использования в полупроводниковой технике гетеропереходов. Создание совершенных структур на их основе могло привести к качественному скачку в физике и технике.
В то время во многих журнальных публикациях и на различных научных конференциях неоднократно говорилось о бесперспективности проведения работ в этом направлении, т.к. многочисленные попытки реализовать приборы на гетеропереходах не приходили к практическим результатам. Причина неудач крылась в трудности создания близкого к идеальному перехода, выявлении и получении необходимых гетеропар.
Но это не остановило Жореса Ивановича. В основу технологических исследований им были положены эпитаксиальные методы, позволяющие управлять такими фундаментальными параметрами полупроводника, как ширина запрещенной зоны, величина электронного сродства, эффективная масса носителей тока, показатель преломления и т.д. внутри единого монокристалла.
Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках Жорес Иванович обобщил в докторской диссертации, которую успешно защитил 1970 году.
С использованием разработанной Ж.И. Алфёровым в 70-х годах технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе AIGaAs/GaAs гетероструктур в России (впервые в мире) было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.
На основе предложенных в 1970 году Ж.И. Алфёровым и его сотрудниками идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP созданы полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более широкой спектральной области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они нашли широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.
В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
В 1993...1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом, исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
3.6 Нобелевская премия в области физики 2003 года
3.6.1 Гинзбург Виталий Лазаревич
Виталий Лазаревич Гинзбург родился в 1916 году в Москве в семье инженера, специалиста по очистке воды, выпускника Рижского политехникума Лазаря Ефимовича Гинзбурга (1863—1942, Казань) и врача Августы Вениаминовны Гинзбург (урождённой Вильдауэр, 1886, Митава Курляндской губернии— 1920, Москва). Рано остался без матери, умершей в 1920 году от брюшного тифа (его воспитанием после смерти матери занялась её младшая сестра Роза Вениаминовна Вильдауэр).
До 11 лет получал домашнее образование под руководством отца. Затем в 1927 году поступил в 4-й класс 57-й семилетней школы, которую окончил в 1931 году и продолжил среднее образование в фабрично-заводском училище (ФЗУ), затем самостоятельно, работая лаборантом в рентгенологической лаборатории вместе с будущими физиками Л. А. Цукерманом (1913—1993) и Л. В. Альтшулером (1913—2003), дружба с которыми осталась на всю жизнь. В 1933 году поступил в Московский государственный университет, в 1938 году окончил физический факультет МГУ, в 1940 году— аспирантуру при нём и в том же году защитил кандидатскую диссертацию.
Защитил докторскую диссертацию в 1942 году. С 1942 года работал в теоретическом отделе имени И.Е.Тамма ФИАНа. Член ВЛКСМ с 1930 по 1944 г. Член КПСС с 1947-го года.
Заведовал кафедрой проблем физики и астрофизики ФОПФ МФТИ, которую он создал в 1968 году.
В последние годы жизни— руководитель группы-советник РАН отделения теоретической физики ФИАН.
Виталий Лазаревич Гинзбург автор около 400 научных статей и около 10 монографий по теоретической физике, радиоастрономии и физике космических лучей.
Основные труды по распространению радиоволн, астрофизике, происхождению космических лучей, излучению Вавилова — Черенкова, физике плазмы, кристаллооптике и др..
В 1940 году Гинзбург разработал квантовую теорию эффекта Вавилова — Черенкова и теорию черенковского излучения в кристаллах.
В 1946 году совместно с И. М.Франком создал теорию переходного излучения, возникающего при пересечении частицей границы двух сред.
В 1950 году создал (совместно с Л.Д.Ландау) полуфеноменологическую теорию сверхпроводимости (теория Гинзбурга — Ландау). Теория Гинзбурга—Ландау описывает электронный газ в сверхпроводнике как сверхтекучую жидкость, которая при сверхнизких температурах протекает сквозь кристаллическую решетку без сопротивления. Эта теория позволила выявить несколько важных термодинамических соотношений и объяснила поведение сверхпроводников в магнитном поле. Индекс цитируемости совместной работы Гинзбурга и Ландау — один из самых высоких за всю историю науки. Гинзбург одним из первых понял важнейшую роль рентгеновской и гамма-астрономии; он предсказал существование радиоизлучения от внешних областей солнечной короны, предложил метод изучения структуры околосолнечной плазмы и метод исследования космического пространства по поляризации излучения радиоисточников
В 1958 году В.Л.Гинзбург создал (совместно с Л.П.Питаевским) полуфеноменологическую теорию сверхтекучести (теория Гинзбурга — Питаевского). Разработал теорию магнитотормозного космического радиоизлучения и радиоастрономическую теорию происхождения космических лучей.
Член нескольких иностранных академий наук, главный редактор научного журнала «Успехи физических наук». В 1998 году основал Комиссию по борьбе с лженаукой и фальсификацией научных исследований при Президиуме Российской академии наук. Был членом Комиссии АН СССР по улучшению стиля работы (являлась комиссией по борьбе с бюрократией). Был главным редактором журнала «Известия вузов. Радиофизика», членом редколлегии журналов «Физика низких температур», «Письма в Астрономический журнал», «Наука и жизнь», библиотечки «Квант» (издательство «Наука»), членом общественного совета «Литературной газеты».
Похожие работы
... П. Только одну награду принял он с радостью и волнением. Это была Нобелевская премия по физике. К. Рентген стал в 1901 г. первым Нобелевским лауреатом. Сейчас эти премии хорошо известны: они вручаются крупнейшим ученым за фундаментальные открытия в области физики, химии, биологии, медицины. К настоящему времени восемь советских физиков удостоены этого высокого звания: И. Е. Тамм, И. М. Франк, ...
... Нобелевская премия по экономике, 1960-е Год Имя Тема 1969 Рагнар Фриш и Ян Тинберген «За создание и применение динамических моделей к анализу экономических процессов». Нобелевская премия по экономике, 1970-е 1970 Пол Энтони Самуэльсон «За научную работу, развившую статическую и динамическую экономическую теорию». 1971 Саймон Кузнец «За эмпирически обоснованное ...
... физиками Александром Прохоровым и Николаем Басовым.) Еще один американец, сотрудник корпорации «Техас Инструментс» Джек Килби, удостоен награды за работы в области интегральных схем. Итак, кто же он, новый российский нобелевский лауреат? Жорес Иванович Алфёров родился в белорусском городе Витебске. После 1935 года семья переехала на Урал. В г. Туринске А. учился в школе с пятого по восьмой ...
... для фундаментальных исследований, а также навигации, телекоммуникации, сверхбыстрой электроники, космоса, радиолокации, связи, кодирования информации, астрофизики и т.д. Знаменитые физики XX века, каждый из которых стал нобелевским лауреатом, отцы квантовой механики, изменившей представление о мире, мечтали заглянуть вглубь атома. Но, увы, они могли это сделать только с помощью сложнейших формул ...
0 комментариев