4. Задача№4

 

4.1 Умова

Для вимірювання амплітудного Um, середнє квадратичного U та середньо випрямленого Uс.в. значень (відповідно АЗ, СКЗ, СВЗ) напруги u(t) в електричному колі використані електронні вольтметри V1, V2, V3. Форма кривої напруги встановлена за допомогою осцилографу та приведена на рис. 4.1. Характеристики вольтметрів наведено в таблиці 4.1.

Необхідно:

-  розрахувати коефіцієнти амплітуди Ка та форми Кф кривої.

-  показ вольтметра V1 дорівнює 10 V. Знайти значення Um, U, Uс.в. та покази інших двох вольтметрів.

Рис 4.1 - Форма кривої напруги встановлена осцилографом

V1 – ВК7-9; V2 – В3-44; V3 – В3-42.

Таблиця 4.1 - Характеристики електронних вольтметрів

Тип вольтметра Частотний діапазон Діапазон вимірювань Клас точності Вимірюємо значення Вхід вольтметра Градуювання шкали
ВЗ-42

20Нz…

10МНz

від 0.1 mV до 300 V 2.5; 6.0 СКЗ; НДФ Закритий СКЗ; НСФ
ВЗ-44

0.02...20

kHz

від 0.03 mV до 300 V 2.5 СВЗ; НСФ Відкритий СКЗ; НСФ
ВК7-9

20Нz...

700МНz

від 0.3 до 100 V 4.0 АЗ Закритий СКЗ; НСФ

Информация о работе «Побудова амперметру та вольтметру. Методи вимірювання фазового зсуву»
Раздел: Физика
Количество знаков с пробелами: 16390
Количество таблиц: 14
Количество изображений: 9

Похожие работы

Скачать
48808
80
14

... , тому компенсаційні методи вимірювань застосовують переважно в лабораторних умовах, зокрема при перевірці фазометрів. ЕЛЕКТРОДИНАМІЧНІ ФАЗОМЕТРИ   Розглянемо вимірювальний механізм і вимірювальну схему, найпоширеніші у вітчизняних і закордонних конструкціях електродинамічних фазометрів (мал. 1). Дві з'єднані послідовно секції нерухомої котушки, що живлять струмом навантаження, створюють у ...

Скачать
26292
0
9

... прямою, але не рівномірною. Цю схему використовують для вимірювання малих опорів. 1 Розробка технічного завдання Метою курсового проекту є розробка вимірювального перетворювача опір - тривалість імпульсу і його принципової схеми. Також метою даної роботи є придбання навиків аналітичного розрахунку перетворювача по заданим вимогам. Електронними підсилювачами називають пристрої, призначені для ...

Скачать
78791
9
1

... ється в p і n областях: lp-n = lp + ln:  , звідси , де ε – відносна діелектрична проникність матеріалу напівпровідника; ε0 — діелектрична постійна вільного простору. Товщина електронно-діркових переходів має порядок (0,1-10)мкм. Якщо , то  і p-n-перехід називається симетричним, якщо , то  і p-n-перехід називається несиметричним, причому він в основному розташовується у області напі ...

Скачать
93932
0
57

... інь на базі одного поліноміального джерела. Складіть схеми пристроїв і перевірте їхню працездатність. Складіть схему для дослідження спектрального складу AM- і ЧМ-сигналів. Результати моделювання зіставте з розрахунковими по формулах (3.2) і (3.2а). 6. Як відомо, потужність у ланцюзі постійного струму визначається за формулою: W = VI = V2/R- Для створення моделі найпростішого ватметра, що ...

0 комментариев


Наверх