3. Тетрод (лампа с двумя сетками)
Эта лампа содержит вторую сетку, которая может располагаться либо между управляющей сеткой и катодом (сетка пространственного заряда или катодная сетка), либо между управляющей сеткой и анодом (экранирующая сетка). Наиболее часто используются тетроды с экранирующей сеткой (рис. 4.13,а), обладающие очень малыми значениями Са.с и D (D — проницаемость лампы).
Рис. 4. Расположение электродов (а) и типичные характеристики тетрода (б).
1 — вторичные электроны переходят с экранирующей сетки на анод; 2 — ход характеристики без учета вторичной эмиссии; 3 — вторичные электроны переходят с анода на экранирующую сетку.
Электродную систему тетрода, как и триод ну ю, можно свести к эквивалентной диодной системе. По аналогии с уравнением (6) уравнение статической характеристики тетрода имеет вид:
Ik=K(Uc+Dэ.c.Uэ.с.+DaUa)3/2 , (22)
где .Da.c — проницаемость управляющей сетки (для поля экранирующей сетки); Da — проницаемость лампы (для поля анода) и Uэ.с. — напряжение экранирующей сетки. Вместо Iа в уравнения (4.6) в данном случае входит ток катода Iк в плоскости управляющей сетки, часть которого ответвляется на (положительную) экранирующую сетку, а другая большая часть — на анод (токораспределение). Таким образом, экранирующая сетка действует на катодный ток как «притягивающий» электрод.
На рис.4,б показана типичная форма анодной (Ia—Ua) и сеточно-анодной (Iэ.с—Ua) характеристик тетрода. Обе характеристики расположены симметрично относительно друг друга и имеют излом при Ua<Uэ.с [вопреки уравнению (4.22)]. Наличие излома связано с появлением вторичных электронов, которые выбиваются первичными электронами (создающими анодный ток) из анода и попадают на более положительную экранирующую сетку (динатронный эффект). При этом ток экранирующей сетки возрастает па величину тока вторичной электронной эмиссии, а ток анода соответственно уменьшается. При Uа>Uэ.с. наоборот, вторичные электроны с экранирующей сетки попадают па более положительный анод. В этой области благодаря экранирующему действию обеих сеток триода характеристика имеет почти горизонтальный ход (т. е. Iа почти не зависит от Ua).
Из-за излома характеристики область управления тетродом лежит при Uа>Uэ.с.. Этот недостаток можно устранить, вводя третью (защитную или антидинатронную) сетку, ликвидирующую обмен вторичными электронами между экранирующей сеткой и анодом. Лампы с тремя сетками (с пятью электродами) носят название пентодов.
4. Пентод (лампа с тремя сетками)
Вредный эффект обмена вторичными электронами устранен в пентоде за счет того, что защитная сетка соединяется с катодом п, следовательно, имеет нулевой потенциал (Uб=0, рис. 4.5,а). Поэтому статическое уравнение характеристики пентода совпадает с уравнением (4.22). Однако поскольку из-за сильного экранирующего действия третьей пентодной сетки Da<<Dэ.с., т.е. DaUa<< Dэ.сUэ.с то для пентода приближенно имеем:
IK = K(Uc + Dэ.сUэ.с)3/2. (23)
Следовательно, анодный ток пентода Iа = Iк—Iс
практически не зависит от Ua (насыщение характеристик семейства Ia-Ua, рис. 4.5,б), за исключением случая Ua<<Uэ.с (перехват тока
экранирующей сеткой).
Пентоды характеризуются очень малым влиянием анодного напряжения на ток катода (проницаемость лампы Da<<l%) и высоким внутренним сопротивлением Ri (порядка нескольких мегаOм; вследствие горизонтального хода анодных характеристик Iа—Uа). Поскольку обычно Ri>>Ra, то коэффициент усиления пентода по напряжению согласно уравнению (4.16) равен (D=Da):
Рис. 5. Расположение электродов (а) и типичное семейство характеристик (б) пентода.
(24)
При Ra®¥ согласно уравнению (16) получаем, что mu=mumax=1/Dа. На практике максимальный коэффициент усиления меньше l/Da (примерно 103), так как при больших амплитудах переменного анодного напряжения(полуволне анодный ток может на время прерываться, что вызывает значительные искажения выходного сигнала.
4.1.5. Гексоды, гептоды, октоды (лампы с четырьмя, пятью и шестью сетками)
Эти лампы имеют по две(находящихся под отрицательным потенциалом) управляющие сетки, которые могут независимо друг от друга влиять на ток катода(двойное управление). В радиотехнике они обычно используются как смесительные лампы .
ЛИТЕРАТУРА
1. Мирошников М.М. Теоретические основы оптико-электронных приборов: учебное пособие для приборостроительных вузов. -- 2-е издание, перераб. и доп.—Л.: Машиностроение, Ленингр. отделение, 1983 -- 696 с.
2. Порфирьев Л.Ф. Теория оптико-электронных приборов и систем: учебное пособие.—Л.: Машиностроение, Ленинградское отделение. 1980 -- 272 с.
3. Кноль М., Эйхмейер И. Техническая электроника, т. 1. Физические основы электроники. Вакуумная техника.—М.: Энергия, 1971.
4. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике.—М., Наука, 1978 -- 944 с.
5. Сивухин Д.В. Общий курс физики. Оптика.—М.: Наука, 1980 -- 752 с.
6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн.—М.: Мир, 1984.
7. Достанко А.П. Технология интегральных схем.—Мн: Вышэйшая школа, 1982 -- 206 с.
... влияющие на точность и воспроизводимость результатов. Области практического применения лазерной размерной обработки ограничены преимущественно получением отверстий не выше 3-го класса точности. Тем не менее, лазерная технология получения отверстий внедрена на ряде предприятий, где с ее помощью получают черновые отверстия (на проблемах внедрения этих процессов мы остановимся позднее). Относительно ...
... индуктивное сопротивление в точке К3 ХК3=ХК2+Х6 (10.9) ХК3=8,645+15,06=23,705 Ом 10.17 Приводим результирующее индуктивное сопротивление в точке К3 к низшему напряжению на подстанции «Байдарка» (10.10) Ом 10.18 Определяем ток 3-х и 2-х фазного короткого замыкания и ударный ток в точке К1 (10.11) Где UФ – фазное напряжение, кВ кА (10.12) кА (10.13) Где КУ – ...
0 комментариев