Расчетная часть

2 Расчетная часть

 

2.1 Расчет дрейфового поля транзистора
a=17,499 . 10³ см^-1

E_b=452 В/см

 

2.2 Расчет a

см²/сек

2.3 Расчет сопротивлений транзистора

 

Зарядная емкость эмиттера

 см^-3

см-3

Ф

Зарядная емкость коллектора

см²

Ф

 

2.5 Расчет максимальной частоты

Граничная частота коэффициента передачи по току, определяемая механизмом переноса через базу

 Гц

Максимальная частота генерации

Гц

 

2.6 Расчет Y-параметров для схемы с ОЭ

3 Эквивалентные схемы

 

3.1 Эквивалентная П-образная схема на низких частотах для включения с общим эмиттером

 

3.2 Эквивалентная П-образная схема на высоких частотах для включения с общим эмиттером

 

Y_бэ=(Y₁₁+Y₁₂)

Y_кэ=(Y₂₂+Y₁₂)

Y_бк=Y₁₂

S=(Y₂₁-Y₁₂) - крутизна

4 Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер

Для исследования зависимости была использована программа Mathcad 2000. В основу была положена программа расчета параметров исследуемого транзистора.

Далее приведены формулы параметры которых влияют на изменение максимальной частоты при изменении напряжения на коллекторе:

Зависимость максимальной частоты от напряжения на коллекторе показана на рисунке 4.1

Рисунок 4.1 зависимость максимальной частоты от напряжения на коллекторе

5 КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

 

5.1 Структура транзистора

Структура дрейфового транзистора предоставлена на рисунке 5.1.

Масштаб 1000:1.

 

5.2 Описание технологии получения дрейфового транзистора

В исходном кремнию n-типа ( ρ=0,5...1 Ом*см ) путем диффузии создается соединительный слой р-проводимости. Для уменьшения размеров перехода n-слой создается только в углублениях (лунках). Затем в углубление кладутся два кусочка сплава, и производится термообработка. При этом происходит расплавление сплавов, проплавление соединительного слоя и диффузия примесей из расплава в исходный кремний.

Первая (эмиттерная) капля содержит примеси n- и р-типов. Под ней после диффузии создается n-p-n-структура. Донорная область под каплей сплава используется как эмиттер, узкий средний слой р-типа образует активную область базы, исходный n-кремний образует область коллектора.

Вторая капля сплава содержит только р-примеси. Она создает омический контакт с соединительным слоем и вывод базовой области. В случае проплавления р-слоя эта капля создает p-n-переход с исходным кремнием.

Структура n-p-n, получающаяся в результате сплавления диффузии, используется для создания транзистора [3].

Рисунок 5.1 структура дрейфового транзистора

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения данной курсовой работы были рассчитаны параметры П-образной эквивалентной схемы транзистора включенного по схеме с ОЭ для НЧ и ВЧ.

Получена зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер.

С увеличением напряжения максимальная частота увеличивается.

Кратко описана технология изготовления дрейфового транзистора, а также предоставлена структура n-p-n-перехода к рассчитываемому транзистору.

ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК

1.  Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. М., «Энергия», 1971

2.  Дрейфовые транзисторы. М., «Советское радио», 1964

3.  Основы теории транзисторов. Спиридонов Н. С. «Техника», 1969.