Навигация
Використання та застосування
41335
знаков
0
таблиц
2
изображения
2. Використання та застосування
2.1 Терабітна мережа
Компанія Magyar Telekom модернізувала свою IP-магістраль в рамках стратегії, спрямованої на поширення IP-послуг та широкосмугових технологій на території Угорщини. Установка маршрутизаторів Cisco CRS-1 дозволила різко збільшити ємність і надійність мережі Magyar Telekom. Цей проект став важливою віхою на шляху технологічного оновлення компанії Magyar Telekom – першого угорського оператора зв'язку, що впровадила маршрутизатори з терабітной ємністю.
«Повсюдне поширення широкосмугових інтернет-послуг – одна з головних стратегічних цілей Magyar Telekom. Ця мета повністю співпадає з національними інтересами. Ми будуємо інформаційне суспільство майбутнього, – заявив головний виконавчий директор Magyar Telekom Крістофер Маттхайзен. – Magyar Telekom виходить за рамки чисто інфокомунікаційних послуг і зміцнює свої позиції на аудіовізуальному ринку. Ми першими впровадили цілу низку новаторських послуг в галузі фіксованого та мобільного зв'язку, а також в області доставки контенту. Серед них сучасна соціальна мережа iWiW, IP-телебачення (T-Home TV), мобільна телефонія третього покоління з підтримкою відео та телевізійного мовлення, а також мобільний доступ в інтернет (web 'n' talk)».
Будівництво мережевої архітектури Cisco IP NGN створює нові можливості для модернізації телекомунікаційної інфраструктури. Ця архітектура закладає фундамент для впровадження новаторських IP-послуг, налаштованих на вимоги індивідуальних абонентів (інтегровані медіапослуг, відео та IPTV, голос поверх IP, інтерактивні ігри та доступ до цифрового контенту, у тому числі до фотобібліотекам та кінофільмів на вимогу).
2.2 «Традиційна» і «нова» наноелектроніка
Звернімося до історії. Напівпровідникова електроніка спочатку мала справу з нанорозміри, так ширина області об'ємного заряду р-n-переходу стабілітрон складає десятки нанометрів, а тунельного діода – одиниці.
У 1970–1980-ті роки в напівпровідникову техніку увійшли такі нанорозмірні структури, як гетеропереходи, сверхрешеткі, квантові ями, квантові дроту і крапки. Для їх створення були розроблені технологічні процеси, які народилися як логічний розвиток і вдосконалення напівпровідникової класики: епітаксії, дифузії, імплантації, напилювання, окислення і літографії. Набула поширення молекулярно-променевої епітаксії, іонно-плазмова обробка, іонно-променеве напилення, фотонний відпал та ін Зрозуміло, перехід до маніпулювання потоками вільних атомів, молекул, іонів привів до значних змін у класичних технологічних схемах. Зокрема, істотним стало явище самоорганізації – мимовільне освіта тих чи інших просторових структур на поверхні підкладки (зрозуміло, ця мимовільно ініціюється ззовні). Сверхпрецізіонность перерахованих технологій дозволяє відтворено отримувати ізольовані кластери, що містять сотні атомів; однорідні оптичні плівки з «шорсткістю» менше 0,2 нм; гетероструктури, що складаються з різнорідних наношарів заданого складу і т. п. Фактично ці технології – перший крок на шляху «атомного конструювання». Приладове підтвердження життєздатності перерахованого – в широко відомих досягнення новітніх мікросхем, лазерів, світлодіодів, Фотоприлад (докладніше див [7–9]). Таким чином, розвиток мікроелектроніки природно і логічно привело її до наноелектроніці, яку ми умовно назвемо традиційної наноелектроніки.
Але в 1980–1990-ті роки відбулися події і принципово іншого роду. Цей винахід скануючого тунельного мікроскопа (СТМ, 1981 р.) та атомно-силового мікроскопа (АСМ, 1986 р.), що дозволили маніпулювати нанометровим кластерами, аж до окремих атомів і молекул. У 1985 році відкриті фулерени – нова структурна форма існування вуглецю. У 1991 році на їх основі створені нанотрубки – вуглецеві пористі структури циліндричної форми, що володіють цілим рядом унікальних властивостей, аж до надпровідності. Нарешті, в 1998 році на базі нанотрубок отриманий транзисторний ефект [10]. Ці відкриття дали старт наноелектронних досліджень, що спирається на схему «знизу вгору», з її ідеологією конструювання пристроїв буквально з одиничних атомів. Зародився те, що ми умовно назвемо нової наноелектроніки. Підкреслимо її дослідний, невиробничий характер – адже техніку ВТМ і АСМ навіть з натяжкою не можна віднести до технології в загальноприйнятому розумінні (в цьому твердженні ми розходимося з авторами робіт [8, 7]). Строго кажучи, це не що інше, як техніка фізичного експерименту.
За авторитетним думку [11], модернізована напівпровідникова класика – як в технології, так і в теорії транзисторів – працюватиме принаймні до 10 нм. Правда, при цьому «потрібно рішення ряду принципових проблем», але ми вважаємо, що всі вони – з розряду технічних. Дійсна ж зміна парадигми нанопріборов – перехід до функціонування за квантовим законам – відбудеться лише з появою промислових технологій атомного масштабу (0,5–0,1 нм), орієнтовно до 2030 року.
Отже, якщо брати до уваги не очікування, а реальний приладовий вихід, то можна говорити лише про традиційну наноелектроніці. Більше того, ситуація навряд чи зміниться в найближчі роки – це знову ж таки підказують нам історичні зіставлення. Якщо відлік історії нової наноелектроніки почати з нанотрубок і транзистора на їх основі, віднісши все інше до передісторії, то й тоді вийде 10–15 років, термін чималий. За такий же початковий період (після винаходу транзистора в 1948 році) були створені практично всі різновиди транзисторів, діодів, тиристорів; ці прилади пройшли апаратурну обкатку в Корейській війні (1950–1953 роки); почалося їх виробництво на десятках підприємств багатомільйонними тиражами. Напівпровідникові прилади увійшли до багатьох військові системи; була підготовлена технологічна база – планарна технологія – для майбутньої мікроелектроніки. Вагомо, чи не так? Із ще більшим прискоренням і за аналогічним сценарієм розвивалися мікросхеми, що стартували в 1958–1959 роки. Зазначимо лише, що вже в 1971 році з'явилися мікропроцесори, що кардинально змінили ідеологію електронного апаратобудування. А що в тих же критеріях оцінки – типи, штуки, заводи, військові застосування – за такий же термін дала нова наноелектроніка? Якщо коротко – нічого.
Історичний досвід вчить, що якщо новий науково-технічний напрям не проявляє себе за час природного втілення, то це означає одне з двох: або його принципову нездійсненною, або передчасність. Перше означає, що новий напрямок онтологічно ущербно (фізично, технологічно і т. п.) і не реалізується в принципі, як комп'ютер на тунельних діодах. Передчасність на увазі, що ще немає об'єктивних умов для технічної реалізації, як у випадку з розробкою протівосамолетного «променевого зброї» в ленінградському НДІ-9 в 1930-і роки. Час природного втілення нового ефекту в практику розрахувати неможливо – дуже багато невизначеностей. Але історія, наш експерт, пропонує деякі орієнтири. Так, у другій половині 20 століття ні один з найбільших проектів не тривав більше 10 років: американський і наш атомні проекти – 6–7 років, висадка людини на Місяць – 7–8 років. Це не випадковість, а історична обумовленість – будь-які закладені у «витоків» ідеї, технічні рішення, матеріали за 10 років не просто застарівають, а стають архаїкою. І якщо проект не був втілений у «метал», то його і продовжувати не варто, дешевше почати заново. Такий нинішній динамізм – або робити швидко і виставляти «на продаж», або – не братися. Зрозуміло, мова йде про створення виробів, вирішенні інших конкретно-відчутних завдань. До нанонаук це не відноситься – дослідження фундаментальних проблем можуть тривати необмежено довго (хоча і тут тривала відсутність результату «стомлює» суспільство і самих вчених, приклад – піввіковий пошук дешевої термоядерної енергії помітно вщух).
Порівняльно-історичний аналіз дозволяє сформулювати ряд важливих тез про умови успіху нового напряму не у наближенні-умовному форматі, як це було вище, а цілком визначено, доказово й безальтернативно.
Теза перша – успіх мікроелектронного проекту був би неможливий, якби «під нього» не знайшовся адекватний напівпровідниковий матеріал – кремній, універсальний в частині одночасного досягнення функціональних, експлуатаційно-надійностних, технологічних, вартісних характеристик мікросхем. По окремих позиціях можуть виявитися кращим арсенід галію, германій, екзотичні тонкі плівки і т. п. Але вони – не універсальні, і в підсумку приречені лише на зокрема. Навпаки, ті нові напрямки, які орієнтовані на кремній – «кремній на діелектрику», мікромеханіки – мають безумовну перспективу, труднощі і проблеми обов'язково вирішаться за рахунок всієї потужності технологічного потенціалу мікроелектроніки.
Дискретні прилади – транзистори, лазери, світлодіоди, фотоприймачі та ін – використовують найширший спектр різноманітних напівпровідників, що дозволяє досягати рекордів у відповідних сферах застосування, але одночасно виключає можливість інтеграції – значимість дискретних приладів непорівнянна із значущістю мікроелектроніки. Характерний приклад, зворотний мікроелектроніці – інтегральна оптика. Дуже завзято заявивши про себе ще в 1970 році, вона не знайшла універсального базового матеріалу і в результаті так і залишилася на периферії.
Нова наноелектроніка поки універсального матеріалу не знайшла – нанотрубки на цю роль не виглядають, – тому від неї можна чекати проривів лише у сфері окремих видів дискретних приладів і яких-небудь гібридних конгломератів. А будь-який, навіть дуже корисний, прорив поза інтегральної технології вирішує лише зокрема.
Теза друга – успіх мікроелектроніки в сфері застосування обумовлений комплексним підходом до потреб радіоелектронних систем. Одноразово розробляються мікропроцесорні комплекти, функціонально повні набори мікросхем, природно і логічно виправдане устремління до «системам на кристалі». Але жодна «сверхпродвінутая» мікросхема не забезпечує реального прогресу апаратобудування. Перевод: русский > украинский
Показать латиницей
Більш того, різнорідність мікросхем і дискретних приладів (за матеріалами, технології, конструкції), що використовуються в системі, дуже часто стає причиною ненадійності, високої вартості, функціональної обмеженості. Нерідко заради комплексності відмовляються від унікальних і начебто виграшних одиничних рішень. Нова наноелектроніка, обіцяючи появу безлічі чудових виробів – терабітной пам'яті, мікродісплеев та ін, системних комплексних рішень поки не пропонує.
Теза третя: успіх мікроелектроніки визначений і комплексним підходом іншого роду – одночасним і обов'язковим поєднанням в мікросхемі повного «джентльменського набору» компетенцій: високого ступеня інтеграції, значень функціональних параметрів, надійності, технологічності. Нова наноелектроніка домагається рекордів то в одному, то в іншому напрямку, але майже завжди залишає вирішення питань надійності «на потім». Проте з найбільш загальних міркувань очевидно, що для елементів наносвіту проблема надійності (точніше, ненадійності) є визначальною. Характерно, що військові (у тому числі і в США) до цих пір з обережністю ставляться до мікросхем з проектними нормами менше 0,35–0,25 мкм. Що ж говорити про нанотрубки, нанотранзисторами і нанопровідники!
Теза четвертий: вирішальним умовою успіху вітчизняної мікроелектроніки стала і комплексність у підході до створення адекватної інфраструктури галузі, а саме організації спеціального матеріалознавства, машинобудування, аналітики, метрології. Історичний приклад: у числі трьох перших Зеленоградський мікроелектронних підприємств був НДІ точного машинобудування (1963 р.); першим спеціалізованим електронним вузом країни став Московський інститут електронного машинобудування (1962 р.); в 1978 році в електроніці був створений ряд регіональних фізико-хімічних центрів, оснащених унікальними вимірювальними та аналітичними приладами. Подібної комплексності в новій наноелектроніці немає. Зокрема, немає вітчизняного спеціального машинобудування, а орієнтація на імпорт прирікає нас, як мінімум, на п'ятирічне відставання в розвинених напрямах і на повну беззбройного в нових, проривних, областях (обмеження типу закону Веніка-Джексона будуть тільки посилюватися).
Теза п'ятий: досягнення всіх перерахованих видів комплексності стало можливим виключно завдяки націленості на військові застосування. Участь військового відомства в постановці, розробці та реалізації мікроелектронного проекту, методологічно єдиний наскрізний контроль виробництва матеріалів, мікросхем, апаратури, довгострокове фінансування проекту – все це не зміг би забезпечити жоден інший великий замовник, крім МО, нехай навіть і концерн типу «Алмаз-Антей». Сьогодні для нас це особливо принципово, тому що реального громадянського напівпровідникового ринку в країні немає. І найближчим часом його не буде, оскільки немає потреби. Ще більш важливо, що тільки оборонний проект в Росії може бути по-справжньому амбіційним, а без цього він нежиттєздатний, що розуміють як держуправлінців, так і громадськість [12, 13].
Центральне питання будь-якого проекту – розподіл фінансування. Президентське послання передбачає першочергове фінансування нанонауки як основи розвитку нової наноелектроніки. Це, безумовно, виправдано. Тільки від академічних-університетських учених можна очікувати перших реальних кроків. Як би рівнів, часом зарозуміло, не нагадували електронщики про свої пріоритети в приладовій сфері, історія свідчить про інше: перший площинний транзистор, перша сонячна батарея, перший гетеролазер у нас в країні були створені в ленінградському фізтеху. Перший тунельний діод, перший Мазер і напівпровідниковий лазер – у ФІАН, перші лінії затримки на поверхневих акустичних хвилях – в ІРЕ. У НДІ і ОКБ ці прилади прийшли з академічних лабораторій. Але це лише частина істини.
Справа в тому, що електронна промисловість завжди отримувала інформацію про приладових новинки по двох каналах: від академічно-вузівської науки і безпосередньо від Заходу (журнали, конференції, стажування, розвіддані та ін), причому другий канал домінував і домінує у все більшій мірі. Ідеалізованих схем – академія розробляє приладно-технологічні принципи, а НДІ впроваджують в промисловість – ніколи, за рідкісними винятками, не було. Електронне співтовариство, як таке собі неформальне позавідомче єдність вчених на професійній основі, в країні так і не сформувалося. Швидше навпаки – у 1950-і роки А.Ф. Йоффе, В.М. Тучкевич, Б.М. Вул – від академії, і А. І. Берг, М.П. Сажин, О.В. Красилів, С.Г. Калашников – від промисловості могли сидіти за одним столом і розуміти один одного. До 1970–1980-х років «академіки» і «отраслевікі» розійшлися по своїх квартирах. І це – принципово.
У великій літературі, яка лобіює нанопроект, «автоматично» передбачається, що «наука» – це РАН (див. наприклад [13]). Галузева ж наука, де і зосереджений технологічний потенціал країни, виводиться за дужки. При цьому всупереч очевидності стверджується, що Росія в області наукового доробку з нанотехнологій знаходиться приблизно на однакових стартових позиціях з передовими країнами світу.
Історія підказує: фінансовий потік наноелектронних проекту повинен потекти в два русла, причому «Прикладники» завжди і за все треба набагато більше, ніж «академікам». Розвиваючи переважно традиційну наноелектроніку, промислові НДІ тим самим неминуче будуть готувати та інфраструктуру (технології, метрику, аналітику, кадри та ін) для активного сприйняття приладових первістків нової наноелектроніки.
Номінальні керівники проекту фактично не сформулювали його мета, кажучи замість цього «давайте спочатку спробуємо» (Г.О. Греф) [12], або пускаючись у туманні міркування про те, що «матеріальна сфера буде повністю оцифровано, аналоговий світ застаріє» (А.А. Фурсенко) [13] і про «відновлення цілісної картини світу» (М.В. Ковальчук) [5], а також про натурфілософії часів Ньютона [13]. Яких результатів можна очікувати при цьому? Виросте індекс цитованості РАН, збільшиться представництво Росії в міжнародних організаціях з нанотехнологій, підвищиться «вартість» наших талановитих фізиків і хіміків, виїжджаючих на Захід. Добре, але замало, принаймні для тих, хто залишається. Доводиться ще раз згадати, що нанопроект націлений не на вивчення навколишнього середовища, а на створення нових реальностей. Шкода, якщо в результаті мегазатрати приведуть до нанорезультатам.
Похожие работы
... млрд. П'ята частина цієї суми доводиться на біотехнологічні фірми, стільки ж — на електронні, 18 % — на хімічну промисловість, по 8 % — на аерокосмічну індустрію і енергетику. Висновок На думку експертів, нанотехнології стануть рушійною силою наступної промислової революції, і змінюватимуть наш спосіб життя. Дослідження та розробки нанотехнологій знаходяться у стані підйому у гонитві за оригі ...
... дготовлений досить різнорідною групою американських політиків і експертів. Трагічні події 11 вересня 2001 р. стали потужним поштовхом для позитивної перебудови відносин між Росією й США. Вони переконливо показали уразливість навіть самої впливової сучасної держави. Боротьба з тероризмом стала одним з найважливіших принципів американської зовнішньої політики. Відкрилася ще одна сфера реальної взає ...
... ії застосовували для фарбування волосся в чорний колір. Група дослідників не тільки вивчила зразки волосся з давньоєгипетських поховань, але також у серії експериментів відтворила древню технологію фарбування. До цього вважалося, що єгиптяни використовували переважно натуральні рослинні барвники - хну і басму. Однак виявилося, що в чорний колір волосся фарбували пастою з вапна Ca(OH)2, оксиду ...
... та наноматеріали" на 2010-2014 роки фігурують у тому числі наступні: · утворення центру сертифікації наноматеріалів, наноструктур та приладів, у тому числі для забезпечення екологічної безпеки; · вивчення питання щодо впливу наноматеріалів на біологічні системи різного рівня організації; · розроблення нанобіотехнологій для захисту навколишнього природного середовища; · розроблення порядку ...
0 комментариев