Навигация
Схема із суспільним колектором (СК)
26288
знаков
0
таблиц
6
изображений
3.4 Схема із суспільним колектором (СК)
Схема з СК показана на мал. 9(в). Особливість цієї схеми в тому, що вхідна напруга повністю передається назад на вхід, тобто дуже сильний негативний зворотний зв'язок.
Вхідна напруга дорівнює сумі змінної напруги база-еміттер uб-э і вихідної напруги:
Коефіцієнт підсилення по струму каскаду СК визначається по формулі:
і має майже таке значення, як і в схемі з ЗЕ.
Відношення 
– є коефіцієнт підсилення по струму для схеми з СЕ.
Коефіцієнт підсилення по напрузі близький до одиниці, причому завжди менше її:
Коефіцієнт посилення по потужності 
Фазового зсуву між 
і 
немає, оскільки вихідна напруга збігається по фазі з вхідним і майже дорівнює йому. Дана схема включення транзистора називається емітерним повторювачем. Емітерним тому, що резистор навантаження включений в дріт емітера і вихідна напруга знімається з емітера (відносно корпусу).
Вхідний опір каскаду за схемою СК визначається по формулі:
Важливою перевагою даної схеми включення є високий вхідний опір.
4. h-параметри
Система h – параметрів набула широкого поширення, тому що при вимірі цих параметрів потрібне відтворення холостого ходу на вході (I_1=0) або короткого замикання на виході (U_2=0), що легко виконувати. У цій системі параметрів рівняння чотириполюсника записується у вигляді:
Всі h – параметри мають певний фізичний зміст:
– вхідний опір транзистора при короткозамкненому виході.
(
); 
– коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі при розімкнутому по змінному струмі вході.
(
); 
– коефіцієнт передачі струму при короткозамкненому виході ();
– вихідна провідність при розімкнутому по змінному струмі вході ().
Зазвичай h - параметри вимірюють при включеннях транзисторів з СБ або СЕ. Зв'язок між h - параметрами для різних схем включення визначається формулами:
;
/(1+
); 
;
-/(1+); 
;
;
Для найбільше часто використовуваних параметрів (коефіцієнт передачі струму при включенні із СБ і СЕ) уведені додаткові позначення: 
=-α; 
. Залежність між α і β визначається рівнянням β=α/(1-α). Тому що мало-сигнальні параметри вимірюють на низькій частоті (в основному 270 і 1000 Гц), їх можна вважати дійсними величинами.
H - параметри широко використовуються для аналізу транзисторних схем в режимі малого сигналу, оскільки дозволяють застосовувати готові формули теорії лінійних чотириполюсників.
5. Вплив температури на роботу біполярного транзистора
Вплив температури на роботу біполярного транзистора обумовлений трьома фізичними чинниками: зменшенням потенційних бар'єрів в переходах, збільшенням теплових струмів переходів і збільшенням коефіцієнтів передачі струмів із зростанням температури. Зменшення потенційного бар'єру j К із зростанням температури також, як і в ізольованому переході, наводить до посилення інжекції, внаслідок чого збільшується вхідний струм транзистора. Збільшення вхідного струму із зростанням температури еквівалентно зсуву характеристики у бік меншої вхідної напруги. Цей зсув описується температурним коефіцієнтом напруги
який складає для кремнієвих транзисторів e = - 3 мВ/град.
Збільшення теплових струмів переходів із зростанням температури, описується температурними залежностями струмів, що наводяться в довідниках Iкбо, Iебо.Типові залежності струмів Iкбо і Iебо від температури для кремнієвого малопотужного транзистора.
Похожие работы
... транзистора за рахунок зменшення топологічних розмірів емітерний областей транзистора і отримання високого відсотка виходу придатних. Для досягнення зазначеного технічного результату в способі виготовлення біполярного транзистора, що включає формування в кремнієвої підкладці першого типу провідності прихованих шарів другого типу провідності, осадження епітаксиальні шару другого типу провідності, ...
... Затвор Сток Область, обеднённая носителями Канал зарядов Канал а б Рис. 2. Зависимость профиля проходного сечения полевого транзистора с p – n переходом от напряжения смещения между затвором и истоком (а) и истоком и стоком (б)Напряжения смещения перехода приводит к ...
... тиристорами или симисторами, обеспечивая при этом гальваническую развязку цепей управления. Малое потребление цепи управления позволяет включать СИТАК к выходу микропроцессоров и микро-ЭВМ. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) выполнены как сочетание входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором (ПТИЗ) и выходного биполярного п-р-и-транзистора (БТ). ...
... -транзисторами. Зокрема вжливою перевагою польових транзисторів з керуючим р-n-переходом є малий рівень власних шумів і висока стабільність параметрів в часі. Причиною цих переваг є те, що канал в польових транзисторах з керуючим р-n-переходом відокремлений від поверхні р-n- переходом. На межі каналу й ОПЗ відсутні поверхневі дефекти, які зумовлюють як нестабільність параметрів, так і додаткові ...
0 комментариев