Навигация
Приборы полупроводниковые
Термины и определения
ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80)
Физические элементы полупроводниковых приборов
Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).
Электронно-дырочный переход (p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.
Электронно-электронный переход (n‑n+ переход, n‑n+‑Ubergang, N‑N+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Дырочно-дырочный переход (p‑p+ переход, p‑p+‑Ubergang, P‑P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.
Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.
Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.
Точечный переход (Punktubergang, Point-contact junction) – электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
Диффузионный переход (Diffundierter Ubergang, Diffused junction) – электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.
Планарный переход (Planarubergang, Planar junction) – диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversion junction) – электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.
Сплавной переход (Legierter Ubergang, Alloyed junction) – электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.
Микросплавной переход (Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction) – сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.
Выращенный переход (Gezogener Ubergang, Grown junction) – электричеcкий переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.
Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxial junction) – электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.
Гетерогенный переход (гетеропереход, Heteroubergang, Heterogenous junction) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
Гомогенный переход (гомопереход, Homogener Ubergang, Homogenous junction) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.
Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) – электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifying junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.
Омический переход (Ohmischer Ubergang, Ohmic junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.
Эмиттерный переход (Emitterubergang, Emitter junction) – электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора.
Коллекторный переход (Kollektorubergang, Collector junction) – электрический переход между базовой и коллекторной областями полупроводникового прибора.
Дырочная область (p‑область, Defektelektronengebiet, P‑region) – область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью.
Электронная область (n‑область, Elektronengebiet, N‑region) – область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью.
Область собственной электропроводности (i‑область, Eigenleitungsgebiet, Intrinsic region) – область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника.
Базовая область (База, Basisgebiet, Base region) – область полупроводникового прибора, в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда.
Эмиттерная область (Эмиттер, Emittergebiet, Emitter region) – область полупроводникового прибора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область.
Коллекторная область (Коллектор, Kollektorgebiet, Collector region) – область полупроводникового прибора, назначением которой является экстракция носителей из базовой области.
Активная часть базовой области биполярного транзистора (Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Active part of base region) – часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
Пассивная часть базовой области биполярного транзистора (Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Passive part of base region) – часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.
Проводящий канал (Kanal, Channel) – область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда.
Исток (Source, Sourse) – электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
Сток (Drain, Drain) – электрод полевого транзистора, через который из проводящего канала вытекают носители заряда.
Затвор (Gate, Gate) – электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал.
Структура полупроводникового прибора (Структура, Struktur eines Halbleiterbauelementes, Structure) – последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций.
Примечания: 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: p‑n; p‑n‑p; p‑i‑n; p‑n‑p‑n и др.
Похожие работы
... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...
... материалы, но наибольшее распространение получили оксиды металлов переходной группы Д. И. Менделеева [от титана (порядковый номер 22) до меди (порядковый номер 29)]. Основные требования, предъявляемые к полупроводниковым материалам таких термисторов, определяются необходимостью обеспечить широкий диапазон номинальных сопротивлений, различный температурный коэффициент сопротивления, малый разброс ...
ре, некоторые валентные электроны кристаллической решетки получают энергию, достаточную для разрыва ковалентной связи, т.е. для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие разрыва одной парноэлектронной связи образуются два носителя заряда: электрон и дырка. Электрон, как известно, является носителем элементарного отрицательного заряда. При разрыве парноэлектронной связи ...
... от структуры силикатных стёкол, и способно выдерживать умеренные концентрации катионов (например, натрий до 0,1%), не увеличивая электропроводимость. Боратное стекло отвечает требованиям герметизации полупроводниковых приборов: свободно от щелочных металлов, уплотняется (спаивается) при температуре до 800С, относительно инертно и водонепроницаемо, имеет регулируемые коэффициенты температурного ...
0 комментариев