2.2 Регулятор уровня

Регулятор уровня необходим, чтобы обеспечить заданный в техническом задании диапазон регулирования выходной величины, равный -40% от максимального значения. Выберем схему регулятора уровня, представленную на рис.4.

Рис. 4

Сопротивления резисторов R4 и R5 находятся в следующей зависимости:

. (2.8)

Из этого выражения находим R4 = 40 кОм, R5 = 60 кОм. Величина разделительной емкости C3 и резистора R6 находится из передаточной функции, которую они образуют:

. (2.9)

Таком образом минимальная частота  должна быть меньше или равна .

, (2.10)

Отсюда R6=200 кОм C3=1,5 мкФ. Коэффициент передачи регулятора уровня на заданном интервале частот равен единице.


3. Предварительный усилитель и усилитель мощности


Принципиальная схема изображена на рис.5

Рис.5

Схема состоит из предварительного усилителя, построенного на операционном усилителе, и оконечного каскада, являющегося усилителем мощности, охваченных цепью общей отрицательной обратной связи (ЦООС).

Напряжение на входе ПУ

 (3.1)

Коэффициент усиления схемы по напряжению равен:

 (3.2)

Распределим его следующим образом:

Пусть коэффициент усиления ПУ по напряжению равен:

 ;

коэффициент усиления УМ по напряжению равен

.

Сначала рассчитаем усилитель мощности.

УМ построен на транзисторах VT1-VT4,резисторах R6-R11 и диодах VD1, VD2.

 (3.9)

,где-остаточное напряжение на транзисторе.

Выбор транзисторов VT2, VT4.

 (3.10)

 - максимальный ток коллектора;

 (3.11)

 – максимальный ток нагрузки;

 – среднее значение тока нагрузки;

 - максимальная мощность;

 (3.12)

- максимальное напряжение коллектор - эмиттер.

В соответствии с рассчитанными параметрами выберем пару транзисторов КТ825В(p-n-p) и КТ824В(n-p-n).

Параметры транзисторов:

максимальное напряжение коллектор - эмиттер: 65 (В);

статический коэффициент передачи тока: ;

максимальная рассеиваемая мощность: ;

максимальный ток коллектора: ;

рабочие напряжение транзистора: ;

напряжение открывания транзистора: ;

ток утечки: ;

температура перехода tп=175 0С;

Так данные транзисторы являются мощными, то при работе в схеме они очень сильно нагреваются и могут сгореть от перегрева. Для нормальной работы этих элементов требуется устанавливать их на радиаторы. Рассчитаем площадь теплоотвода для данных транзисторов.

Подставив данные получим: S>7.5 см2, примем S=9 см2.

Произведем выбор резисторов R9 и R8 (на общей схеме – R10 и R13, соответственно) используя условия протекания тока утечки через резистор R6:

 >

 < ,

 (3.13)

 - рабочий ток базы транзисторов.

Тогда сопротивление R13 найдем по формуле:

 (3.14).

. R10 = R13 =900 (Ом).

Выберем сопротивления R13 и R10 из ряда Е24: R13 = R10 = 910(Ом.).

 (3.15)

 - мощность рассеиваемая на этих резисторах,

выберем РR13 = PR10 = 0.125 (Вт).

Выбор транзисторов VT1,VT3.

 (3.16)

Максимальный ток через транзистор VT1 равен:

 

.

 (3.17)

Максимальное напряжение на транзисторе VT1 равно:

.

 (3.18)

Мощность, рассеиваемая на транзисторе равна:

.

Выберем пару комплиментарных транзисторов КТ820Б(p-n-p) и КТ821Б(n-p-n). Параметры транзисторов:

напряжение коллектор эмиттер: ;

статический коэффициент передачи: ;

максимальная рассеваемая мощность: ;

максимальный ток коллектора: .

температура перехода t=125 0C.

Данные транзисторы также относятся к классу мощных и для них требуются теплоотводы. Рассчитаем площадь радиаторов аналогично предыдущему случаю и получим: S>138 см2, отсюда S=150 см2.

Выбор диодов VD1 и VD2.

Выбор диодов производится по среднему прямому току  и среднему обратному напряжению на диоде .

Рассчитаем ток диода:

 (3.19)

.


По выходной характеристике для транзистора VT1 задавшись током , найдем напряжение , получим =0.35(В). Тогда напряжение на диоде равно . Выберем диоды МД3:

среднее обратное напряжение диода: ;

средний прямой ток: .

Выбор резисторов R6, R7 ( на общей схеме – R9 и R12).

 (3.20)

- ток через резистор R8.

тогда

 (3.21)

тогда , причем , возьмем их из ряда Е-24.

 (3.22)

 - мощность, рассеиваемая на резисторах,

выберем .

Выбор резисторов R10,R11( на общей схеме – R14 и R11)

Выбор произведем из условий:

 и  (3.23)

получаем:  и

. (3.24)

тогда:,.

Выберем сопротивления R14,R11 из ряда Е24: R14=180 (Ом), R11=680 (Ом).

Найдем мощность рассеиваемую на резисторах:

 ,  (3.25)

 , .

выберем: ,.



Информация о работе «Усилитель низкой частоты»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 18628
Количество таблиц: 0
Количество изображений: 9

Похожие работы

Скачать
67228
0
3

... величин. Так, различаются верхняя и нижняя граничные частоты (fн, fL). Второй характеристикой комплексного коэффициента усиления является фазовый сдвиг (phase shift), вносимый усилителем. Зависимость фазового сдвига от частоты сигнала называется фазочастотной характеристикой усилителя или просто фазовой характеристикой. Поскольку такая зависимость всегда имеет место, это означает, что различные ...

Скачать
17843
4
2

... значение напряжения, В Тип элемента C1 42,8 39 25 K50 - 35 C2 4,8 4,7 25 K50 - 35 C3 4,8 4,7 25 K50 - 35 C4 1,9 1,8 25 K50 - 35 C5 186,6 180 25 K50 - 35 Заключение Целью курсового проекта являлось разработка, составление и расчёт схемы усилителя низкой частоты для переносной магнитолы. В ходе выполнения проекта была разработана схема электрическая структу

Скачать
23536
2
0

... называют видеоусилителями. Помимо своего основного назначения, эти усилители используются в устройствах автоматики и вычислительной техники. 2.1 Аналитический обзор Современные усилители низкой частоты выполняются преимущественно на биполярных и полевых транзисторах в дискретном или интегральном исполнении, причем усилители в микроисполнении отличаются от своих дискретных аналогов, ...

Скачать
11701
0
7

... ЭВМ с целью проверки принятых решений и уточнения полученных результатов Таким образом целью данного курсового проектирования является приобретение практических навыков конструирования электронных схем и опыта моделирования электронных схем на ЭВМ на примере разработки схемы усилителя низкой частоты с заданными в техническом задании параметрами. 1 Расчетная часть   1.1 Анализ технического ...

0 комментариев


Наверх