Характеристики ИМС и РЭ

2.2 Характеристики ИМС и РЭ

 

Характеристика интегральных микросхем:

Комплект ИС характеризуется автономностью и функциональной законченностью, унификацией их интерфейса, программируемостью микросхем, их логической и электрической совместимостью. Восьмиразрядная организация, фиксированный набор команд, большой выбор периферийных микросхем позволяет их использовать при создании различных средств вычислительной техники (устройств локальной автоматики, контроллеров измерительных приборов и периферийных устройств, микро ЭВМ для управления технологическими процессами и измерительными системами). ИС совместимы по входам с микросхемами серий ТЛЛ.

Таблица 1 - Размеры корпусов микросхем

Шифр размера	Число выводов	Dmax, мм	Emax, мм	A2max, мм	(L+A)max, мм	b, мм
2123.40-2	40	52	14,9	5	10	2,5
2121.28-5	28	37	14,9	5	10	2,5
2121.28-4	28	37	14,9	5	10	2,5
2140.20-2	20	27	7,4	5	10	2,5
238.16-2	16	22	7,4	5	10	2,5
201.14-1	14	19,5	7,4	5	10	2,5

Рисунок 1 - Размеры корпусов микросхем

Микросхема КР580ВМ80А

Микросхема представляет собой параллельное центральное 8-разрядное процессорное устройство с фиксированной системой команд. ИС имеет раздельный 16-разрядный канал адреса и 8-разрядный канал данных. Канал адреса обеспечивает прямую адресацию внешней памяти объемом до 65536 байт, 256 устройств ввода и 256 устройств вывода. 8-разрядное АЛУ МП обеспечивает выполнение арифметических и логических операций над двоичными данными, представленными в дополнительном коде, а также обработку двоично-десятичных упакованных чисел. Содержит 4750 интегральных элементов. Корпус типа 2123.40-2, масса не более 6г.

Рисунок 2 - Микросхема КР580ВМ80А

Таблица 2 - Назначение выводов ИМС КР580ВМ80А

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1, 25-27, 29-40	A10, A0-A2, A3-A9, A15, A12-A14, A11	канал адреса
2	GND	общий
3-10	D4-D7, D3-D0	канал данных
11	Uio	напряжение источника питания
12	SR	установка в исходное состояние
13	HLD	захват
14	INT	запрос прерывания
15, 22	C2, C1	тактовый сигнал
16	INTE	разрешения прерывания
17	RC	прием информации
18	TR	выдача информации
19	SYN	сигнал синхронизации
20	Ucc1	напряжение питания +5В±5%
21	HLDA	подтверждение захвата
23	RD	сигнал "готовности"
24	WI	сигнал "ожидания"
28	Ucc2	напряжение питания +12±5%

Таблица 3 - Электрические параметры ИМС КР580ВМ80А

Номинальное напряжение питания UN1	12В ± 5%
Номинальное напряжение питания UN2	5В ± 5%
Напряжение высокого уровня импульсов тактовых сигналов	9...13 В
Напряжение низкого уровня импульсов тактовых сигналов	-0,3...+0,8 В
Входное напряжение низкого уровня	≤0,8 В
Входное напряжение высокого уровня	≥3,3 В
Выходное напряжение высокого уровня	≥3,7 В
Выходное напряжение низкого уровня	≤0,45 В
Ток потребления от источника питания UN1	≤75 мА
Ток потребления от источника питания UN2	≤85 мА
Ток потребления от источника напряжения смещения подложки	≤1 мА
Ток утечки на входах тактовых импульсов	-10…+10 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при UBXN = 0,45 В	-100…+100 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при UBXN = 5,25 В	-10…+10 мкА
Ток утечки на входах	-10…+10 мкА
Входной ток по каналу данных в режиме "прием" при 0≤UBXN≤0,45 В	≤ |-0.1| мА
Входной ток по каналу данных в режиме "прием" при 0,45≤UBXN≤5,25 В	≤ |-2| мА
Период следования тактовых импульсов C1, С2	0,48...2 мкс
Длительность тактовых импульсов С1	≤ 60 нс
Длительность тактовых импульсов С2	≤ 220 нс
Время перехода сигналов С1, С2 из состояния низкого (высокого) уровня в состояние высокого (низкого) уровня	0…50 нс
Время задержки сигнала С2 (низкого уровня) относительно сигнала С1 (низкого уровня)	≥ 0 нс
Время задержки сигнала С1 относительно сигнала С2	≥ 80 нс
Время задержки сигнала С2 (высокого уровня) относительно сигнала С1 (низкого уровня)	≥70 нс
Время задержки распространения сигналов А15...А0 (низкого уровня) относительно сигнала С2 (высокого уровня)	≤200 нс
Время задержки распространения сигналов D7…D0 относительно сигнала С2 (высокого уровня)	≤220 нс
Время задержки распространения сигналов D7…D0 и А15...А0 (высокоимпедансное состояние) относительно сигнала С2 (высокого уровня)	≤120 нс
Время установления сигналов D7…D0 относительно сигнала С2	≤150 нс
Время установления сигналов D7…D0 относительно сигнала С1 во время действия сигнала "прием"	≥30 нс
Время задержки распространения сигналов ACKRQ относительно сигнала С1	≥120 нс
Время задержки распространения сигнала "синхронизация" относительно сигналов С1 и С2	≥120 нс
Время задержки распространения сигнала "прием" относительно сигнала С2	25…140 нс
Время установления сигнала "готовность" относительно сигнала С2	≥120 нс
Время задержки сигнала "прием" относительно сигналов D7...D0, А15...А0	≥ 0 нс
Время задержки распространения сигнала "ожидание"относительно сигнала С1	≥120 нс
Время установления сигнала "запрос прерывания" относительно сигнала С2	≥120 нс
Время сохранения сигнала "запрос захвата", "готовность", "запрос прерывания", относительно сигнала С2	≥ 0 нс
Время задержки распространения сигнала "подтверждение прерывания" относительно сигнала С2	≤ 200 нс
Время задержки распространения сигнала "выдача" относительно сигнала С1	≤140 нс
Время установления сигнала RQ относительно сигнала С2	≤ 140 нс

Микросхема КР580ВВ51A

Микросхема представляет собой программируемый последовательный интерфейс (универсальный синхронно - асинхронно приемопередатчик). ИС преобразует параллельный код, получаемый от центрального процессора в последовательный поток символов со служебными битами. Содержит 3500 интегральных элементов. Корпус типа 2121.28-5, масса не более 5 г.

Рисунок 3 - Микросхема КР580ВВ51A

Таблица 4 - Назначение выводов ИМС КР580ВВ51А

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1, 2, 5-8, 27, 28	D2, D3, D4-D7, D0, D1	канал данных
3	RxD	приемник микросхемы
4	GND	общий
9	TxC	синхронизация передачи
10	WR	запись информации
11	CS	выбор микросхемы
12	CO/D	управление/данные
13	RD	чтение информации
14	RxRDY	готовность приемника
15	TxRDY	готовность передатчика
16	SYNDET/BD	двунаправленный трехстабильный
17	CTS	готовность внешнего устройства принять данные
18	TxEND	конец передачи
19	TxD	передатчик микросхемы
20	C	синхронизация
21	SR	установка исходного состояния
22	DSR	готовность внешнего устройства передать данные
23	RTS	запрос приемника внешнего устройства на прием данных
24	DTR	запрос передатчика внешнего устройства на передачу данных
25	RxC	синхронизация приема
26	Ucc	напряжение питания +5В±5%

Таблица 5 - Электрические параметры ИМС КР580ВВ51А

Номинальное напряжение питания	5В ± 5%
Входное напряжение высокого уровня	≥ 2,5 В
Входное напряжение низкого уровня	≤ 0,4 В
Ток потребления	≤ 100 мА
Ток утечки на входах	≤ |-1| мкА
Выходной ток в состоянии "выключено"	≤ |-1| мкА
Период следования тактовых импульсов	200...500 нс
Длительность сигнала RD и WR	≥ 250 нс
Время сохранения сигналов D7…D0 относительно сигнала WR	≤ 50 нс
Время задержки сигналов D7…D0 относительно сигнала RD	≤ 250 нс

Таблица 6 - Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания	5,25 В
Максимальное напряжение на выводах высокого уровня	5,25 В
Максимальное напряжение на выводах низкого уровня	0,8 В
Максимальный выходной ток высокого уровня	|-0,4| мА
Максимальный выходной ток низкого уровня	2,2 мА
Максимальная емкость нагрузки	190 пФ
Температура окружающей среды	-10…+75 0С

Микросхема КР580ВВ55А

Микросхемы представляют собой программируемый параллельный интерфейс. Применяются в качестве элемента ввода/вывода общего назначения, сопрягающего различные типы периферийных устройств с магистралью данных систем обработки информации. Обмен информацией осуществляется через 8 - разрядный двунаправленный трехстабильный канал данных (D). Для связи с периферийными устройствами используются 24 линии ввода/вывода, сгруппированные в три 8-разрядных канала (ВА, ВВ, ВС), направление передачи информации и режим работы которых определяются программным способом. Содержат 1600 интегральных элементов. Корпус типа 2123.40 - 2, масса не более 6 г.

Рисунок 4 - Микросхема КР580ВВ55А

Таблица 7 - Назначение выводов ИМС КР580ВВ55A

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1, 6, 11, 12	X1-X6, X7, X8	входы X
8	Y	выход Y
7	GND	общий
14	Ucc	напряжение питания +5В±5%

Таблица 8 - Электрические параметры ИМС КР580ВВ55А

Номинальное напряжение питания	5В ± 10%
Выходное напряжение высокого уровня при A,B,C,D	≥ 2,4В
Выходное напряжении низкого уровня по каналам A,B,C,D	≤ 0,45В
Ток потребления	≤ 120 мА
Выходной ток в состоянии "выключено"	≤ 10 мкА
Ток утечки по управляющим входам	≤ |-10| мкА
Выходной ток высокого уровня по каналам В и С	-1…-4 мА
Время установления данных D7…D0 относительно сигнала RD	≤ 250 нс
Длительность сигнала RD	≥ 300 нс
Длительность сигнала WR	≥ 400 нс
Время установления адреса А1, А0 и сигнала СS относительно сигнала WR	0 нс
Время сохранения данных канала ВА, ВВ относительно сигнала WR	≤ 350 нс

Таблица 9 - Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания	5,25 В
Максимальное напряжение на вводах высокого уровня	5,25 В
Максимальное напряжение на выводах низкого уровня	0,8 В
Максимальный выходной ток высокого уровня	|-0,2| мА
Максимальный выходной ток низкого уровня	|-0,2| мА
Максимальная емкость нагрузки	190 пФ
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Микросхема КР580ВК28

Микросхема представляет собой системный контроллер и шинный формирователь. Применяются для формирования управляющих сигналов и как буферный регистр данных. Системный контроллер состоит из двунаправленной буферной схемы данных, регистра состояния и дешифратора управляющих сигналов, формирует управляющие сигналы по сигналам состояния микропроцессора и обеспечивает прием и передачу 8-разрядной информации между каналом данных микропроцессора по выводам D7...D0 и системным каналам по выводам DВ7...DВ0. Содержат 1141 интегральный элемент. Корпус типа 2121.28-4, масса не более 4 г.

Рисунок 5 - Микросхема КР580ВК28

Таблица 10 - Назначение выводов ИМС КР580ВК28

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1	STB	стробирующий сигнал 0 состояния
2	HLDA	подтверждение захвата
3	TR	выдача информации
4	RS	прием информации
5, 7, 11, 13, 16, 18, 20	DB0-DB7	канал данных
6, 8, 10, 12, 15, 17, 19, 21	D0-D7	канал данных
14	GND	общий
22	BUSEN	управление передачи данных и выдачей сигналов
23	INTA	подтверждение запроса
24	RD	чтение из ЗУ
25	RDIO	чтение из УВВ
26	WR	запись в ЗУ
27	WRIO	запись в УВВ
28	Ucc	напряжение питания +5В±5%

Таблица 11 - Электрические параметры ИМС КР580ВК28

Номинальное напряжение питания	5В ± 10%
Выходное напряжение низкого уровня по выводам 6, 8, 10, 12, 17, 19, 21 при Iвых = 2мА	≤ 0,45 В
Выходное напряжение низкого уровня по остальным выводам при Iвых = 10мА	≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 6, 8, 10, 12, 17, 19, 21 при Iвых = -10мкА	≥ 3,6 В
Выходное напряжение высокого уровня по остальным выводам при Iвых = -1 мкА	≥ 2,4 В
Прямое падение напряжения на антизвонном диоде	≤ |-1| В
Ток потребления	≤ 190 мА
Входной ток низкого уровня по выводу 1	≤ 500 мкА
Входной ток низкого уровня по выводам 15, 17, 6, 19, 8	≤ 250 мкА
Входной ток низкого уровня по выводам 12, 21	≤ 750 мкА
Входной ток низкого уровня по остальным входам	≤ 250 мкА
Входной ток высокого уровня по выводам 13, 16, 11, 9, 5, 20, 7	≤ 20 мкА
Входной ток высокого уровня по остальным входам	≤ 100 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при Uвых = 5,5 В	≤ 100 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" при Uвых = 0,45 В	≤ |-00| мкА
Ток короткого замыкания	-15…-90 мА
Ток подтверждения прерывания	≤ 5 мА
Время задержки распространения управляющего сигнала относительно сигнала строба	20...60 нс
Время задержки распространения управляющего сигнала относительно сигнала подтверждения захвата шин	≤ 25 нс
Время задержки распространения управляющего сигнала относительно сигнала разрешения входа данных	≤ 30 нс
Время задержки распространения сигналов управления относительно сигнала готовности режима записи	5...45 нс
Время задержки распространения сигнала системной шины относительно шины МП	5...40 нс
Время задержки распространения сигнала шины МП относительно сигнала системной шины	≤ 30 нс
Время задержки распространения сигнала системной шины относительно сигнала строба	≤ 30 нс
Время задержки распространения сигнала системной шины относительно сигнала управления системной шины	≤ 30 нс
Время установления сигнала шины МП относительно сигнала строба	≥ 8 нс
Время установления сигнала системной шины относительно сигнала подтверждения захвата шин	≥ 10 нс
Время сохранения сигнала шины МП относительно сигнала строба	≥ 8 нс
Время сохранения сигнала системной шины относительно сигнала подтверждения захвата шин	≥ 20 нс
Длительность импульса строба	≥ 25 нс
Входная емкость	≤ 12 пФ
Выходная емкость, входная/выходная при f =1 МГц	≤ 15 пФ
Время задержки распространения сигнала шины МП относительно сигнала разрешения ввода данных	≤ 45 нс

Таблица 12 - Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания	5,5 В
Напряжение на входах относительно земли	-0,5...+7 В
Максимальный выходной ток	100 мА
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Микросхема КР580 ГФ24

Микросхема представляет собой генератор тактовых импульсов. Предназначена для управления центральным МП (КР580ВМ80А) и осуществляет: сброс программы МП; запуск синхронизирующего триггера; формирование тактовых сигналов с несовпадающими фазами; формирование импульса строба - состояния. Содержит 526 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2, масса не более 2 г.

 

Рисунок 6 - Микросхема КР580 ГФ24

Таблица 13 - Назначение выводов ИМС КР580 ГФ24

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1	SR	установка в исходное состояние микропроцессора и системы
2	RESIN	установка 0
3	RDYIN	сигнал "готовность"
4	RDY	сигнал "готовность"
5	SYN	сигнал синхронизации
6	C	тактовый сигнал, синхронный с фазой С2
7	STB	стробирующий сигнал состояния
8	GND	общий
9	Ucc2	напряжение питания +12В±5%
10	C2	тактовые сигналы фаза С2
11	C1	тактовые сигналы фаза С1
12	OSC	тактовый сигнал опорной части
13	TANK	вывод для подключения колебательного контура
14, 15	XTAL1, XTAL2	выводы для подключения резонатора
16	Ucc1	напряжение питания +5В±5%

Таблица 14 - Электрические параметры ИМС КР580ГФ24

Номинальное напряжение питания UN1	5В ± 10%
Номинальное напряжение питания UN2	12В ± 10%
Выходное напряжение низкого уровня	≤ 0,45 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 10, 11	≥ 9,4 В
Выходное напряжение высокого уровня по выводам 1, 4	≥ 3,6 В
Выходное напряжение высокого уровня по остальным выводам	≥ 0,25 В
Напряжение гистерезиса по входу 2	≥ 0,25 В
Ток потребления от источника питания UN1	≤ 115 мА
Ток потребления от источника питания UN2	≤ 12 мА
Входной ток низкого уровня	≤ |-0,25| мА
Время задержки распространения тактового сигнала ТТЛ относительно тактового сигнала второй фазы	-5…+15нс
Время перехода тактового сигнала первой или второй фазы при выключении (включении)	≤ 25 нс
Максимальная частота генерации (fОП)	27 МГц
Период следования фаз	9/ fОП мкс
Входная емкость	≤ 8 пФ

Таблица 15 - Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания выходных каскадов МОП	12,6 В
Максимальное напряжение питания выходных каскадов ТТЛ	5,25 В
Минимальное напряжение питания выходных каскадов МОП	11,4 В
Минимальное напряжение питания выходных каскадов ТТЛ	4,75 В
Максимальное напряжение на выводах относительно вывода "корпус" низкого уровня	0,8 В
Максимальное напряжение на выводах относительно вывода "корпус" высокого уровня	5,25 В
Максимальный выходной ток высокого уровня по выводам 6, 7, 12	-1 мА
Максимальный выходной ток высокого уровня по выводам 1, 4, 10, 11	-0,1 мА
Максимальный выходной ток низкого уровня по выводам 6, 12	10 мА
Максимальный выходной ток низкого уровня по выводам 1, 4, 7, 10, 11	2,5 мА
Температура окружающей среды	-10…+70 0С

Микросхема КР580ИР82

Микросхема представляет собой 8-разрядный буферный регистр неинвертирующий (D-регистр "защелка" с тремя состояниями на выходе). Предназначена для ввода-вывода информации со стробированием в микропроцессорных системах, на ИС серии КР580. Может быть использована в качестве буферного регистра в вычислительных системах и устройствах дискретной автоматики. Состоит из 8 функциональных блоков (D -триггер и мощный выходной вентиль без инверсии) и схемы управления. Обладает повышенной нагрузочной способностью. В зависимости от состояния стробирующего сигнала может работать в режимах шинного формирователя или хранения. Содержит 520 интегральных элементов. Корпус типа 2140.20-2, масса не более 4 г.

Рисунок 7 - Микросхема КР580ИР82

Таблица 16 - Назначение выводов ИМС КР580ИР82

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1-8	D7-D0	информационная шина
9	OE	размещение передачи (управление 3 состоянием)
10	GND	общий
11	STB	стробирующий сигнал
12-19	Q7-Q0	информационная шина
20	Uсс	напряжение питания +5±5%

Таблица 17 - Электрические параметры ИМС КР580ИР82

Номинальное напряжение питания	5В ± 10%
Выходное напряжении низкого уровня при I0вых = 32 мА	≤ 0,45В
Выходное напряжение высокого уровняпри I1вых = -5 мА	≥ 2,4В
Прямое падение напряжения на антизвонном диоде при Iвх = -5 мА	≤ |-1| В
Ток потребления при Un= 5,25 В	≤ 160 мА
Входной ток низкого уровня	≤ |-0,2| мА
Входной ток высокого уровня	≤ 50 мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" низкого уровня	≤ |-50| мкА
Выходной ток в состоянии "выключено" высокого уровня	≤ 50 мкА
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно информационного сигнала на входе	≤ 30 нс
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно сигнала строба	≤45 нс
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно сигнала разрешения выхода при Сн = 300 пФ	10…30 нс
Время установления информационного сигнала на входе относительно сигнала строба	≥0 нс
Время сохранения информационного сигнала на входе относительно сигнала строба	≥ 25 нс
Длительность импульса сигнала строба	≥ 15 нс
Время перехода при выключении (включении)	≤ 20 (12) нс
Входная емкость	≤ 12 пФ

Таблица 18 - Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания	5,5 В
Минимальная длительность тактовых импульсов	15 нс
Максимальная длительность фронта и среза выходного импульса	200 нс
Температура окружающей среды	-10…+60 0С

Микросхема К555ИД7

Микросхема представляет собой двоичный дешифратор на восемь направлений. Содержит 203 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-2, масса не более 1,2 г.

Рисунок 8 - Микросхема К555ИД7

Таблица 19 - Назначение выводов ИМС К555ИД7

Вывод	Назначение	Функциональное назначение
1-3	D0- D2	вход D0-D2
4	CS2	вход разрешения V2
5	CS3	вход разрешения V3
6	CS1	вход разрешения V1
7	Q7	выход 7
9	Q6	выход 6
10	Q5	выход 5
11	Q4	выход 4
12	Q3	выход 3
13	Q2	выход 2
14	Q1	выход 1
15	Q0	выход 0
8	GND	общий
16	Ucc	напряжение питания

Таблица 20 - Электрические параметры ИМС К555ИД7

Номинальное напряжение питания	5В ± 5%
Выходное напряжении низкого уровня	≤ 0,48В
Выходное напряжение высокого уровня	≥ 2,9В
Ток потребления	≤ 9,7 мА
Входной ток низкого уровня	≤ |-0,34| мА
Входной ток высокого уровня	≤ 3 мкА
Потребляемая мощность	51 мВт
Время задержки распространения при включении по выводам от 4 до 15	≤ 18 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 1, 2, 3 до 15	≤ 20 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 1, 2, 3 до 7	≤ 27 нс
Время задержки распространения при включении по выводам от 6 до 7, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15	≤ 26 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 4 до 15	≤ 32 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 1, 2, 3 до 15	≤ 41 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 1, 2, 3 до 7	≤ 39 нс
Время задержки распространения при выключении по выводам от 6 до 7, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15	≤ 38 нс
Коэффициент разветвления по выходу	10

 

Микросхема К155ЛА2

Микросхема представляет собой логический элемент 8И-НЕ. Корпус К155ЛА2 типа 201.14-1, масса не более 1 г.

 

 

Рисунок 9 - Микросхема К155ЛА2

 

Таблица 21 - Назначение выводов ИМС К155ЛА2

Вывод	Функциональное назначение
1-6, 11, 12	входы X1-X8
7	общий
8	выход Y
14	напряжение питания

Таблица 22 - Электрические параметры ИМС К155ЛА2

Номинальное напряжение питания	5 В 5 %
Выходное напряжение низкого уровня	не более 0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня	не менее 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде	не менее -1,5 В
Входной ток низкого уровня	не более -1,6 мА
Входной ток высокого уровня	не более 0,04 мА
Входной пробивной ток	не более 1 мА
Ток короткого замыкания	-18...-55 мА
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения	не более 6 мА
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения	не более 2 мА
Потребляемая статическая мощность	не более 21 мВт
Время задержки распространения при включении	не более 15 нс
Время задержки распространения при выключении	не более 22 нс

Микросхема LM393

Микросхема сдвоенного микромощного компаратора напряжения, предназначенная для работы в широком диапазоне напряжений, как от однополярного, так и от двуполярного источника питания. ИС содержит: T стабилизатор токов смещения с цепью запуска; T два независимых компаратора с выходом типа "открытый коллектор".

Рисунок 10 - Микросхема LM393

Рисунок 11 - Электрические характеристики LM393

Рисунок 12 - Размеры LM393

Микросхема TLP 2630

Рисунок 13 - Микросхема TLP 2630

Рисунок 14 - Электрические характеристики TLP 2630

Рисунок 15 - Размеры TLP 2630

Микросхема ADM 485

Рисунок 16 - Микросхема ADM 485

Рисунок 17 - Электрические характеристики ADM 485

Рисунок 18 - Размеры ADM485

Характеристики резистивных элементов:

Конденсатор 4700 мкФ/16 В

 

Номинал 4700 мкФ. Напряжение 16 В. Температурный диапазон от -40 до +85°С. Диаметр 26мм, длина 28мм.

Рисунок 19 - Конденсатор 4700 мкФ

Конденсатор 4700 пФ

Конденсатор MKR 10. Номинал 4700 пФ, максимальное отклонение от номинала 20%. Напряжение 1600 В=/ 650 В~. Размер 5х11х13мм, расстояние между выводами 10мм. Температурный диапазон от -55 до +100°C.

Рисунок 20 - Конденсатор 4700 пФ

 

Кварцевый резонатор РК 308 N ТУ307-182-013.00 (высокочастотный)

РК 308 N - высокочастотный кварцевый резонатор. Обладая микроминиатюрным размером, эти резонаторы идеально подходят для применения в МП и портативной аппаратуре, средствах связи и вычислительных устройствах.

Возможности:

- ударная и вибрационная прочность

- микроминиатюрный размер

- индустриальный диапазон рабочих температур

- высокая стабильность

- характеристики АТ-среза

- низкая стоимость

Рисунок 21 - Электрические и эксплуатационные характеристики РК 308 N

Рисунок 22 - Размеры РК 308 N

Кнопка MC 10311 00

Тактильные эффекты увеличены благодаря применению полусферической силиконовой мембраны.

-Усилие нажатия: 4.2 N

-Можно устанавливать под пленку без колпачка

Версия с позолоченными контактами, может использоваться при высоких температурах до + 125 ^оС

Рисунок 23 - Кнопка MC 10311 00

Рисунок 24 - Размеры кнопки MC 10311 00

Диод КД 226 Г

Наимен.	Uобр.,В	Iпр. max, A	Iобр.max, мкА	Fdmax, кГц	Тип корпуса
КД226А	100	2	10	50
КД226Б	200	2	10	50
КД226В	400	2	10	50
КД226Г	600	2	10	50
КД226Д	800	2	10	50
КД226Е	600	2	10	50

Рисунок 25 - Характеристики диода КД 226 Г

Диод КД 527 Г

Наимен.	Uобр.,В	Iпр. max, A	Iобр.max, мкА	Fdmax, кГц	Тип корпуса
КД527А	200	3	2	50
КД527Б	400	3	2	50
КД527В	600	3	2	50
КД527Г	800	3	2	50
КД527Д	1000	3	2	50

Рисунок 26 - Характеристики диода КД 226 Г