Навигация
5.3. Выбор оперативной памяти
Элементы памяти составляют основу внутреннего функционирования любой вычислительной системы, так как с их помощью данные хранятся и могут быть вновь прочитаны при дальнейшей обработке. Чтобы CPU мог выполнять программы, они должны быть загружены в оперативную рабочую память ( под рабочей памятью мы понимаем память, доступную для программ пользователя). CPU имеет непосредственный доступ к данным, находящимся в оперативной памяти (Random Access Memory, RAM – память с произвольным доступом), с другой же – «периферийной», или внешней , памятью ( гибкими и жесткими дисками ) процессор работает через буфер, являющийся разновидностью оперативной памяти, недоступной пользователю. Только после того, как программное обеспечение будет считано в RAM с внешнего носителя данных, возможна дальнейшая работа системы в целом.
Оперативная память, или как еще называют ее техническую реализацию – оперативное запоминающее устройство (ОЗУ, RAM), представляет собой самую быструю запоминающую среду компьютера. Принципиально имеет значение то, что информация может быть как записана в нее, так и считана.
Оперативная память имеет свои достоинства и недостатки:
Благодаря малому времени доступа к памяти скорость обработки данных существенно возрастает. Если бы информация считывалась ( соответственно записывалась ) только с внешних носителей, то пользователь проводил бы в ожидании завершения выполнения той или иной операции много времени.
Недостатком оперативной памяти является то, что она является временной памятью. При отключении питаня оперативная память полностью «очищается», и все данные, не записанные на внешний носитель, будут навсегда потеряны.
Оперативная память принадлежит к категории динамической памяти, т.е. ее содержимое во время эксплуатации должно «освежаться» через определенные интервалы времени. Не будем углубляться в принципы работы оперативной памяти. Отметим лишь, что время доступа к блоку RAM определяется в первую очередь временем чтения ( разряда конденсатора ) и регенерации (заряд конденсатора). Оно измеряется в наносекундах. Его величина будет сказываться на быстродействии системы. В связи с этим в РС на базе CPU 80486 или Pentium должны устанавливаться элементы памяти со временем доступа 70 нс и менее.
Исходя из того, что в системных платах описаных выше применяются модули SIMM и DIMM, ограничимся их сравнением. В современных материнских платах с процессором 80486 и Pentium используются SIMM – модули, так как по своей организации и конструкции они являются наиболее эффективным средством обеспечения RAM для программных продуктов, требующих для своей работы все большие и большие объемы памяти. Кроме того, они достаточно надежны и занимают мало места. Когда речь идет о SIMM – модуле, имеют ввиду плату, которая по своим размерам примерно соответствует SIP –модулю. Но в отличие от SIP – модуля выводы для SIMM-модуля заменены так называемыми контактами типа PAD (вилка). Эти контакты выполнены печатным способом и находятся на одном краю платы. Благодаря такой конструкции SIMM-модулей существенно повышается надежность электрического контакта в разъеме и механическая прочность модуля в целом, тем более что все контакты изготовлены из высококачественного материала и позолочены. SIMM-модули являются стандартом в современных вычислительных системах. Они оборудованы микросхемами памяти общей емкостью 8, 16, 32Мб и более. В ЗС с CPU 80386 и ранних моделях с CPU 80486 использовались 30-контактные SIMM-модули памяти ( DRAM ) и число слотов на материнской плате колебалось от 4 до 8. В настоящее время найти в продаже подобные модули весьма не просто. В более поздних моделях РС с CPU 80486 и Pentium стали использоваться 72-контактные SIMM-модули памяти (FPM DRAM). 30- и 72- контактные SIMM имеют ширину шины 8 и 32 бит соответственно.
При изготовлении SIMM-модулей применяются следующие технологии:
FPM DRAM (Fast Page Mode)- реализуют страничный режим. Это очень старая схема оптимизации работы памяти и наиболее медленная из реально применяемых. Но и самая дешевая.
EDO RAM (Extended Data Output) – разновидность асинхронной DRAM с расширенным вводом данных. Память типа EDO рекламировалась как значительно более быстрая по сравнению с FPM, однако реально это преимущество не так очевидно из-за применения на материнской плате быстродействующего кэша второго уровня.
DIMM (Dual In-Line Memory Module) – наиболее современная разновидность форм-фактора модулей памяти. Отличается от SIMM тем, что контакты с двух сторон модуля независимы (dual), что позволяет увеличить соотношение ширины шины к геометрическим размерам модуля. Наиболее распространены 168-контактные DIMM (ширина шины 64 бит). При изготовлении этих мдулей применяют технологию SDRAM.
SDRAM (Sychronous DRAM) – это более новая технология микросхем динамической памяти. Основное отличие данного типа памяти заключается в том , что все операции в микросхемах памяти синхронизированы с тактовой частотой CPU, т.е. память и CPU работают синхронно. SDRAM позволяет сократить время, затрачиваемое на выполнение команд и передачу данных, за счет исключения циклов ожидания. Применение SDRAM дает выигрыш в производительности по сравнению с EDO со временем доступа 60ns, однако вовсе не шестикратный, как можно подумать, глядя на маркировку. В частности, при частоте системной шины 66 МГц на чипсете 430ТХ (VX не оптимально использует SDRAM) память EDO 60ns позволяет организовать последовательный доступ по схеме 5-2-2-2, а SDRAM с маркировкой 10ns – по схеме 5-1-1-1, что дает выигрыш порядка 30%. (в действительности выигрыш заметно меньше, поскольку доступ к памяти далеко не всегда последовательный, и намного большее значение имеет кэш) Однако при увеличении частоты системной шины вплоть до 100МГц SDRAM 10ns будет по прежнему в состоянии поддерживать схему 5-1-1-1, а EDO 60ns будет либо неработоспособно вообще, либо будет работать по значительно худшей схеме. Характеристики перечисленных типов памяти приведены в таблице 5.3.1.
Таблица 5.3.1.
Основные параметры рассмотренных типов памяти
| Параметры | Типы памяти | ||
| FPM | EDO | SDRAM | |
| Время доступа (ns) | 50,60,70 | 50,60,70 | 50,60,70 |
| Время цикла (ns) | 30,35,40 | 20,25,30 | 10,12,15 |
| Мах. Скорость (МГц) | 33,28,25 | 50,40,33 | 100,80,66 |
Проанализировав эту информацию, не трудно сделать правильный выбор необходимых нам модулей памяти. Установим на плату с чипсетом 430ТХ модуль DIMM 16Mb SDRAM, а для чипсета VPX – SIMM 16Mb EDO. Стоимость их одинакова.
Похожие работы
... ./ “_____”_________2009р. Виконавець Студент групи x /xxxxxx./ “_____”____________2009р. Харків 2009 ЗАТВЕРДЖЕНО xxx.03077-01 12 01-1-ЛЗ ВІРТУАЛЬНИЙ ВИМІРЮВАЛЬНИЙ КОМПЛЕКС НА БАЗІ УЧБОВОГО ЛАБОРАТОРНОГО СТЕНДУ EV8031 Текст програми xxxxx.03077-01 12 01-1 Аркушів _48_ Харків 2009 ЗМІСТ 1 ТЕКСТ ПРОГРАМНОГО ЗАБЕСПЕЧЕННЯ ...
... решение задачи исследования функций с использованием перечисленных видов неавтоматизированных СИ затруднено. Параллельно с развитием измерительной техники шло интенсивное развитие других важнейших составляющих современного технического прогресса — информационных технологий [19, 38 и др.], являющихся основой автоматизации управления и производства. Информационная технология — совокупность методов ...
... хранение больших массивов измерительной информации. Следствием этого является схожесть структур, обязательное использование ЭВМ и соответствующего ПМО. Заключение В работе рассмотрены примеры измерительных информационных систем для исследования объектов различной физической природы. Литература 1. Автоматизация физических исследований и эксперимента: компьютерные измерения и виртуальные ...
... . В итоге стоимость разработки и изготовления базирующего устройства может доходить до половины стоимости всей ИИС. Заключение В контрольной работе мы рассмотрели структуру и технические средства ИИС, принципы выбора ЭВМ и базирующих устройств. В работе основное внимание уделяется вопросам, общим для ИИС различного назначения: структуре ИИС и системы связи, элементной базе ИК, алгоритмам ...
0 комментариев