4. Графическая часть

4.1 Схема

Условное графическое обозначение

Таблица назначения выводов

Номер вывода Обозначение Назначение
01 J1 Вход управления J триггера Т1
02 Выход инверсный триггера Т1
03 Q1 Выход прямой триггера Т1
04 K1 Вход управляющий К триггера Т1
05 Q2 Выход прямой триггера Т2
06 Выход инверсный триггера Т2
07 0V Общий вывод

13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Лит
 
Масштаб
 
Масса
 
КР1533ТВ6
 
Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. . .

Проверил .

Лист Листов


УКСИВТ, 3А-1

 


09 C2 Вход тактовый
10 Вход установки нуля триггера Т1
11 K2 Вход управляющий К триггера Т2
12 C1 Вход тактовый
13 Вход установки нуля триггера Т2
14 U Вывод питания от источника питания
Расположение выводов

 


13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Лит
 
Масштаб
 
Масса
 
КР1533ТВ6
 
Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. .

Проверил .

Лист Листов


УКСИВТ, 3А-1


Функциональная схема

4.2 Общий вид

Таблица истинности

Входы Выход
C J K Q
0 X X X 0 1
1 1/0 0 1 0 1
1 1/0 1 1 СЧЕТНЫЙ РЕЖИМ
1 1/0 0 0

Q0

1 1/0 1 0 1 0
1 1 X X

Q0

 

Динамические параметры

Обозна­чение

Наименование параметра Норма Единица измере­ния Режим измерения
не менее не более

tpLH

Время задержки распространения сигнала при выключении 20 НС

исс=5,ОЕ+10%

rL=o,5кom

t=2nc
tpHL Время задержки распространения сигнала при включении 15 НС

Urr=5,OB+-10% RL=0.5кОм СL=50пФ t=2Hc


13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Лит
 
Масштаб
 
Масса
 
КР1533ТВ6
 
Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. . .

Проверил .

Лист Листов


УКСИВТ, 3А-1


Статические параметры

Обозна­чение Наименование параметра Норма Единица Режим измерения
не менее не более измерения

Uoh

Выходное напряжение высокого уровня

UCC-2

В

Ucc=4,5В Uih~2,OB UIL=0,8В 1лн=-0,4мА IOL=-0.4MA

uol

Выходное напряжение низкого уровня 0,4 0,5 В В

Ucc=4,58 UIH=2,OB UIL=0,8В

IOL=4MA IOL=8мА

IIH

Входной ток высокого уровня - по выводам 01,04, 03. 11 - по выводам 09, 10, 12, 13 20 40 мкА

UCC=5,5B UIH=2,7B

iil

Входной ток низкого уоовня - по выводам 01, 04, С 3,11 - по выводам 09, 10, 12, 13 |-0,2| |-0,4| мА

UCC=5,5B UTL=0.4B

Io

Выходной ток I-30I |-112| мА

UCC=5,5B U0=2.25B

ucdi

Прямое падение напряжения на антизвонном диоде 1-1,51 В

Uгр=4,53, IL=-18мА

Ucc

Ток потребления 4,5 мА

UCC=5,5B


13 777-Ч-2001 2202 КП-ГЧ

Лит
 
Масштаб
 
Масса
 
КР1533ТВ6
 
Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. .

Проверил .

Лист Листов


УКСИВТ, 3А-1


Функциональный ряд ИС ТТЛ КР1533ТВ*

Назначение, функциональные возможности

Тип

133, Н133, КМ133

134, К134, КР134

155, К155, КМ155

199

530, М530, Н530, КМ530

К531, КМ531, КР531

533, Н533

555, К555, КМ555

К599

КР1531

1533, КР1533

JК - триггер с логикой ЗИ на входе ТВ1 + + +
Два JK-триггера со сбросом ТВ6 + +
Два JK-триггера с установкой «О» и «1» ТВ9 + + + +
Два JK-триггера с установкой «1» ТВ10 + +
Два JK-триггера с установкой «1» и общей установкой нуля и синхронизацией ТВ11 + +
Два JK-триггера ТВ14 +
ТВ 15 + + +

 13 777-Ч-2001 2202 КП-ПЗ

Лит
 
Масштаб
 
Масса
 
КР1533ТВ6
 
Изм Лист №Документа Подпись Дата .

Разраб. . .

Проверил .

Лист Листов


УКСИВТ, 3А-1

5. Технология изготовления

Особенностью полупроводниковых ИМС является то, что все элементы изготавливают одновременно в едином технологическом цикле, отдельные операции которого (окис­ление и травление, диффузия, эпитаксия) выполняются в одной и той же среде.

При создании активных и пассивных элементов современных ИМС используют следующие основные технологические операции: окисление, травление, литографию, диффузию, ионное легирование, эпитаксию, напыление и нанесение пленок.

Окисление. Кремниевую пластину нагревают до 800 —1200 °С и подвергают воздействию кислорода или насыщенных водяных па­ров. В такой окислительной среде атомы на поверхности пластины взаимодействуют с кислородом и образуют тонкий диэлектрический слой. На начальных этапах изготовления ИМС слой толщи­ной 1—3 мкм используют как маску для проведения избирательной диффузии на участках пластины, не покрытых этим слоем. При помощи это­го слоя предотвращается диффузия примесей в полупроводник, находящийся под слоем, так как коэффициент диффузии примесей в двуоки­си кремния значительно меньше, чем в полупроводнике. Диэлектриче­скую пленку используют также в качестве диэлектрика для затвора МДП-транзисторов. На последнем этапе изготовления ИМС диэлектрический слой применяют для пассивации кристалла: этот слой, покрывая всю поверхность кристалла, предохраняет ИМС от воздействия окружающей среды.

Более современным является анодное окисление кремния, позво­ляющее формировать диэлектрическую пленку на поверхности крем­ния почти любой толщины путем выбора режима анодного окисления. В отличие от термического окисления это низкотемпературный про­цесс, который избавляет от нескольких высокотемпературных обрабо­ток, связанных с выполнением термического окисления при формирований масок.

Травление проводится в плавиковой кислоте, в которой этот слой рас­творяется. На тех участках пластины, на которых необходимо прово­дить диффузию, в слое при. помощи плавиковой кислоты вытравливают окна требуемых размеров.

Литография. Окна на поверхности пластины, используемые для проведения диффузии, наносятся фотолитографическим методом. При этом поверх слоя; на пластину наносят фоторезистор, представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала. Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной ма­ски, на которой имеется рисунок, состоящий из прозрачных и непроз­рачных областей. Через маску фоторезистор подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявите­ля на облученных участках фоторезистор не проявляется. Таким образом, на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигура­ции и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя фоторезистор не растворяется, по­этому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспони­рованным фоторезистором. Через эти окна и проводится, диф­фузия.

Фотолитография позволяет создавать рисунки с размерами элементов не менее- 2 мкм. Этим размером ограничивается плотность компоновки элементов на пластинах.

Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография. При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.'

Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и n-слоев, образующих эмиттер, базу, кол­лектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р-n-переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регули­руют путем изменения режима диффузии (температуры и продолжи­тельности диффузии).

Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80—300 кэВ, а затем их напра­вляют на подложку, защищая при помощи маски те участки, которые не должны подвергаться легированию. Введение примесей в широком диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля дозировок примесей позволяют изменять параметры элемен­тов в требуемых пределах. Поэтому вместо диффузии все больше при­меняют ионное легирование, хотя ее внедрение связано с переоснаще­нием производства ИМС дорогостоящим оборудованием.

В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на подложке создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу проводника, а в некоторых случаях – и полупроводника другого вида, с иной шириной запрещенной зоны. В частности, это необходимо для расширения функциональных возможностей схем, улучшения их параметров путем, например, формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости (скрытых слоев).

Термин «эпитаксия», впервые предложенный Руайе, отражает в настоящее время процесс ориентированного нарастания, в результате которого образующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы – подложки с образованием некоторого переходного слоя, способствующего когерентному срастанию двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки атомов. По окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с образованием слоя требуемой толщины.

Эпитаксиальный слой (ЭС) – это монокристаллический слой новой фазы, выросший в результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и ориентирован строго определенным образом относительно кристаллографической плоскости, выходящей на ее поверхность.

Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии,- это кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации:

 

Механизм пар – кристалл (П - К), когда образование твердой фазы происходит из парообразного или газообразного состояния вещества;

Механизм пар – жидкость – кристалл (П – Ж - К), когда образование твердой фазы из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния. Примером может служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры, превышающей температуру плавления Ge;

Механизм твердое тело – кристалл (Т - К), когда выращивание эпитаксиального слоя производится из электролитов или расплавов.

Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремние­вой пластины полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью. Такой слой толщиной несколько микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 °С подложкой потока газа, содержащего несколь­ко соединений, которые, вступая в химическую реакцию, разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиального слоя с n- или р-проводимостью на поверхности пластины.

Напыление и нанесение пленок. Элементы полупроводни

ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка, по­лученного путем напыления металлической пленки. Для этого после вытравления с помощью фотолитографии окон под контакты в вакуу­ме напыляется алюминиевая пленка на всю поверхность пластины. Пу­тем напыления формируют также металлизированные площадки, к ко­торым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы микросхемы и тонкие проволочки, соединяющие бескорпусные транзи­сторы в гибридных ИМС. В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы, представляющие собой зо­лотые удлиненные выступы. Во время сборки гибридной ИМС ба­лочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к ним, нагревая до температуры, при которой образует­ся эвтектический спай. Наконец путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких пленок.

Используемая литература


Справочник «Логические ИС. КР1533, КР1554. Часть 2.». - БИНОМ, 1993г. В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. - «Металлургия», 1988г. «Интегральные микросхемы и основы их проектирования».

Н.М. Николаев, Н.А. Филинюк.

«Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы». Справочник. «Логические интегральные схемы КР1533, КР1554». Справочник. «Конструирование и технология микросхем». «Проектирование дискретных устройств на интегральных  микросхемах». Справочник. Г.И. Пухальский, Т.Я. Новосельцева.
Информация о работе «Интегральная микросхема КР1533ТВ6»
Раздел: Радиоэлектроника
Количество знаков с пробелами: 31529
Количество таблиц: 20
Количество изображений: 0

0 комментариев


Наверх