Министерство образования Российской Федерации
Новгородский Государственный Университет
имени Ярослава Мудрого
Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники
СИНТЕЗ ЛОГИЧЕСКОЙ СХЕМЫ ТТЛШ
Комплексное задание
по практическим занятиям и лабораторным работам
по дисциплине: «Проектирование и конструирование
полупроводниковых приборов и ИМС»
Выполнил:
студент группы 8033у
__________ А.А. Шишков
Проверил:
к.т.н., доцент кафедры ФТТМ
______________ М.Н. Петров
2000
Синтез принципиальной электрической схемы.
Исходя из технический параметров ИМС приведенных в ТЗ реализуем логическую функцию F=X1+X2X3 на основе логической схемы ТТЛШ (на логическом базисе 2И-НЕ).
Рисунок 1 – Схема логической функции в базисе 2И-НЕ
Таблица 1 – Таблица истинности логической функции
| Х1 | Х2 | Х3 | F |
| 0 | 0 | 0 | 0 |
| 0 | 0 | 1 | 0 |
| 0 | 1 | 0 | 0 |
| 0 | 1 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 0 | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 1 | 1 |
Рисунок 2 – Принципиальная электрическая схема логического базиса 2И-НЕ
Программа расчета блока логического базиса 2И-НЕ на языке программы PSpice.
* Комплексная работа по предмету ПИММС
*Студент группы 8033у
R1 3 12 20k
R2 4 12 8k
R3 5 6 1.5k
R4 7 5 3k
R5 11 10 4k
R6 12 8 120
R7 10 0 1E+9
D1 0 2 D_SH
D2 0 1 D_SH
D3 3 1 D_SH
D4 3 2 D_SH
D5 3 4 D_SH
D6 9 4 D_SH
D7 4 8 D_SH
D8 5 10 D_SH
D9 6 7 D_SH
Q1 4 3 5 Tran
Q2 7 6 0 Tran
Q3 9 4 11 Tran
Q4 8 9 10 Tran
Q5 10 5 0 Tran
.model Tran npn ()
.model D_SH D(IS=1E-11 TT=0)
VIN1 1 0 pulse(0 5 0.01us 0 0 0.03us 0.2us)
VIN2 2 0 5
VCC 11 0 5
.DC vin1 0 5 0.01
.tran 0.001us 0.07us
.probe
.END
Рисунок 3 - Определение пороговых напряжений
Из графика видно, что U0пор=0,798 В и U1пор=1,08 В.
Рисунок 4 - Передаточная характеристика базового логического элемента 2И-НЕ
Рисунок 5 - ВАХ на входе логического элемента
Найдены значения I0=0.22 мА и I1=0.026 мкА.
Рисунок 6- Мощность потребляемая логическим элементом
Из графика видно, что Р0=3.45 мВт и Р1=1.12 мВт.
Отсюда находим среднюю мощность:
Рср=( Р0+ Р1)/2=(3.45+1.12)/2=2.285 мВт
Из рисунка 7 находим t10=3.39 нсек и t01=3.44 нсек.
Находим общее время задержки:
tз=( t10+ t01)/2=(3.39+3.44)/2=3.415 нсек
Рисунок 7 – Временные характеристики логического элемента
Похожие работы
... состояний триггеров. Рис.3.5. Карта Карно, описывающая зависимость состояния входа D4 от состояний триггеров. Рис.3.6. Схема последовательностной части цифрового управляющего устройства Рис.3.7. 3.1.4 Синтез комбинационной части цифрового управляющего устройства 3.1.4.1Определение зависимости выходных сигналов цифрового управляющего устройства от входных сигналов и внутренних ...
... показана на рисунке 8.4 Величина резистора R выбирается из условия [12] 240 Ом < R < 1,5 кОм.(8.5) Рисунок 8.4 Период генерируемых импульсов (8.6) 9. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА КОМПЬЮТЕРНОЙ (ЦИФРОВОЙ) ЭЛЕКТРОНИКИ 9.1 Комбинационные цифровые устройства (КЦУ) Логические устройства, выходные сигналы которых однозначно определяются комбинацией входных логических ...
... Основная память доступна в любом режиме. В реальном режиме доступна только основная память (convenctention memory ). Этот 1МБ делится на следующие составные части: - верхние 384кБ – для вычислительной системы (A0000…FFFF). - Нижние 640кБ – для программ пользователя (00000…9FFFF). Виды адресного пространства: 1.Основная память – 1МБ (00000…FFFFF) 2. Область верхней памяти = 384кБ ...
... правило, выполняется в виде одной «большой» ИМС. Схемотехника является частью микроэлектроники, предметом которой являются методы построения устройств различного назначения на микросхемах широкого применения. Предметом же цифровой схемотехники являются методы построения (проектирования) устройств только на цифровых ИМС. Особенностью цифровой схемотехники является широкое применение для описания ...
0 комментариев