3.3 Расчёт выходного каскада
3.3.1 Выбор рабочей точки
Для расчёта рабочей точки следует найти исходный параметр Uвых, который определяется по формулам:
(3.3.1)
(3.3.2)
Так как выходное напряжение имеет большую величину между нагрузкой и выходным транзистором необходимо установить трансформатор импедансов на длинных линиях с коэффициентом трансформации 1/9 [1]. Тогда исходные параметры примут следующие значения :
(3.3.3)
При дальнейшем расчете, нужно выбрать по какой схеме будет выполнен каскад: с дроссельной или резистивной нагрузкой. Рассмотрим обе схемы и выберем ту, которую наиболее целесообразно применить.
А) Расчёт каскада с резистивной нагрузкой:
Схема резистивного каскада по переменному току представлена на рисунке 3.3.1
Рисунок 3.3.1 Схема каскада с резистивной нагрузкой по переменному току
Так как нагрузкой каскада по переменному току является резистор, включенный в цепь коллектора - Rк и Rн, при чём Rк выбирается равный Rн, то эквивалентное сопротивление – Rэкв, на которое работает транзистор, будет равным Rн/2. Тогда:
=3.25 (А) (3.3.4)
(3.3.5)
(3.3.6)
где – остаточное напряжение на коллекторе и равно 2 В, тогда:
Напряжение питания выбирается равным плюс напряжение которое падает на :
Построим нагрузочные прямые по постоянному и переменному току. Они приведены на рисунке 3.3.2.
I, А
8.2
5.5
R~
3.6
R_
15 30 50 U, В
Рисунок 3.3.2. Нагрузочные прямые по постоянному и переменному току.
Произведём рассчёт мощностей: потребляемой и рассеиваемой на коллекторе, используя следующие формулы:
(3.3.7)
(3.3.8)
Б) Расчёт дроссельного каскада:
Схема дроссельного каскада по переменному току представлена на рисунке 3.3.3.
Рисунок 3.3.3. Схема дросельного каскада.
В дроссельном каскаде нагрузкой по переменному току является непосредственно нагрузочное сопртивление Rн.:
Подставляя полученные значения в формулы (3.3.4)-(3.3.6), получим:
Построим нагрузочные прямые по постоянному и переменному току. Они представлены на рисунке 3.3.4.
I, А
R_
R~
1.8
15 28 U, В
Рисунок 3.3.4 – Нагрузочные прямые по постоянному и переменному току.
Произведём расчёт мощности по формулам (3.3.7), (3.3.8) :
Анализируя полученные результаты можно прийти к выводу, что целесообразней использовать дроссельный каскад, так как значительно снижаются потребляемая мощность и величина питающего напряжения.
3.3.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется с учётом следующих предельных параметров[2]:
1. граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
;
2. предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер
;
3. предельно допустимого тока коллектора
;
4. предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе
.
Этим требованиям полностью соответствует транзистор КТ930Б. Его основные технические характеристики взяты из справочника [3] и приведены ниже.
Электрические параметры:
1. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц;
2. Постоянная времени цепи обратной связи при В пс;
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
4. Ёмкость коллекторного перехода при В пФ;
5. Индуктивность вывода базы нГн;
6. Индуктивность вывода эмиттера нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер В;
2. Постоянный ток коллектора А;
3. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Вт;
3.3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора
Существует много разных моделей транзистора. В данной работе произведён расчёт моделей: схемы Джиаколетто и однонаправленной модели на ВЧ.
А) Расчёт схемы Джиакалетто:
Схема Джиакалетто представлена на рисунке 3.3.5.
Рисунок 3.3.5 Схема Джиакалетто.
Найдем при помощи постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода по формуле:
(3.3.9)
При чём и доложны быть измерены при одном напряжении Uкэ. А так как справочные данные приведены при разных напряжниях, необходимо воспользоваться формулой, которая позволяет вычислить при любом значении напряжения Uкэ:
, (3.3.10)
в нашем случае:
Подставим полученное значение в формулу (3.3.9):
, тогда
Используя формулу (3.3.10), найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке :
Найдем значения остальных элементов схемы:
, (3.3.11)
где
(3.3.12)
– сопротивление эмиттеного перехода транзистора. Тогда:
Емкость эмиттерного перехода:
Выходное сопротивление транзистора:
(3.3.13)
(3.3.14)
(3.3.15)
Б) Расчёт однонаправленной модели на ВЧ:
Схема однонаправленной модели на ВЧ представлена на рисунке 3.3.6. Описание этой модели можно найти в журнале [4].
Рисунок 3.3.6 Схема однонаправленной модели на ВЧ
Параметры эквивалентной схемы рассчитываются по приведённым ниже формулам.
Входная индуктивность:
, (3.3.16)
где –индуктивности выводов базы и эмиттера, которые берутся из справочных данных.
Входное сопротивление:
, (3.3.17)
Выходное сопротивление имеет такое же значение, как и в схеме Джиакалетто:
.
Выходная ёмкость- это значение ёмкости вычисленное в рабочей точке:
.
3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации
При расчёте цепей термостабилизации нужно для начала выбрать вариант схемы. Существует несколько вариантов схем термостабилизации: пассивная коллекторная, активная коллекторная и эмиттерная. Их использование зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования к термостабильности. В данной работе рассмотрены две схемы: эмиттерная и активная коллекторная стабилизации.
... на типы осуществляют по назначению усилителя, характеру входного сигнала, полосе и абсолютному значению усиливаемых частот, виду используемых активных элементов. По своему назначению усилители условно делятся на усилители напряжения, усилители тока и усилители мощности. Если основное требование – усиление входного напряжения до необходимого значения, то такой усилитель относится к усилителям ...
... Масса Масштаб Изм Лист Nдокум. Подп. Дата УCИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ Выполнил Далматов ДЛЯ 1-12 КАНАЛОВ Провер. Титов А.А. TV Лист Листов ТУСУР РТФ Перечень ...
... при конструировании могут быть учтены расчетными методами или экспериментально - методом граничных испытаний. 1.Обзор научной технической базы по проектируемому устройству Схем бестрансформаторных усилителей мощности звуковой частоты УМЗЧ существует достаточно много, начиная от ламповых, требующих высокое напряжение питания, до самых современных, представляющих собой интегральную микросхему ( ...
... и внутренних дестабилизирующих факторов. При этом должны быть рассмотрены и обеспечены требования ТЗ по технологическим показателям, эргономике и технической эстетике. Глубина проработки должна быть достаточной для сопоставления анализируемых вариантов. В процессе разработки изделия под названием усилитель мощности автомобильный было исследовано несколько типов корпусов, которые показаны на рис. ...
0 комментариев