1.3.3. Расчет эквивалентных схем транзистора КТ934В.
|
а) Модель Джиаколетто.
Модель Джиаколетто представлена на рис.1.7.
Рисунок 1.7 - Эквивалентная схема Джиаколетто.
Необходимые для расчета справочные данные:
, постоянная цепи обратной связи.
, статический коэффициент передачи тока базы.
, емкость коллекторного перехода.
Найдем при помощи постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода нашего транзистора:[5]
(1.9)
Из справочных данных мы знаем, что при , а на 18В. Для того, чтобы свести параметры к одной системе воспользуемся формулой перехода:[1]
(1.10)
в нашем случае:
Теперь, зная все параметры, можно найти сопротивление:
, тогда
Найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке по той же формуле перехода:
Найдем значения оставшихся элементов схемы:
, где (1.11)
– паспортное значение статического коэффициента передачи,
– сопротивление эмиттеного перехода транзистора
Тогда
Емкость эмиттерного перехода: , где – типовое значение граничной частоты коэффициента передачи тока, взятое из паспортных данных транзистора.[7]
Найдем оставшиеся параметры схемы:
(1.12)
(1.13)
(1.14)
б) Однонаправленная модель.[4]
Однонаправленная модель представлена на рис.1.8.
Рисунок 1.8 - Однонаправленная модель.
При определении значений элементов высокочастотной модели воспользуемся паспортными данными транзистора:[7]
(1.15)
где – входное сопротивление, – выходная емкость, – выходное сопротивление.В паспортных данных значение индуктивности.[7]
где – индуктивности выводов базы и эмиттера.
В результате получим:
1.3.4. Расчет схем термостабилизации транзистора КТ 934В.
Эмиттерная термостабилизация приведена на рис.1.9.[8]
Рисунок 1.9 Схема эмитерной термостабилизации.
Расчет номиналов элементов осуществляется исходя из заданной рабочей точки. Напряжение на эмиттере должно быть не менее 3-5 В (в расчетах возьмем 3В), чтобы стабилизация была эффективной.
Рабочая точка:
Uкэ0= 18В,
Iк0=0.7А.
Учтя это, получим:
, где , а коллекторный ток – , что было получено ранее, тогда: и 1.16)
Видно, что рассеиваемая мощность довольно велика.
Базовый ток будет в раз меньше коллекторного тока:
, (1.17)
а ток базового делителя на порядок больше базового:
(1.18)
Учтя то, что напряжение питания будет следующим:
, (1.19)
найдем значения сопротивлений, составляющих базовый делитель:
(1.20)
(1.21)
Схема активной коллекторной термостабилизации усилительного каскада приведена на рис.1.10.
Рисунок 1.10 – Схема активной коллекторной термостабилизации.
В качестве управляемого активного сопротивления выбран транзистор КТ361А со средним коэффициентом передачи тока базы 50.[9] Напряжение на
сопротивлении цепи коллектора по постоянному току должно быть больше 1 В или равным ему, что и применяется в данной схеме [4].
Энергетический расчет схемы:
. (1.22)
Мощность, рассеиваемая на сопротивлении коллектора:
. (1.23)
Видно, что мощность рассеивания на отдельном резисторе уменьшилась в три раза по сравнению с предыдущей схемой. Рассчитаем номиналы схемы:
(1.24)
Номиналы реактивных элементов выбираются исходя из неравенств:
(1.25)
Этим требованиям удовлетворяют следующие номиналы:
L=30 мкГн (Rн=25 Ом) и Сбл=0.1 мкФ (fн=10 МГц).
Схема пассивной коллекторной термостабилизации приведена на рис. 1.11[8]
|
Рисунок 1.11 – Схема пассивной коллекторной термостабилизации.
В данной схеме напряжение на коллекторе должно изменяться в пределах от 5 до 10 В. Возьмем среднее значение– 7В.
Произведем энергетический расчет схемы:
. (1.26)
Мощность, рассеиваемая на сопротивлении коллектора:
. (1.27)
Видно, что при использовании данной схемы мощность будет максимальна.
Рассчитаем номиналы схемы:
. (1.28)
Сравнив эти схемы видно, что и с энергетической, и с практической точки зрения более эффективно использовать активную коллекторную термостабилизацию, которая и будет использоваться далее.
... обеспечение плотного электрического контакта по всему периметру щели. 6. Технико-экономическое обоснование 6.1 Характеристика технико-экономического обоснования проекта Разрабатываемый усилитель мощности миллиметрового диапазона длин волн предназначен для усиления сигнала и передачи его на определенное расстояние. Существенным преимуществом является тот факт, что устройство работает в ...
... и запирания ПУ. 1.4 Патентный поиск и аналоги блока Основной задачей настоящего патентного поиска является изыскание инженерно-технических решений по созданию перспективного предварительного усилителя мощности, обладающего лучшими техническими и конструктивными характеристиками. В последние годы в нашей стране и за рубежом разработан ряд широкополосных усилителей мощности. Функциональное ...
зведения звука. Для мощных стереофонических усилителей в интегральном исполнении используются как пластмассовые корпуса типа DI L, DIP (в последнее время – малогабаритные корпуса типа SO для поверхностного монтажа (SMD), так и корпуса с основанием из металлической пластины (SIP, TABS) или металлические – типа ТО‑3, ТО‑5. К схеме усилителей низкой частоты предъявляются также требования ...
... простой в применении методики расчета МКЦ необходимой при проектировании сверхширокополосных усилителей. Целью данного дипломного проекта является разработка методики расчета МКЦ сверхширокополосного усилителя на мощных полевых транзисторах, обеспечивающий максимальный коэффициент передачи при заданных неравномерности АЧХ и полосе пропускания. Данная методика необходима для создания интегральных ...
0 комментариев