2.3.2. Выбор транзистора

Выбор транзистора осуществляется исходя из условий:

Iк.доп >1,2×Iк0

Uкэ.доп >1,2×Uкэ0

Pк.доп >1,2×Pк0

fт»3¼10×fв ,

где индекс “доп” означает максимально допустимое значение,

Iк – ток коллектора,

Uкэ – напряжение между коллектором и эмиттером,

Pк – мощность, рассеиваемая на коллекторе,

fв – верхняя частота.

Подставим численные значения:

Iк.доп >0,132 А

Uкэ.доп >8,4 В

Pк.доп >0,924 Вт

fт»600¼2000 МГц

Исходя из этих требований, выберем в качестве выходного транзистора транзистор КТ939А. Электрические параметры транзистора КТ939А [1]:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (типовое значение):

b=113

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при Uкэ=12В, Iк=200мА:

fТ=3060МГц

Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=12В:

СUкэ=3,9пФ

Постоянная времени цепи ОС на ВЧ при Uк=10В, Iэ=50мА, f=30МГц:

tс=4,6пФ

Предельные эксплуатационные данные транзистора КТ939:

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

Рк=4Вт

Рабочая точка:

Iк0=0,11 А

Uкэ0=7 В

Eп=7 В

2.3.3. Расчёт эквивалентных схем транзистора

В данном пункте рассчитываются эквивалентные схемы транзистора, низкочастотная - схема Джиаколетто и высокочастотная – однонаправленная модель.

1). Схема Джиаколетто [2]

а). Сначала найдём Сu кэ , чтобы найти Rб.

Так как в справочнике Сu кэ найдена при напряжении 12 В, а нам необходима при 10 В, то используем такую формулу:

, (2.8)

где СUкк1 – ёмкость коллектор-эмиттерного перехода, рассчитанная при Uкэ1,

Uкэ2 – напряжение, при котором необходимо найти СUкк2.

Подставим численные значения в формулу (2.8):

Ф.

 Теперь найдём Rб по формуле:

(2.9)

Подставим численные значения:

Ом.

б). Сопротивление эмиттера

Ом. (2.10)

Здесь Iэ – в мили Амперах.

в). Проводимость база-эмиттер

Ом -1. (2.11)

г). Ёмкость эмиттерного перехода

Ф. (2.12)

д). Крутизна

(2.13)

(2.14)

е).

Ом. (2.15)

ж). В соответствии с формулой (2.8):

Ф.

Элементы схемы Джиаколетто:

gб=0,934 Ом-1

gбэ=16,8×10-3 Ом-1

gi=13,3×10-3 Ом-1

Cэ=100 пФ

Ск=5,1 пФ

Рисунок 2.5 - Эквивалентная схема Джиаколетто

2). Однонаправленная модель [3]

Lвх=Lэ+Lб=0,2+1=1,2 нГн

Rвх=rб=1,07 Ом

Rвых=Ri=gi –1=75,2

Свыхк=5,1 пФ

G12ном=(fmax/fтек)2=(3060/200)2=15,32=234,09

Рисунок 2.6 - Однонаправленная модель

2.3.4. Расчет цепей питания и термостабилизации

1). Эмиттерная термостабилизация [4]

Найдём мощность, рассеиваемую на Rэ:

Рабочая точка: Iк0=0,11 А

Uкэ0=7 В

Для эффективной термостабилизации падение напряжения на Rэ должно быть порядка 3-5В. Возьмём Uэ=3В. Тогда мощность, рассеиваемая на Rэ определяемая выражением (2.16), равна:

PRэ=Iк0×Uэ=0,11×3=0,33 Вт. (2.16)

Рисунок 2.7 - Схема оконечного каскада с эмиттерной термостабилизацией

Найдём необходимое Еп для данной схемы:

Еп=URэ+ Uкэ0+ URк=3+7+0=10 В. (2.17)

Рассчитаем Rэ, Rб1, Rб2:

Ом, (2.18)

 мА, (2.19)

ток базового делителя:

Iд=10×Iб=9,73 мА, (2.20)

 Ом, (2.21)

Ом. (2.22)

Найдём Lк, исходя из условий, что на нижней частоте полосы пропускания её сопротивление много больше сопротивления нагрузки. В нашем случае:

мкГн. (2.23)

2). Активная коллекторная термостабилизация [4]

Рисунок 2.8 – Схема активной коллекторной стабилизации

Напряжение UR4 выбирается из условия: В.

Возьмём UR4=1,5 В.

Рассчитаем мощность, рассеиваемую на R4:

PR4=UR4×IК02=1,5×0,11=0,165 Вт. (2.24)

Найдём ЕП:

ЕП=Uкэ 02+UR4=7+1,5=8,5 В, (2.25)

где Uкэ 02 – напряжение в рабочей точке второго транзистора.

Ом (2.26)

Первый транзистор выбирается исходя из условия, что статический коэффициент передачи тока базы b01=50¸100.

Примем b01=75.

Ток базы второго транзистора находится по формуле (2.19):

мА.

В. (2.27)

кОм. (2.28)

В соответствии с формулой (2.19):

А.

Ток базового делителя первого транзистора рассчитывается поформуле (2.20):

Iд1=10×Iб1=10×19,5×10-6=0,195 мА.

кОм. (2.29)

кОм. (2.30)

Так как усилитель маломощный, то возьмём эмиттерную термостабилизацию.


Информация о работе «ШИРОКОПОЛОСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С ПОДЪЁМОМ АЧХ»
Раздел: Радиоэлектроника
Количество знаков с пробелами: 22876
Количество таблиц: 4
Количество изображений: 0

Похожие работы

Скачать
22876
4
18

... – http://referat.ru/download/ref-2770.zip РТФ КП 468730.009 ПЭ3 Изм. Лист № Докум Подпись Дата Выполнил Ломакин Д.С. Широкополосный усилитель с подъёмом АЧХ Принципиальная схема Лит Лист Листов Проверил Титов А.А. 2 4 Принял ТУСУР, РТФ, гр.148-3 ...

Скачать
19412
2
13

... в области нижних частот не более 3 дБ в области верхних частот не более 2.5 дБ 3. Коэффициент усиления 30дБ с подъёмом области верхних частот 6 дБ 4. Амплитуда выходного напряжения Uвых=2.5 В 5. Питание однополярное, Eп=10 В 6. Диапазон рабочих температур: от +10 до +60 градусов Цельсия Усилитель рассчитан на нагрузку Rн=50 Ом Усилитель имеет запас по усилению 5дБ, это нужно для того, ...

Скачать
17046
4
17

... Масса Масштаб Изм Лист Nдокум. Подп. Дата Выполнил Кузнецов УCИЛИТЕЛЬ-КОРРЕКТОР Проверил Титов Лист Листов ТУСУР РТФ Принципиальная Кафедра РЗИ ...

Скачать
17420
4
18

... Изм Лист Nдокум. Подп. Дата Выполнил Кузнецов   УCИЛИТЕЛЬ-КОРРЕКТОР Проверил Титов         Лист Листов   ТУСУР РТФ   Принципиальная ...

0 комментариев


Наверх