МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ
(технический университет)
Кафедра Электроники и электротехники
Доклад
Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”
Студент:
Андриатис Ю.А.
группа АП-52
Преподаватель:
Ушаков В.Н.
МОСКВА 1999
Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
EK
R1 RK РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬНОГО RC - КАСКАДА
Cк НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
ВЫХОД
IBX
C
RH Uвых
ВХОД CЭ
R2 RЭ IBЫX
Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн. Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области высоких частот нельзя.
РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА
НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ
Iб IBЫX
rвх R k C RH Uвых
h21эIб
Из схемы находим:
Zk = (Rk || Rн)|| 1 = (Rk || Rн) * (1 / jвС) =
(jвС) (Rk || Rн) + (1 / jвС)
= (Rk || Rн) = (Rk || Rн)
1 + jвС(Rk || Rн) 1 + jвв
где в = С(Rk || Rн) - постоянная времени нагрузочной цепи
(Rk || Rн)
U2 = h21эIб Zk = h21эIб 1 + jвв U1 = Iб rвх
U2 (Ku)0
(Ku)в = =
U1 1 + jвв
На высших частотах происходит не только усиление сигнала но и появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно входного поэтому это выражение разбивается на два:
1
(Ku)в =
√ 1 + (вв)2
tg φв = – вв
В области высших частот характеристика будет иметь завал:
Kв φв
K0 1 2 f()
f()
2 > 1
Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем характеристика лучше (более равномерна).
Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только уменьшить за счет рационального конструирования.
Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повтор
Похожие работы
... цепи базы определяется через h-параметры эквивалентной схемы: , (3) где rБ = 30¸50 Ом – объёмное сопротивление базы транзистора. Влияние входного сопротивления существенно сказывается на усилительных свойствах схемы, если сопротивление источника сигнала RC ¹ 0. Действительно, между входным сопротивлением усилителя и выходным сопротивлением источника сигнала RC образуется делитель ...
... Rс Re Rн Rг C1 Cc Ce Cн кОм кОм кОм кОм кОм кОм мкФ мкФ мкФ пФ 18 3,9 2 0,47 3,6 0,7 1,0 1,5 110 50 Тип транзистора: КТ503В Необходимо составить эквивалентную схему усилительного каскада в области средних частот (СЧ), и определить коэффициент усиления K0. В области средних частот сопротивления конденсаторов Cc, Ce малы, следовательно, на эквивалентной схеме они будут ...
... приведенного на рисунке 6.4, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 1) и условий: =50 Ом; =0,9. Решение. По формулам (1.68), (1.69) получим =3 кОм; =10,4 пФ. Теперь по (1.70) найдем =478 МГц. 7 РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ С ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНЫМИ КОРРЕКТИРУЮЩИМИ ЦЕПЯМИ 7.1 РАСЧЕТ ВЫХОДНОЙ КОРРЕКТИРУЮЩЕЙ ЦЕПИ В рассматриваемых выше усилительных каскадах ...
... системах связи; выравнивания АЧХ малошумящих усилителей, входные каскады которых реализуются без применения цепей высокочастотной коррекции. На рис. 7.5,а приведена принципиальная схема усилителя с реактивной межкаскадной КЦ четвертого порядка, позволяющей реализовать заданный наклон АЧХ усилительного каскада, эквивалентная схема по переменному току приведена на рис. 7.5,б [14]. а) ...
0 комментариев