Навигация
Получение джозефсоновских переходов
14153
знака
1
таблица
7
изображений
5. Получение джозефсоновских переходов.
Джозефсоновские туннельные переходы представляют собой две тонкие сверхпроводящие пленки разделенные барьерным слоем диэлектрика или полупроводника. Рассмотрим некоторые из методов получения переходов с диэлектрическим барьером. На тщательно очищенную подложку в вакууме наносится первая пленка сверхпроводящего соединения толщиной в несколько тысяч ангстрем.
Нанесение первой пленки осуществляется путем катодного распыления.
4
1
6
2 3 5
1. Катод
2. Распыляющий газ
3. К вакуумному насосу
4. Держатель с подложкой
5. Постоянное напряжение 4 кВ
6. ВЧ – генератор 3-300 МГц
Газовый разряд при низком давлении можно возбудить высокочастотным электрическим полем. Тогда в газовом промежутке, содержащим аргон, возникает тлеющий разряд. Образовавшиеся при этом положительные ионы, разгоняются электрическим полем, ударяются о катод распыляя сплав. Вылетающие с катода атомы осаждаются на подложке. В такой системе были достигнуты скорости осаждения до 1А/сек. При смещении на катоде – мишени 500В.
Для высокочастотного катодного распыления Nb3Sn необходим вакуум перед распылением 10-4Па, температура подложки 900OС, чистота напускаемого аргона 99,999%, его давление менее 1Па.
Для качества туннельного перехода большое значение имеет структура пленки. В напыленных пленках обычно сильно искажена кристаллическая решетка, и в них, как правило со временем происходят структурные изменения: течение дислокаций, деформация границ зерен, что может значительно ухудшить свойства туннельного перехода (например возникнуть закоротки).
Одним из способов устранения этих нежелательных явлений состоит во внесении в пленку примесей стабилизирующих их структуру. Так пленки образующие туннельный переход получались последовательным напылением In (49нм), Au (9нм), Nb3Sn (350нм) для нижнего электрода и Nb3Sn (300нм), Au(5нм), Nb3Sn(200нм) для верхнего электрода. После этого пленки выдерживались при температуре 75ОС в течении 2ч., что приводило к стабилизации свойств перехода.
Следующим важным этапом получения туннельного перехода является образование барьерного слоя, как правило, это слой окисла на поверхности первой пленки. Свойства туннельного перехода и его срок службы определяется прежде всего качеством барьерного слоя. Этот слой должен быть плотным, тонким (»2нм), ровным, не иметь пор и не меняться со временем при температурном циклировании.
Наиболее удачный метод приготовления туннельных барьеров состоит в окислении пленки в слабом ВЧ разряде в атмосфере кислорода. Подложка с пленочным электродом крепится к катоду разрядной камеры. Сначала поверхность пленки очищают от естественного окисления путем ВЧ катодного распыления в атмосфере аргона при давлении 0.5 Па в течении 1-5 мин. Сразу после этого аргон в камере заменяется кислородом или аргонокислородной смесью и зажигается разряд на частоте 13.56 МГц. За определенное время на пленке, находящейся в разряде, образовался слой окисла необходимой толщины. Для получения туннельных барьеров толщиной 2-5нм необходимо поддерживать разряд мощностью 0.003-0,1 Вт/мм2 в течении 10-20 мин.
Применяют туннельные переходы с барьером из полупроводника. В качестве материала барьера используется различные п/п: CdS, CdSe, Ge, InSb, CuAs и др.
Основной метод нанесения п/п барьера – распыление. Однако в напыленном слое п/п имеется много отверстий и пустот, наличие которых способствует появлению закороток в переходе. Для устранения этого недостатка после напыления барьера переход подвергается окислению. В результате закоротки действительно не возникают, но свойства барьера при это ухудшаются: уменьшается максимальная плотность тока, величина емкости увеличивается.
Наилучшие туннельные переходы с полупроводниковым барьером, получаются, когда барьер представляет собой монокристалл. Такие переходы реализованы не созданием барьера на сверхпроводящей пленке, а наоборот, нанесением пленки на обе стороны тонкой монокристаллической п/п мембраны из Si. Известно, что скорость травления монокристаллического Si перпендикулярно плоскости (100) в 16 раз больше чем в направлении плоскости (111). В результате этого в пластине Si, поверхность которого параллельна (100), при травлении небольшого, незащищенного фоторезистом участка, образуются ямки. Боковые стенки ямки образуют плоскости (111) под углом 54.7О к поверхности. Таким образом, размер дна ямки w1, т.е. размер мембраны определяется соотношением 
, где w2 – размер открытого незащищенного участка поверхности, t – глубина ямки.
Чтобы получить мембрану нужной толщины, необходимо каким-либо образом автоматически остановить травление. Это достигается с помощью легирования бором обратной стороны кремниевой подложки на глубину равную необходимой толщине мембраны. Скорость травления быстро падает, когда достигается слой Si с концентрацией бора, равной n=4×1019 см-3, и полностью останавливается при n=7×1019 см-3 . Таким образом были получены мембраны толщиной 40-100 нм. Далее с двух сторон наносятся сверхпроводящие пленки, образующие переход.
В случае последовательного напыления: сверхпроводящая пленка – барьер – сверхпроводящая пленка – последнюю пленку можно нанести методом катодного распыления.
Готовые переходы защищают от влияния атмосферы слоем фоторезиста. Для получения воспроизводимых туннельных систем необходимо, чтобы между операциями пленка не подвергалась воздействию атмосферы т.к. адсорбция газов на поверхности пленок может вызвать неконтролируемое изменение характеристик перехода.
Список литературы:
1. Г.Н. Кадыкова «Сверхпроводящие материалы» М. МИЭМ 1990
2. А.Ф. Волков, Н.В. Заварицкий «Электронные устройства на основе слабосвязных сверхпроводников» М. Советское радио 1982
3. Р. Берри, П. Холл, М. Гаррис «Тонкопленочная технология» М. Энергия 1979
4. Т. Ван-Дузер Ч.У. Тернер «Физические основы сверхпроводниковых устройств и цепей» М. Радио и связь 1984
Похожие работы
... полигона обсерватории Арти, а - 2003 г, б - 2004 г, в - 2006 г Таким образом, применение комплекса современных высокочувствительных магнитометров POS для проведения магнитных съемок со спутниковой топопривязкой и с учетом вариации геомагнитного поля позволяет не только повысить точность, скорость и качество выполнения магнитометрических работ, но и решать качественно новые геофизические задачи. ...
... идет о следующем изречении: “Война есть продолжение политики другими средствами”.), имеет сугубо подчиненное значение: “ Математическая геофизика есть реализация установок общей методологии интерпретации геофизических данных средствами математики”. Именно этим определяется различие в общих установках, именно этим определяются данные выше семь дополнительных позиций, именно в этом состоит восьмая ...
... действия передатчика, поэтому такие системы можно еще отнести к классу радиальных. Рассмотрим принципы построения нескольких крупных СПРВ. Одной из первых крупных разработок была "Система персонального вызова на УКВ" (США), работающая в диапазонах 20...50 и144...174 МГц. Структурная схема такой системы представлена на рис.1.1. Каждый из пультов управления 1 является контрольно-коммутирующим ...
... физическими источниками. При изучении строения нижней части коры магнитными методами важно иметь данные, полученные с аппаратов, которые работают на высотах 20-40 км, равных вертикальной мощности земной коры. В этом случае сигналы с глубины не заглушаются сигналами поверхностных источников и аномальное магнитное поле проходит естественный процесс фильтрации и формирования своей структуры. И тут ...
0 комментариев