См (18)

105.2792 см (18),

g₀=0.996913.

Далее находим коэффициент переноса ННЗ через базу:

c₀ = 1 - =0.9996758 (19).

Теперь необходимо рассчитать коэффициент усиления ННЗ в коллекторе по формуле:

a^* = 1 +  (20),

a^* @ 1.

и, наконец, мы можем рассчитать a₀:

a₀ = g₀ c₀ a^* = 0.9905917

5.3   Расчет емкостей и размеров переходов

Задача: Определить барьерные (зарядные) емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пластины, в которой формируется транзисторная структура.

1. Зарядная емкость коллекторного перехода. C_зк и величина поверхности коллекторного перехода S_к:

Коллекторный переход плавный, поэтому:

C_зк = S_к (21).

Известно, что:

C_зк = 2_*10^-12 пФ и S_к = 2.678418_*10^-4 см².

Исходя из данных значений C_зк и найдено максимальное значение S_кmax. Можно считать, что:

S_кmax = 0.9 c d (22).

Задаемся значением p = 150_*10^-4 см.

Добавив к нему 250 мкм находим с

с = (250 + 150) _*10^-4 = 400_*10^-4см

1.       Зарядная емкость эмитерного перехода. C_зэ и величина поверхности эмитерного перехода S_э:

Эмитерный переход резкий, поэтому:

C_зэ = S_э (23).

Для нахождения C_зэ необходимо найти j_крп и А_э:

j_крп = j_т = 0.5136617В (24),

S_э = I_k (25).

Задаемся величиной U_эб = 0.2313273В, соответствующей

S_э = 3.769911_*10^-5см².

Теперь можно рассчитать C_зэ по формуле (26):

C_зэ =1,677762_*10^-11Ф.

3. Размеры эмитера и базы.

Размеры металлических выводов определяются величиной S_э и и глубиной вплавления электрода в кристалл h_э:

R_э = - h_э +  (26).

Величина h_э выбирается в пределах h_э = 10..30мкм, выбираем h_э = 20мкм.

R_э = 20мкм.

Для центрального расположения выводов R_э = R_б, R_б = 20мкм.

5.4   Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

Задача: определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора.

Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора в схеме с ОБ.

1.   Дифференциальное сопротивление эмитера:

 (27),

 = 1,438889 Ом.

2.   Сопротивление базы есть сумма омического сопротивления  и диффузионного  сопротивлений, а также сопротивления растекания базового контакта :

 (28).

Сопротивления  можно найти по формуле:

 (29),

Для центрального расположения :

 (30),

= 26,82607 Ом

Для центральной части выводов эмиттера и базы:

 (31),

где  = 0.004245Омсм,

= 48,10962 Ом

=74,93569

Диффузионное сопротивление учитывающее внутреннюю обратную связь в транзисторе за счет эффекта Эрли равно:

 (32),

 = 110,3175

Для сплавно-диффузионных транзисторов  << , поэтому  не учитывается:

 = 36 Ом.