2. Подождать 20 mS и разрешить последовательное программирование послав команду разрешения на вывод MOSI/PB3.
3. При посылке команды разрешения программирования, второй байт последовательности (53h) будет возвращен при посылке третьего байта. В любом случае, должны быть посланы все четыре байта команды. Если число 53h не получено обратно, подайте положительный импульс на SCK и повторите команду разрешения программирования. Если после 32 попыток не будет получено число 53h, микросхема неисправна.
4. После подачи команды стирания (всегда при программировании памяти программ), необходимо подождать 10 mS, выдать положительный импульс на RESET и продолжить с шага 2.
5. Память программ и память данных программируются по одному байту выдачей адреса и данных в команде записи. Перед записью новых данных в EEPROM ячейки памяти перед записью новых данных автоматически стираются. Чтобы определить время, когда можно записывать следующий байт, используется подтверждение данных. При записи предварительно стертой микросхемы записывать ячейки содержащие FFh не обязательно.
6. Любую ячейку памяти можно проверить используя команду чтения, которая выдает содержимое указанной ячейки на последовательный вывод MISO/PB4.
7. По окончанию программирования вывод RESET может быть установлен в '1' для возобновления нормальной работы схемы.
8. Последовательность выключения питания (если необходимо) Установить XTAL1 в '0' (если не используется кварцевый резонатор)
Установить RESET в '1'.
Отключить питание
При записи последовательных данных в процессор данные читаются по нарастающему фронту сигнала CLK. При чтении данных из процессора данные читаются по спадающему фронту сигнала CLK.
Таблица 32. Команды последовательного программирования
| Команда | Формат команды | Действие | |||||||||
Байт 1 | Байт 2 | Байт 3 | Байт 4 |
| ||||||||
| Разрешение рограммир. | 1010 1100 | 0101 0011 | xxxx xxxx | xxxx xxxx | Разрешен.послед. программирования после установки RESET в '0' | ||||||
| Стирание микросх. | 1010 1100 | 100x xxxx | xxxx xxxx | xxxx xxxx | Стирание памяти прогр. и данных | ||||||
| Чтение памяти прогр. | 0010 H000 | 0000 aaaa | bbbb bbbb | oooo oooo | Читать старший или младший байт o по адресу ab | ||||||
| Запись памяти прогр. | 0100 H000 | 0000 aaaa | bbbb bbbb | iiii iiii | Запись старш. или младш. байта i в память прогр по адресу ab | ||||||
| Чтение памяти данных | 1010 0000 | 0000 000a | bbbb bbbb | oooo oooo | Читать данные o по адресу ab | ||||||
| Запись памяти данных | 1100 0000 | 0000 000a | bbbb bbbb | iiii iiii | Запись данных i по адресу ab | ||||||
| Чтение битов блокир. | 0101 1000 | xxxx xxxx | xxxx xxxx | xxxx x21x | Биты 2 и 1 равны 0 – блокировка 1 - нет блокир. | ||||||
| Запись битов блокир. | 1010 1100 | 111x x21x | xxxx xxxx | xxxx xxxx | Запись битов бло кировки. Установить 1,2=0 для блокировки памяти | ||||||
| Читать код устройства | 0011 0000 | xxxx xxxx | xxxx xxbb | oooo oooo | Читать код устройства o с адреса b | ||||||
| Запись битов-перемыч | 1010 1100 | 11_176543 | xxxx xxxx | xxxx xxxx | Запись битов-перемычек. Установить 3,4,5,6,7 в "0" чтобы запрограммировать | ||||||
| Чтение битов-перемыч | 1010 0000 | xxxx xxxx | xxxx xxxx | xx87 6543 | Чтение битов-перемычек. 0 – запрограммир 1 - стерт | ||||||
a - старшие биты адреса; b - младшие биты адреса; o - выход данных
H = '0'-младший байт, '1'-старший байт; i - вход данных;
x - не использ-ся; 1 - 1-й бит блокировки; 2 - 2-й бит блокировки;
3 - CKSEL0; 4 - CKSEL1; 5 - CKSEL2; 6 - BODEN; 7 - BODLEVEL;
8 - SPIEN;
Максимально допустимые параметры
Рабочая температура ................................. -40±С - +105±С Температура хранения ................................ -65±С - +150±С Напряжение на любом выводе кроме RESET .............. -1.0V - +7.0V Максимальное рабочее напряжение ..................... 6.6V Постоянный ток через вывод порта .................... 40.0 mA Постоянный ток между VCC и GND .......................140.0 mA |
ПРИМЕЧАНИЕ: выход параметров за пределы указанные в таблице может привести к нарушению работоспособности микросхемы. Это предельные значения параметров, рабочие параметры микросхемы приведены ниже. Удержание предельных значений на выводах м/сх в течение длительного времени может привести к потере работоспособности м/сх.
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
Ta = -40...+85±C, Vcc=2.7...6.0V (если не указано иначе)
Мин./Тип./Макс.
Входное напряжение '0' - -0.5/_/0.3Vcc V
Входное напряжение '1'(кроме XTAL1 и RESET) - 0.7Vcc/_/Vcc+0.5 V
на XTAL1 и RESET - 0.7Vcc/_/Vcc+0.5 V Выходное напряжение '0'(Порты B,C,D) Il=20mA, Vcc=5V - _/_/0.5 V
Il=10mA, Vcc=3V - _/_/0.5 V Выходное напряжение '1'(Порты B,C,D) I0h=10mA, Vcc=5V - Vcc-0.5/_/_ V
I0h=5mA, Vcc=2.7V - Vcc-0.5/_/_ V Подтягивающий резистор сброса - 100/_/500 кОм
Подтягивающий резистор вывода порта 10/50/100 кОм
Потребляемый ток:
Активный режим, 3V, 4MHz - _/3.0/_ mA
холостой ход (idle mode), 3V, 4MHz - _/750/_ uA
пониженное потребление WDT включен, 3V - _/10/_ uA
WDT выключен, 3V - _/_/1 uA
Напряжение смещения аналогового компаратора Vcc=5V - _/_/20 mV
Входной ток утечки аналогового компаратора - 1/5/10 nA
Время срабатывания аналогового компаратора Vcc=2.7V - _/750/_ nS
Vcc=4.0V - _/500/_ nS
ПРИМЕЧАНИЯ:
1. В рабочем состоянии ток через выводы должен ограничиваться следующими условиями:
- Максимальный ток через вывод - 20 mA
- Максимальный ток через все выводы - 80mA
При превышении выходного тока выше указанных пределов, напряжение на выходе может отличаться от приведенного выше. Поглощение выводами тока больше приведенного не гарантируется.
0 комментариев