Расчёт эквивалентной схемы транзистора

3.3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора

 

3.3.3.1 Схема Джиаколетто

 

Многочисленные исследования показывают, что даже на умеренно высоких частотах транзистор не является безынерционным прибором. Свойства транзистора при малом сигнале в широком диапазоне частот удобно анализировать при помощи физических эквивалентных схем. Наиболее полные из них строятся на базе длинных линий и включают в себя ряд элементов с сосредоточенными параметрами. Наиболее распространенная эквивалентная схема- схема Джиаколетто, которая представлена на рисунке 3.6. Подробное описание схемы можно найти [3]. Рисунок 3.6 – Схема Джиаколетто

Достоинство этой схемы заключается в следующем: схема Джиаколетто с достаточной для практических расчетов точностью отражает реальные свойства транзисторов на частотах f £ 0.5f_т ; при последовательном применении этой схемы и найденных с ее помощью Y- параметров транзистора достигается наибольшее единство теории ламповых и транзисторных усилителей.

Расчитаем элементы схемы, воспользовавшись справочными данными и приведенными ниже формулами [2].

при  В

Справочные данные для транзистора КТ610А:

 C_к- емкость коллекторного перехода,

t_с- постоянная времени обратной связи,

b_о- статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ.

Найдем значение емкости коллектора при U_кэ=10В по формуле :

(3.3.12)

где U¢_кэо – справочное или паспортное значение напряжения;

U_кэо – требуемое значение напряжения.

Сопротивление базы рассчитаем по формуле:

 (3.3.13)

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ найдем по формуле:

(3.3.14)

Найдем ток эмиттера по формуле:

(3.3.15)

А

Найдем сопротивление эмиттера по формуле:

(3.3.16)

где I_эо – ток в рабочей точке, занесенный в формулу в мА.

Проводимость база-эмиттер расчитаем по формуле:

(3.3.17)

Определим диффузионную емкость по формуле:

(3.3.18)

Крутизну транзистора определим по формуле:

(3.3.19)

3.3.3.2 Однонаправленная модель

Поскольку рабочие частоты усилителя заметно больше частоты , то из эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на рисунке 3.7. Описание такой модели можно найти в [2].

Рисунок 3.7

Параметры эквивалентной схемы рассчитываются по приведённым ниже формулам [2].

Входная индуктивность:

, (3.3.20)

где –индуктивности выводов базы и эмиттера.

Входное сопротивление:

, (3.3.21)

где , причём , и  – справочные данные.

Крутизна транзистора:

, (3.3.22)

где , , .

Выходное сопротивление:

.  (3.3.23)

Выходная ёмкость:

. (3.3.24)

В соответствие с этими формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:

нГн;

пФ;

Ом

Ом;

А/В;

Ом;

пФ.