1.4. Выбор и обоснование функциональной схемы устройства.

 

1.5. Синтез электрической принципиальной схемы

в базисе «И-НЕ».

Можно уменьшить количество наименований схем. Это можно сделать путем преобразования с помощью формул:

В результате получаем только схемы “И-НЕ” и схемы отрицания

Повторяющиеся значения формул СДНФ

1.6. Выбор и обоснование элементной базы.

Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и 555. После сравнения характеристик этих двух серий мною была выбрана 555 серия.

Потому что:

¾    во-первых, коэффициент разветвления у неё в два раза больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать дополнительные резисторы на входе схемы

¾    во-вторых, элементы 555 серии потребляют меньше мощности в отличие от серии 155, так как их максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.

В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.

Элементы И – НЕ в 555 серии содержат простые n-p-n транзисторы VT2 – VT4, многоэмиттерный транзистор VT1, а так же резисторы и диоды, количество которых зависит от конкретного элемента. Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.

В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС320Б, один из немногих индикаторов способный отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.

В моей схеме используется следующие микросхемы серии К555:

К555ЛА1, К555ЛА2, К555ЛА4, К555ЛН1, К555ЛН2


1.7. Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.

К555ЛА1

Два логических элемента 4И-НЕ


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Вход Х2

Свободный

Вход Х3

Вход Х4

Выход Y1

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y2

Вход Х5

Вход Х6

Свободный

Вход Х7

Вход Х8

Ucc

 

DIP14

Пластик

 
Тип микросхемы К555ЛА1
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 2 элемента 4И-НЕ

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 2,2мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 0,8мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 7,88мВт

tзадержки

20нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛА2

Логический элемент 8И-НЕ


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Вход Х2

Вход Х3

Вход Х4

Вход Х5

Вход Х6

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y1

Свободный

Свободный

Вход Х7

Вход Х8

Свободный

Ucc

 

DIP14

Пластик

 
Тип микросхемы К555ЛА2
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности элемент 8И-НЕ

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 1,1мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 0,5мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0,4|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 4,2мВт

tзадержки

35нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛА4

Три логических элемента 3И-НЕ


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Вход Х2

Вход Х4

Вход Х5

Вход Х6

Выход Y2

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y3

Вход Х7

Вход Х8

Вход Х9

Выход Y1

Вход Х3

Ucc

 

DIP14

Керамический

 
Тип микросхемы К555ЛА4
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 3 элемента 3И-НЕ

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 1,2мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 0,8мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 11,8мВт

tзадержки

15нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛН1

Шесть инверторов


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Выход Y1

Вход Х2

Выход Y2

Вход Х3

Выход Y3

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y4

Вход Х4

Выход Y5

Вход Х5

Выход Y6

Вход Х6

Ucc

12

 

DIP14

Пластик

 

 


Тип микросхемы К555ЛН1
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 6 инверторов

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 6,6мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 2,4мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 23,63мВт

Tзадержки

≤ 20нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

К555ЛН2

Шесть инверторов с открытым коллекторным выходом


выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Выход Y1

Вход Х2

Выход Y2

Вход Х3

Выход Y3

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y4

Вход Х4

Выход Y5

Вход Х5

Выход Y6

Вход Х6

Ucc

12

 

DIP14

Пластик

 
Тип микросхемы К555ЛН2
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 6 инверторов с открытым коллекторным выходом

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 6,6мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 2,4мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА
P 23,63мВт

Tзадержки

≤ 32нСек

Kразвёртки

20
Корпус DIP14

ИНДИКАТОР ЦИФРОВОЙ

АЛС320Б

 
Название АЛС320Б
Цвет свечения зеленый
Н, мм 5
М 1
Lmin, нм 555
Lmax, нм 565
Iv, мДж 0.15
при Iпр, мА 10
Uпр max(Uпр max имп), В 3
Uобр max(Uобр max имп), В 5
Iпр max(Iпр max имп), мА 12
Iпр и max, мА 60
при tи, мс 1
при Q 12
Т,°С -60…+70

 


Информация о работе «Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора»
Раздел: Радиоэлектроника
Количество знаков с пробелами: 12411
Количество таблиц: 37
Количество изображений: 16

Похожие работы

Скачать
28196
2
11

... кристалла. 2 - стеклянные пластинки, 3 - токопроводящий слой, 4 - диэлектрическая прокладка, 5 - поляризатор, 6 - источник электрического напряжения. Гомеотропная ориентация реализуется для жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией (De > 0) (рис. 5, б). В этом случае длинные оси молекул с продольным дипольным моментом располагаются вдоль направления поля перпендикулярно ...

0 комментариев


Наверх