Навигация
4. Синтез схемы.
4.1.Последовательный расчет фазоимпульсного модулятора.
Выбираем транзистор VT1, исходя из его способностей пропустить ток заряда конденсатора С1 за время q2 и выбираем двухбазовый диод Uc1 и пропускаем ток падение напряжения которого на резисторе R3 открывает тиристор VT4. Выбираем тиристор VT4, напряжение VБ12 которого меньше 30B и время отпертого состояния которого соответствует времени q1.
Рассчитаем величину емкости С1
Задаемся временем заряда 
Из формулы (3) время заряда
, откуда
Выбираем транзистор задаваясь временем заряда и током 
,
Где t3-время заряда емкости С1,tnVT1-время переключения транзистора VT1 можно не учитывать в виду его малости по сравнению c tЗ (tnVT»
)
Задаемся q2=tp – временем разряда емкости С1.
Из уравнения (3) получаем
Из уравнения (4) находим R4
(9а)
(10)
(11)
Таким образом, получили все номиналы элементов, образующих требуемый модулируемый импульс.
Численный расчет схемы.
Выбираем транзистор МП42Б служащий для устройств переключения и с небольшим сопротивлением RКЭ, которые в основном определяется сопротивлением коллектора rk
Выбираем тиристор К4104Б со следующими характеристиками:
Постоянный ток в закрытом состояние Iзс = 0,5мВ
Отпирающий постоянный ток управления IY от=20мА
Отпирающее постоянное напряжение управления UУ от=2В
Напряжение в открытом состояние UОС=2В
Неотпирающее постоянное напряжение управления UУНОТ=0,1В
Время включения tвкл=0,29мkс
Время выключения tвыкл=2,5мkс
Предельно допустимые параметры:
Постоянное напряжение в закрытом состояние UЗ с max=30B
Постоянное обратное напряжение UОБР max=6B
Постоянный ток в открытом состоянии IОС min=0,1A
Постоянный прямой ток управления IУ min0=0,03B
Средняя рассеиваемая мощность PСР РАС=0,2В
Выбираем двухбазовый или управляемый диод, или однопереходной транзистор ОПТ: К117А со следующими предельно допустимыми параметрами:
Ток эмиттера IЭ max=50мА
Ток эмиттер-база IЭБО max=1мкА
Ток включения IВКЛ max=20мкА
Ток выключения IВЫКЛ min=1мА
Напряжение на базах UБ12 max=30B
Напряжения насыщения эмиттер-база Umax ЭБ нас=5В при IЭ=50мА
Коэффициент К К=0,6
Сопротивление между базами RБ12=6кОм UЭК=0,6·27=16,2
Резистор
берем 1,1Ом.
Напряжение питания схемы берем UП=27В
Емкость конденсатора
берем 0,016мкФ.
Время разряда
Подставляем значения в формулу (10) и определяем R3
Подставляя значения в формулу 11, определяем R2.
По формуле (9а) считаем:
берем 62Ом.
Совершенно аналогично для тех же времен заряда и разряда, то есть для аналогичной модуляции фазой определим:
R6=51Ом, R5=20Oм, 
, С3=0,016мкФ
R1
VT1 R2 RH C2 R4 R7
 | |||
 | |||
VT2 VT3
T1 T2
C1 R3 R6 C3
X1
|
|
|
|
|
|
Выводы по работе.
Разработано устройство – фазоимпульсный модулятор. Данное устройство соответствует заданным требованиям. Рассчитаны параметры, позволяющие получить заданные выходные сигналы. Устройство имеет высокую степень надёжности.
Литература.
1. С.П. Миклашевский., Промышленная электроника. Вш.,1986.
2. Л.А. Бессонов., ТОЭ. Вш.,1996.
3. К.Я. Стародуб., Н.Н. Михайлов., Промышленная электроника. «Машиностроение».,1971.
4. Расчёт импульсных устройств на полупроводниковых приборах. Под ред. Т.М. Агаханяна., «Советское радио».
5. Справочное пособие по электротехнике и основам электроники. Под ред. А.В. Нетушина. Вш. 1986.
| Формат | Зона | Поз | Обозначение | Наименование | Кол | |
| Документация | ||||||
| А4 | СУ.304.0000001.000.СБ | Схема электрическая принципиальная | 1 | |||
| А4 |
| СУ.304.0000001.000.ЭЗ | Сборочный чертеж | 1 | ||
| Детали | ||||||
| А3 | 1 | СУ.304.0000001 | Плата печатная | 1 | ||
| Прочие изделия | ||||||
| Конденсаторы | ||||||
|
|
|
|
| |||
| 2 | КМ 10 – 50 - 16 нФ±10% | 3 | С1,С2,С3 | |||
|
|
|
|
| |||
|
| Резисторы |
|
| |||
|
|
|
|
| |||
| 3 | ОМТ-0,5 – 1,1КоМ±10% | 1 | R1 |
| СУ.304.000000 | |||||||||||
| Лист | № докум | Подп | Дата | ||||||||
| Разраб. | Фазоимпульсный модулятор. | Лит. | Лист | Листов | |||||||
| Провер. | у | 1 | 2 | ||||||||
| МАИ.гр.03-304 | |||||||||||
| Н.Контр. | |||||||||||
| Т.Контр. | |||||||||||
| Формат | Зона | Поз | Обозначение | Наименование | Кол | Примечание |
| 4 | ОМТ-0,5 – 20 оМ±10% | 1 | R2, R5 | |||
| 5 | ОМТ-0,5 – 51 оМ±10% | 1 | R3, R6 | |||
| 6 | ОМТ-0,5 – 62 оМ±10% | 1 | R4 | |||
| 7 | ОМТ-0,5 – 400 оМ±10% | 1 | R7 | |||
| Транзисторы | ||||||
|
|
|
| ||||
| 8 | К117А | 2 | Т1,Т2 | |||
| 9 | МП42Б | 2 | VT2,VT3 | |||
| 10 | К4104Б | 1 | VT1 | |||
|
| ||||||
|
|
|
| ||||
|
|
|
| ||||
|
|
|
| ||||
|
|
|
| ||||
|
|
|
| ||||
|
|
|
| ||||
|
|
|
|
| СУ.304.000000 | |||||||||||
| Лист | № докум | Подп | Дата | ||||||||
| Разраб. | Фазоимпульсный модулятор | Лит. | Лист | Листов | |||||||
| Провер. | у | 1 | 2 | ||||||||
| МАИ.гр.03-304 | |||||||||||
| Н.Контр. | |||||||||||
| Т.Контр. | |||||||||||
Похожие работы
... (9) (9) Математическая модель всего устройства. (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) где (8) где (9) (9) 4. Синтез схемы. 4.1.Последовательный расчет фазоимпульсного модулятора. Выбираем транзистор VT1, исходя из его способностей пропустить ток заряда конденсатора ...
... б) 11-13 в) 14-16 г) д) е) 5-12 При измерениях осциллограф не заземлять ж) При измерениях осциллограф не заземлять з) Рис. 1.7. Осциллограммы напряжений регулятора яркости типа «Старт»: а – ФИП база-эмиттер VT2; б – ФИП конденсатор C1; в – ФИП коллектор VT3; г – на резистор R23; д – на ...
... амплитудного модулятора. Моделирование амплитудно-импульсного модулятора. Моделирование частотного модулятора. Изучение физических процессов в схемах модуляторов. Порядок выполнения работы Одним из основных элементов устройств формирования и генерирования сигналов является модулятор. 1. Наиболее простой вид модуляции – амплитудная модуляция. Модуляция по амплитуде, осуществляемая в ...
... ’П -’ Согласно методическим указаниям, исходный цифровой сигнал примет вид: Данному ИЦП соответствует временная диаграмма, рис 12.Задание №8. Пояснить принцип построения асинхронно адресных систем связи (ААСС). Рассчитать число возможных абонентов в сети при организации: а) телефонной связи; б) передачи данных, при заданных начальных условиях. Допустимое число активных абонентов N = 100 + ...
0 комментариев