Навигация
1.4 R_
R~
0.7
 |
18 34 U, В
Рисунок 1.6 – Нагрузочные прямые по постоянному и переменному току.
Расчет прямой по постоянному току:
Расчет прямой по переменному току:
, 
,
, .
Найдем так же расчетную мощность цепи и мощность потребления:
Сведем результаты расчетов в отдельную таблицу и проведем сравнительный анализ двух схем.
Таблица 1.1 - Сравнительный анализ схем
| Параметр |  |  |  |  |  |
Схема с  | 53.2 В | 25.4 Вт | 74.9 Вт | 1.4 А | 18 В |
Схема без  | 18 В | 12.6 Вт | 12.6 Вт | 0.7 А | 18 В |
Из таблицы следует, что дроссельный каскад потребляет в несколько раз меньше, напряжение источника питания для него нужно небольшое, что выгодно отличает данную схему. В дальнейших расчетах она и будет использоваться.
Выбор транзистора осуществляется исходя из технического задания, по которому можно определить предельные электрические и частотные параметры требуемого транзистора. В данном случае они составляют (с учетом запаса 20%):[6]
Iк доп > 1.2*Iк0=0.84 А
Uк доп > 1.2*Uкэ0=21.6 В (1.8)
Рк доп > 1.2*Pрасс=15.2 Вт
fт= (3-10)*fв=(3-10)*250 МГц.
Этим требованиям с достаточным запасом отвечает широко распространенный транзистор КТ 934В, справочные данные которого приведены ниже [7]:
Iк=2 А
Uкэ=60 В
Pк=30 Вт
Fт= 960 МГц.
при
1.3.3. Расчет эквивалентных схем транзистора КТ934В.
|
а) Модель Джиаколетто.
Модель Джиаколетто представлена на рис.1.7.
Рисунок 1.7 - Эквивалентная схема Джиаколетто.
Необходимые для расчета справочные данные:
, постоянная цепи обратной связи.
, статический коэффициент передачи тока базы.
, емкость коллекторного перехода.
Найдем при помощи постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода нашего транзистора:[5]
(1.9)
Из справочных данных мы знаем, что при 
, а 
на 18В. Для того, чтобы свести параметры к одной системе воспользуемся формулой перехода:[1]
(1.10)
в нашем случае:
Теперь, зная все параметры, можно найти сопротивление:
, тогда
Найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке по той же формуле перехода:
Найдем значения оставшихся элементов схемы:
, где (1.11)
– паспортное значение статического коэффициента передачи,
– сопротивление эмиттеного перехода транзистора
Тогда 
Емкость эмиттерного перехода: 
, где – типовое значение граничной частоты коэффициента передачи тока, взятое из паспортных данных транзистора.[7]
Найдем оставшиеся параметры схемы:
(1.12)
(1.13)
(1.14)
б) Однонаправленная модель.[4]
Однонаправленная модель представлена на рис.1.8.
Рисунок 1.8 - Однонаправленная модель.
При определении значений элементов высокочастотной модели воспользуемся паспортными данными транзистора:[7]
(1.15)
где 
– входное сопротивление, 
– выходная емкость, – выходное сопротивление.В паспортных данных значение индуктивности.[7]
где 
– индуктивности выводов базы и эмиттера.
В результате получим:
Похожие работы
... обеспечение плотного электрического контакта по всему периметру щели. 6. Технико-экономическое обоснование 6.1 Характеристика технико-экономического обоснования проекта Разрабатываемый усилитель мощности миллиметрового диапазона длин волн предназначен для усиления сигнала и передачи его на определенное расстояние. Существенным преимуществом является тот факт, что устройство работает в ...
... и запирания ПУ. 1.4 Патентный поиск и аналоги блока Основной задачей настоящего патентного поиска является изыскание инженерно-технических решений по созданию перспективного предварительного усилителя мощности, обладающего лучшими техническими и конструктивными характеристиками. В последние годы в нашей стране и за рубежом разработан ряд широкополосных усилителей мощности. Функциональное ...
зведения звука. Для мощных стереофонических усилителей в интегральном исполнении используются как пластмассовые корпуса типа DI L, DIP (в последнее время – малогабаритные корпуса типа SO для поверхностного монтажа (SMD), так и корпуса с основанием из металлической пластины (SIP, TABS) или металлические – типа ТО‑3, ТО‑5. К схеме усилителей низкой частоты предъявляются также требования ...
... простой в применении методики расчета МКЦ необходимой при проектировании сверхширокополосных усилителей. Целью данного дипломного проекта является разработка методики расчета МКЦ сверхширокополосного усилителя на мощных полевых транзисторах, обеспечивающий максимальный коэффициент передачи при заданных неравномерности АЧХ и полосе пропускания. Данная методика необходима для создания интегральных ...
0 комментариев