Расчет элементов принципиальной схемы усилителя мощности

Название транзистора:

2T919A;

Напряжение питания:

E0=19 В;

Статический коэффициент передачи тока:

50;

Напряжение приведения по базе:

0,7 В;

Граничная крутизна:

Sгр=0,13 См;

Граничная частота:

fгр=1800 МГц;

Емкость коллекторного перехода:

7,5 пФ;

Активная часть емкости коллектора:

2,5 пФ;

Емкость эмиттерного перехода:

50 пФ;

Сопротивление базы:

0,5 Ом;

Сопротивление эмиттера:

0,14 Ом;

Сопротивление коллектора:

0,7 Ом;

Индуктивность вывода базы:

0,14 нГн;

Индуктивность вывода эмиттера:

0,4 нГн;

Индуктивность вывода коллектора:

0,7 нГн;

Допустимая температура перехода:

150 °С;

Критический ток:

1,5 А;

Допустимое напряжение эмиттер-база:

3,5 В;

Допустимая рассеиваемая мощность:

10 Вт.

Напряженность граничного режима:

0,781;

Амплитуда коллекторного напряжения:

14,839 В;

Амплитуда n-й гармоники коллекторного тока:

0,07412 А;

Максимальный коллекторный ток:

Iк max=0,2912 А;

Постоянная составляющая коллекторного тока:

I0к=0,05941 А;

Амплитуда тока возбуждения:

0,14176 А;

Пиковое обратное напряжение эмиттер-база:

-1,12179 В;

Напряжение смещения по базе:

E0б=0,034491 В;

Сопротивление автоматического смещения:

0,580535 Ом;

Диссипативная составляющая входного сопротивления:

R1вх УЧ=5,4957 Ом;

Реактивная составляющая входного сопротивления:

X1вх УЧ=-3,4953 Ом;

Коэффициент усиления по мощности:

KУЧ=9,9589;

Мощность возбуждения:

0,0552266 Вт;

Мощность, потребляемая от источника питания:

1,1288 Вт;

Электронный КПД:

ηэ=48,72%;

Рассеиваемая мощность:

0,634064 Вт;

Диссипативная составляющая сопротивления нагрузки:

R1вых УЧ=180,013 Ом;

Реактивная составляющая сопротивления нагрузки:

X1вых УЧ=40,34 Ом;

Выходная мощность

Pвых УЧ=0,55 Вт;

Коэффициент умножения

n=2;

Угол отсечки

56,0 

Входная частота

fвх=0,25 ГГц;

Напряжение питания

E0=19,0 В.