Навигация
Расчет полосы пропускания
27860
знаков
10
таблиц
15
изображений
3.3.4 Расчет полосы пропускания.
Проверим обеспечит ли выбранное сопротивлении обратной связи Rос, расчитанное в пункте 3.3.1, на нужной полосе частот требуемый коэффициент усиления, для этого воспользуемся следующими формулами[2]:
(3.3.25)
(3.3.26)
Найдем значение емкости коллектора при Uкэ=10В по формуле (3.3.12):
Найдем сопротивление базы по формуле (3.3.13):
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ найдем по формуле (3.3.14):
Найдем ток эмиттера по формуле (3.3.15):
А
Найдем сопротивление эмиттера по формуле (3.3.16):
Ом
Определим диффузионную емкость по формуле (3.3.18):
пФ
, (3.3.27)
, (3.3.28)
где Yн – искажения приходящиеся на каждый конденсатор;
дБ,
или
(3.3.29)
Гц
Выбранное сопротивление Rос обеспечивает заданный диапазон частот.
3.3.5 Расчёт цепей термостабилизации
Существует несколько вариантов схем термостабилизации. Их использование зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования к термостабильности. В данной работе рассмотрены три схемы термостабилизации: пассивная коллекторная, активная коллекторная и эмиттерная.
3.3.4.1 Пассивная коллекторная термостабилизация
Данный вид термостабилизации (схема представлена на рисунке 3.8) используется на малых мощностях и менее эффективен, чем две другие, потому что напряжение отрицательной обратной связи, регулирующее ток через транзистор подаётся на базу через базовый делитель.
Рисунок 3.8
Расчёт, подробно описанный в [3], заключается в следующем: выбираем напряжение 
(в данном случае 7В) и ток делителя 
(в данном случае 
, где 
– ток базы), затем находим элементы схемы по формулам:
; (3.3.30)
, (3.3.31)
где 
– напряжение на переходе база-эмиттер равное 0.7 В;
. (3.3.32)
Получим следующие значения:
Ом;
Ом;
Ом.
3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация
Активная коллекторная термостабилизация используется в мощных каскадах и является очень эффективной, её схема представлена на рисунке 3.9. Её описание и расчёт можно найти в [2].
Рисунок 3.9
В качестве VT1 возьмём КТ361А. Выбираем падение напряжения на резисторе 
из условия 
(пусть 
В), затем производим следующий расчёт:
; (3.3.33)
;
(3.3.34)
; (3.3.35)
;
(3.3.36)
,
(3.3.37)
где 
– статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ транзистора КТ361А;
; (3.3.38)
; (3.3.39)
. (3.3.40)
Получаем следующие значения:
Ом;
мА;
В;
кОм;
А;
А;
кОм;
кОм.
Величина индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы переменная составляющая тока не заземлялась через источник питания, а величина блокировочной ёмкости – таким образом, чтобы коллектор транзистора VT1 по переменному току был заземлён.
Похожие работы
... Лит Масса Масштаб Изм Лист Nдокум. Подп. Дата УСИЛИТЕЛЬ МОДУЛЯТОРА Выпол Радишевск СИСТЕМЫ ЗАПИСИ Проверил Титов КОМПАКТ-ДИСКОВ Лист Листов ТУСУР РТФ Принципиальная Кафедра РЗИ ...
... и частотному диапазонам. Для удовлетворения всей ВОСПИ необходимо обеспечить их выполнение каждым элементам ВОСПИ: усилителем модулятором лазерным излучателем (ИЛПН) оптическим кабелем фотоприемным устройством Потери оптической мощности волоконно-оптических системах передачи происходят в основном на неоднородностях оптического волокна и соединениях. Кроме них существуют различные виды ...
... АРУ и дифференциальным выходом. Модель PROM-155 дополнительно имеет встроенный усилитель-ограничитель и PECL – выход отсутствия сигнала в линии. Модули предназначены для работы в цифровых волоконно-оптических линиях связи со скоростью передачи информации 2..155 Мбит/c. Технические характеристики оптических модулей приведены в табл. 1.3. Таблица 1.3 – Технические характеристики оптических ...
... . Важную роль при этом играют возможность насыщения поверхностного слоя элементами окружающей среды, рост плотности дислокаций в зоне облучения и другие эффекты. 2.1. Виды поверхностной лазерной обработки В зависимости от степени развития указанных явлений в материале различают несколько видов поверхностной лазерной обработки (табл. 1), возможность реализации которых определяется основном уровнем ...
0 комментариев