Снятие пленки фоторезиста

10. Снятие пленки фоторезиста

Заключительной операцией процесса фотолитографии является удаление фоторезиста, т.е. той фотомаски, которая выполнила свою задачу по формированию рисунка ИМС. Для этого возможно 3 способа: химическая деструкция – разрушение фоторезиста в серной кислоте или в смеси H2SOsub>4:H2O2=3:1; удаление в органических растворителях – ацетон, диметилформамид и др.; плазмохимическая деструкция – обработка в низкотемпературной ВЧ кислородной плазме при давлении 102-103 Па. Плазмохимическое травление (ПХТ) обладает значительным преимуществом как процесс более производительный, более эффективный, дешёвый и поддающийся автоматизации.

Для удаления старой фотомаски, из фоторезиста ФП-383, пользуемся аппарат OSTEC EVG®101, и смывателем СПР-01Ф, удаление производим в течение 3 минут и 1000 об./мин. после чего промываем дистиллированной водой и сушим в центрифуге аппарата.

11. после удаления фотомаски проводим контроль качества полученного рельефа рисунка в подложке микроскопом Nikon Eclipse L200А при увеличении 400х.

Выбор и описание технологического оборудования

Внешний вид установки отмывки и сушки OSTEC ADT 976 представлен на рис. 6 а, принципиальная схема рис. 6 б. Установка последовательно осуществляет струйную обработку пластин деионизованной водой и сушку горячим азотом при одновременном центрифугировании.

Блок отмывки и сушки выполнен в виде цилиндрической камеры 11, через дно которой введен вал центрифуги 14. Привод вращения центрифуги 10 содержит электродвигатель постоянного тока с регулируемым числом оборотов. На валу центрифуги закреплены держатели для 8и пластин. Камера закрывается сверху крышкой 8, которая в рабочем состоянии прижимается к торцу камеры через прокладку 7 с помощью вакуумной рубашки 6. В центре установки закреплен патрубок 9 с форсунками, через которые подается вода для струйной обработки и азот для сушки. Подача воды и азота управляется последовательным включением электромагнитных клапанов 3, в магистрали подачи азота установлен электрический подогреватель 4. В дне камеры выполнено дренажное отверстие 13, сбоку расположен патрубок для соединения с вытяжной вентиляцией 12. Патрубок 1 деионизированная вода патрубок 2 азот патрубок 5 вакуум

Установка совмещения и экспонирования OSTEC EVG620 представлена на рис 7, она состоит из модуля предварительного позиционирования рис 8, манипулятора рис. 9, калибратора рис 10, блока экспонирования рис 11.

Модуль предварительного позиционирования рис 8 состоит из блока предварительного позиционирования a, транспортера b и манипулятора c. Механизм позиционирования подложек a выполнен в виде столика 2 с вакуумным зажимом, вокруг которого установлены 3и ролика, Ролики 1 не имеют собственного привода, ролик 3 получает вращение от электродвигателя. Вращение подложки контролирует датчик 4, определяя положение ее бокового среза, раструб воздушной завесы 11 не дает пыли подлетать к столику. После предварительного позиционирования рука 6 транспортера b накрывает подложку вакуумным захватом 8 подключенного к шлангу вакуума 5. Вращаясь на шарнире 7, рука транспортера устанавливает подложку на поворотный диск 10 манипулятора 9.

Рис. 8 Принципиальная схема модуля предварительного позиционирования уст. OSTEC EVG620

Манипулятор рис. 9 обеспечивает перемещение подложки по ортогональным осям и ее поворот при совмещении с фотошаблоном.

Рис. 9 Принципиальная схема манипулятора установки OSTEC EVG620

Внутри литого корпуса 1 установлен поворотный диск 7 с вакуумным зажимом, соединенный с механизмом вертикальных перемещений рис 10. Поворотный диск центрируется тремя подшипниками 5. Угловой поворот диска 7 производится электродвигателем 9, который по средствам тяги 6, и связанного с ней упора 11, поворачивает диск 7. Перемещение по оси X осуществляется с помощью электродвигателя 10, который по средствам тяги 6, и связанного с ней эксцентрика 4, воздействует на панель 3. Для перемещения по оси Y используется электродвигатель 8, который по средствам тяги 6, и связанного с ней эксцентрика 4, воздействует на панель 3. С противоположных эксцентрикам сторон панель 3 зажимается подпружиненными подшипниковыми упорами 2.

Механизм подготовки совмещения - калибратор рис 10, предназначен для параллельного выравнивания поверхностей подложки и фотошаблона (удаления ˝клина˝) и установления между ними микрозазора. Эти операции необходимы для качественного выполнения совмещения и экспонирования. При уменьшении микрозазора и появление ˝клина˝ возрастает вероятность контакта фотошаблона с подложкой в отдельных зонах, что приводит к износу фотошаблона, и повреждению фоторезиста на подложке. Выравнивания поверхности подложки ведем не по всей поверхности, а лишь по периферийной части. Для этого между подложкой 7 и фотошаблоном 2 вводят калибратор 3, который имеет выступающую отбортовку по краям, выступающий край калибратора защищает рабочую часть фотошаблона и фоторезиста от повреждений. Затем запуская поочередно электродвигатели 9, добиваемся одинакового усилия давления каждого из поршней 8 на площадку 4, что означает полное прилегание подложки 7 к калибратору 3 и калибратора фотошаблону 2.

Рис. 10 Принципиальная схема калибратора установки OSTEC EVG620

Установка и снятие калибратора осуществляется кривошипно-шатунным механизмом 5 при помощи тяги 6. трех опорная система обеспечивает надежную фиксацию подложкодержателя, исключая его разворот.

Блок экспонирования контактного типа рис 11 в качестве источника используется ртутно-кварцевая лампа 1, излучение которой рефлектором 2

Рис. 11 Принципиальная схема блок экспонирования установки OSTEC EVG620

направляется на зеркало 3 и далее в блок линзовых растров 4. Зеркало 5 направляет расходящиеся пучки излучения на конденсор 7, преобразующий его в параллельный (в пределах угла коллимации) поток актиничного излучения, который падает на фотошаблон 8. Фотоприемник 6 служит для контроля дозы экспонирующего излучения

Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста OSTEC EVG®101 представлена на рис. 12. Качество нанесения фоторезиста влияет на качество выходящего продукта в целом и является основополагающим. Одними из главных характеристик данной установки являются: защита от пыли рабочей зоны и точность соблюдения скорости вращения центрифуги. Схема установки OSTEC EVG®101 в общем виде представлена на рис. 13 a внешняя камера аппарата снабжена раструбами воздушной завесы 1, также для удаления пыли, которая может слететь с оператора, установлен раструб воздушной завесы 7. Что обеспечивает минимальное количество включений в сыром фоторезисте.

Рис. 13 Принципиальная схема установки нанесения и проявления фоторезиста OSTEC EVG®101

Для облегчения установки подложек из кассеты на подставку 6 установлен ручной вакуумный захват 2. После установки на подставку рис. 13-d подложка ориентируется под транспортер с при помощи упора 16 и двух роликов, 18 без привода и 17 с электроприводом. Затем рука 5 транспортера рис. 13-с, накрывает подложку вакуумным захватом 8 подключенного к шлангу вакуума 14. Вращаясь на шарнире 15, рука транспортера устанавливает подложку в центрифугу 3 на рабочий стол 9 рис. 13-b. После закрытия крышки 4 трубка подачи фоторезиста 11 поворачивается электроприводом 12 в рабочее положение (жиклером 10 над центром подложки). Центрифуга 3 подробно изображена на рис. 14.

Рис. 14 Принципиальная схема центрифуги установки OSTEC EVG®101

Рабочий стол центрифуги 9 приводится в движение полым валом 26 по средствам электродвигателя 21 через ременную передачу 20. Электродвигатель постоянного тока обеспечивает резкий старт и точный контроль числа оборотов, что важно для хорошего распределения фоторезиста и соблюдения необходимой толщины. Подача вакуума идет через отстойник 29 и штуцер 25, герметичность обеспечивает сальник 27, пробка 28 позволяет сливать попавшие в отстойник жидкости из камеры центрифугирования. Подача фоторезиста на подложку 22 осуществляется через штуцер 19 по трубке 11 в жиклер 10. Обработка подложки едкими составами (проявитель и смыватель) осуществляется через форсунку 13 рис. 13-b подключаемую через штуцер 23. Также аппарат может использоваться для промывки составами низкой активности и сушки центрифугированием. Слив отработанных жидкостей осуществляется через дренажное отверстие 24 в камере центрифугирования 3.

Сушильный аппарат рассмотренный на рис. 15, предназначен для предварительного прогрева, и сушки подложек. Максимальная температура разогрева подложек 150 0С точность удержания ее +/-10C на 1000C. Преимуществами данного аппарата являются: простота конструкции, компактные размеры, низкое (350 Вт.) энергопотребление.

Подложку устанавливаем на крышку 1 рис. 16, с отверстиями вакуумного зажима 2, крышка 1 на шарнирах 5, для загрузки откидывается на угол 1800. СВЧ генератор 7 на базе магнетрона передает излучение по волноводу 6 в рупорную антенну 3 с корректирующей диэлектрической линзой (она применяется для создания плоского фронта СВЧ волн). Закрываем крышку 1 и подложка оказывается над рупорной антенной 3 отделенной от нее защитным экраном 4

Рис. 16 Принципиальная схема сушильной установки Sawatec HP 150

Магнетрон рис. 17 состоит из анодного блока 1, который представляет собой, металлический толстостенный цилиндр с прорезанными в стенках полостями, выполняющих роль объёмных резонаторов 2. Резонаторы образуют кольцевую колебательную систему. Соосно анодному блоку закрепляется цилиндрический катод 3. Внутри катода закреплён подогреватель. Магнитное поле, параллельное оси прибора, создается внешними электромагнитом. Для вывода СВЧ энергии 5 используется, проволочная петля 6, закреплённая в отверстие из резонатора наружу цилиндра. Так как в магнетроне с одинаковыми резонаторами разность частот получается недостаточной, её увеличивают введением связок 4 в виде

Рис.17 Принципиальная схема магнетрона.

металлических колец, одно из которых соединяет все чётные, а другое все нечётные ламели 7 анодного блока.

Микроскоп Nikon Eclipse L200A рис. 18 это идеальный инструмент для полуавтоматической инспекции полупроводниковых пластин в светлом и темном поле, диаметром до 200мм и интегральных микросхем в отраженном свете на наличие дефектов.

Для темнопольнои микроскопии пользуются обычными объективами и специальными темнопольными конденсорами. Основная особенность темнопольных конденсоров заключается в том, что центральная часть у них затемнена и прямые лучи от осветителя в объектив микроскопа не попадают. Объект освещается косыми боковыми лучами и в объектив микроскопа попадают только лучи, рассеянные частицами. Чтобы в объектив не попадали прямые лучи от осветителя, апертура объектива должна быть меньше, чем апертура конденсора. Для уменьшения апертуры в обычный объектив помещают диафрагму или пользуются специальными объективами, снабженными ирисовой диафрагмой.

При темнопольной микроскопии частицы выглядят ярко светящимися на черном фоне. При этом способе микроскопии могут быть обнаружены мельчайшие частицы, размеры которых лежат за пределами разрешающей способности микроскопа. Однако темнопольная микроскопия позволяет увидеть только контуры объекта, но не дает возможности изучить внутреннюю структуру. Для темнопольной микроскопии применяют более мощные осветители и максимальный накал лампы.

Часто повторяющиеся операции такие как: смена методов контрастирования и объективов, управление апертурой, фокусировка и регулировка интенсивности освещения выполнены на передней панели рис. 19, моторизированы и могут управляться с панели управления рис. 20. Моторизация и внешняя панель управления, обеспечивает быстрое и простое управление микроскопом не отрывая глаз от объекта исследования. При этом фактически отсутствует необходимость каких либо ручных манипуляций над образцом, что предотвращает его загрязнение по вине оператора. Элементы микроскопа покрытые составом, обеспечивающим электростатическое разряжение, для предотвращения электростатических разрядов, и адгезии посторонних частиц к микроскопу, что минимизируют вероятность загрязнения объекта исследования, увеличивая производительность.

Оптимальные условия наблюдения могут быть сохранены отдельно для каждого объектива и восстановлены лишь простой сменой увеличения.

Такая возможность обеспечивает полную воспроизводимость результатов исследования, а так же существенно ускоряет работу с микроскопом. Процесс инспекции может меняться в зависимости от типа подложки и предпочтений пользователя. Поэтому возможность программирования исключает рутинный процесс подстройки. Чтобы начать работу, нужно лишь выбрать сохраненный файл с именем оператора, и применить предустановки в зависимости от метода контрастирования, увеличения объектива, объекта исследования, фокусировки, позиции столика, апертуры и интенсивности света.

Оценка технологического процесса

Основными контролируемыми параметрами являются геометрические размеры, топология и наличие дефектов покрытия. Контроль проводится при помощи полу автоматизированного микроскопа Nikon Eclipse L200А (описанного выше) в светлом и темном поле.

 1. Процесс отмывки, описанный выше в п. 1 описания технологического процесса, оканчивается контролем качества отмывки. Посторонние частицы и другие точечные загрязнения на подложке дают преломление света, в темном поле микроскопа и выглядят ˝звездами˝ на темном фоне. Количество этих частиц практически пропорционально количеству забракованных ИМС, оценку их количества проводим подсчитывая число потенциального брака, визуально. При большом количестве точек, больше расчетного относительно ранее проведенного процесса, проводится более тщательная очистка.

2. После проявления и полимеризации фоторезиста п. 8 описания технологического процесса, контроль рельефа в пленке фоторезиста проводим визуально под микроскопом. Проверяя всю рабочую поверхность подложки с имеющимися на ней элементами рисунка из пленки фоторезиста. Контролируются следующие основные критерии качества пленки: чистота рабочего поля пленки фоторезиста, наличие проколов и их количество, геометрические размеры элементов рельефа, неполное удаление фоторезиста в окнах, искажение формы элементов рисунка, наличие ореола и клина в рельефе рисунка. При обнаружении того или иного дефекта в пленке фоторезиста проводят анализ возможных причин его появления. После этого составляют план мероприятий по доработке отдельных технологических операций.

3. После удаления фотомаски п. 11 описания технологического процесса, контроль рельефа в подложки проводим визуально под микроскопом. Контролируя рабочую поверхность на соответствие ее топологии и геометрии элементов плану. Контролируются следующие основные критерии качества: наличие каверн, разрывов и их количество, геометрические размеры элементов рельефа; неполное удаление фотомаски, искажение формы элементов рисунка, наличие сужений, утолщений и изменений глубины рисунка. При обнаружении того или иного дефекта в пленке фоторезиста проводят анализ возможных причин его появления. После этого составляют план мероприятий по доработке отдельных технологических операций.

1

I

МГОУ

605124

605124 ВТД

Пластина

0

С

НПП

Обозначение ДСЕ

Наименование ДСЕ

кп

Ф

НПП

Обозначение комплекта ТД

Наименование комплекта ТД

листов

Г

Обозначение ТД

Услов. обозн.

Лист

Листов

Примечание

Ф 1

605124 Пластина 9

Ф 2

605124 ТЛ Титульный лист 1

Ф 3

605124 ВО Ведомость оборудования 1

4

5

6

Сборочные единицы

7

С 8

605124 Пластина

Г 9

605124 МК 4

Г 10

605124 ОК 1

Г 11

605124 ОКУ 3

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

Разраб.

Н. контр.

ВТД /ВДП

Ведомость технологической документации

2

1

МГОУ

605124

605124 ВО

0

С

НПП

Обозначение ДСЕ

Наименование ДСЕ

кл

В

Цех

уч.

РМ

Опер.

Код, наименование операции

Т

опер.

Обозначение ТО

Кол

Наименование ТО

Д

НПП

Код, наименование оборудования

С 1

605124 Пластина

2

Т 3

ADT 976 Установка отмывки OSTEC

Д 4

EVG 101 Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста OSTEC

Д 5

HP 150 Установка сушильная Sawatec

Д 6

EVG 620 Установка совмещения и экспонирования OSTEC

Т 7

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 8

ТУ 64-1-37-78 Пинцет ПС 160 3.О

Т 9

ТУ 3-3.1210-75М Микроскоп инспекционный Nikon Eclipse L200A

Т 10

ВТМ 4.189. 017 Тара для хранения пластин

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

Разраб.

Н. контр.

ВО/ВОБ

Ведомость оборудования

3

1

МГОУ

605124

605124 МК

В

Цех

УЧ.

РМ

Опер.

Код, наименование операции

Г

Обозначение документа

Д

Код, наименование оборудования

Е

см

проф

Р

УТ

КР

КОИД

ЕН

ОП

К шт

Тпз

Т шт

Л/М

Наименование детали, сб. единицы или материала

Н/М

Обозначение, код

ОПП

ЕВ

ЕН

КИ

Н. расх.

В 1

005 Очистка подложки

2

Г 3

605124 ОКУ

4

Т 5

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 6

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 7

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

М 8

ОСТ 11.029.003 - 80 Вода деионизированная марки А

Н 9

Склад Л 8 12

М 10

ГОСТ 9293-74 Азот газообразный

Н 11

Склад Л 8 6

Д 12

ADT 976 Установку отмывки OSTEC

13

В 14

010 Контроль качества отмывки

15

Г 16

605124 ОК

17

Т 18

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 19

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 20

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Д 21

ТУ 3-3.1210-75М Микроскоп инспекционный Nikon Eclipse L200A

22

В 23

015 Нанесение фоторезиста

24

Г 25

605124 ОКУ

26

Уважаемый преподаватель курсовая скачена из интернета и студентом даже не прочитана

Т 27

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 28

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 30

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Разраб.

Н. контр.

МК

Маршрутная карта

2

МГОУ

605124

605124 МК

В

Цех

УЧ.

РМ

Опер.

Код, наименование операции

Г

Обозначение документа

Д

Код, наименование оборудования

Е

см

проф

Р

УТ

КР

КОИД

ЕН

ОП

К шт

Тпз

Т шт

Л/М

Наименование детали, сб. единицы или материала

Н/М

Обозначение, код

ОПП

ЕВ

ЕН

КИ

Н. расх.

М 1

ТУ 2378-005-29135749 Фоторезист ФП 383

Н 2

Склад Л 1 5·10-3

Д 3

EVG 101 Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста OSTEC

4

В 5

020 1я сушка

6

Г 7

605124 ОКУ

8

Т 9

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 10

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 11

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Д 12

HP 150 Установка сушильная Sawatec

13

В 14

025 Совмещение и экспонирование

15

Г 16

605124 ОКУ

17

Т 18

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 19

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 20

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Д 21

EVG 620 Установка совмещения и экспонирования OSTEC

22

В 23

030 Проявление фоторезиста

24

Г 25

605124 ОКУ

26

Т 27

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 28

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 30

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Разраб.

Н. контр.

МК

Маршрутная карта

3

МГОУ

605124

605124 МК

В

Цех

УЧ.

РМ

Опер.

Код, наименование операции

Г

Обозначение документа

Д

Код, наименование оборудования

Е

см

проф

Р

УТ

КР

КОИД

ЕН

ОП

К шт

Тпз

Т шт

Л/М

Наименование детали, сб. единицы или материала

Н/М

Обозначение, код

ОПП

ЕВ

ЕН

КИ

Н. расх.

М 1

ТУ 2378-007-29135749 Проявитель УПФ-1Б

Н 2

Склад Л 1 0.4

Д 3

EVG 101 Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста OSTEC

4

В 5

035 2я сушка

6

Г 7

605124 ОКУ

8

Т 9

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 10

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 11

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Д 12

HP 150 Установка сушильная Sawatec

13

В 14

040 Контроль рельефа рисунка фоторезиста

15

Г 16

605124 ОК

17

Т 18

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 19

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 20

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Д 21

ТУ 3-3.1210-75М Микроскоп инспекционный Nikon Eclipse L200A

22

В 23

045 Травление подложки

24

Г 25

605124 ОКУ

26

Т 27

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 28

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 30

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Разраб.

Н. контр.

МК

Маршрутная карта

4

МГОУ

605124

605124 МК

В

Цех

УЧ.

РМ

Опер.

Код, наименование операции

Г

Обозначение документа

Д

Код, наименование оборудования

Е

см

проф

Р

УТ

КР

КОИД

ЕН

ОП

К шт

Тпз

Т шт

Л/М

Наименование детали, сб. единицы или материала

Н/М

Обозначение, код

ОПП

ЕВ

ЕН

КИ

Н. расх.

М 1

Травитесь

Н 2

Склад Л 1 0.6

Д 3

Установка травления

4

В 5

050 Снятие пленки фоторезиста

6

Г 7

605124 ОКУ

8

Т 9

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 10

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 11

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

М 12

ТУ 2378-008-29135749 Сниматель СПР-01Ф

Н 13

Склад Л 1 0.8

Д 14

EVG 101 Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста OSTEC

15

В 16

055 Контроль рельефа рисунка подложки

17

Г 18

605124 ОК

19

Т 20

БАВнп-01 1, 2(01) БОКС укрытие "Ламинар-С"

Т 21

ТУ 64 – 1 – 37 – 78 Пинцет ПС 160 30

Т 22

ВТМ 4. 189. 017 Тара для хранения пластин

Д 23

ТУ 3-3.1210-75М Микроскоп инспекционный Nikon Eclipse L200A

24

25

26

27

28

30

Разраб.

Н. контр.

МК

Маршрутная карта

4

1

Разраб.

МГОУ

605124

605124 ОК

Пров..

Утв.

Кристал

Н. контр.

Наименование операции

Наименование, марка материала

МД

Контроль рельефа рисунка фоторезиста

Наименование оборудования

То

Тв

Обозначение иот

Микроскоп инспекционный Nikon Eclipse L200A

Р

Контролируемые параметры

Код средств ТО

Наименование средств ТО

Объем и ПК

То / Тв

01

Внешний вид изделия

Микроскоп Nikon Eclipse L200A

1. В процессе работы должна быть

02

(чистота пленки фоторезиста,

ТУ 3-3.1210– 75

отбракованна пластина в случае:

03

наличие проколов, геометрические

Пинцет ПС 160 30

- неполное удаление фоторезиста

04

размеры элементов рельефа)

ТУ 64 – 1 – 37 – 78

- наличие прополов и царапин на

05

рабочей поверхности фоторезиста

06

- изменение геометрических размеров

07

рельефа (сужения, уширения, разрывы)

08

2. При обнаружении брака разрешается:

09

- снять пластину с производства

10

направить на повторную обработку

11

направить в изолятор брака

12

13

14

ОК

Карта операционного контроля

5

1

МГОУ

605124

605124 ОКУ

В

Цех

УЧ.

РМ

Опер.

Код, наименование операции

Г

Обозначение документа

Д

Код, наименование оборудования

Т

Код, наименование технологической оснастки

Л/М

Наименование детали, сб. единицы или материала

О

Содержание операции(перехода)

ТО

В 1

Совмещение и экспонирование

2

Г 3

605124 ОКУ

4

Д 5

EVG620 Установку совмещения и экспонирования OSTEC

6

Т 7

ТУ 64-1-37-78 Пинцет ПС 160 3.0

8

Т 9

ВТМ 4.189. 017 Тара для хранения пластин

10

М 11

ТУ 25-05-1771-75 Вакуум

12

М 13

ГОСТ 2874 – 82 Вода питьевая

14

М 15

ГОСТ 18300 – 87 Спирт этиловый ректификованный технический

16

М 17

ГОСТ 11680 – 76 Ткань хлопчатобумажная бязевой группы

18

Л 19

605124 Пластины с операции

20

21

22

23

24

25

26

27

28

Разраб.

Н. контр.

ОКУ

Операционная карта универсальная

2

МГОУ

605124

605124 ОКУ

Т

Код, наименование технологической оснастки

Л/М

Наименование детали, сб. единицы или материала

О

Содержание операции (перехода)

То

Настоящая технологическая операция предназначена для оптической контактной литографии. К работе на данной технологической операции допускаются лица, прошедшие аттестацию. Перед началом работы наладчику проверить срок аттестации оборудования, сделать отметку в журнале, при нарушении требований аттестации доложить руководителю подразделения. Технологические одежда и принадлежности (халат, тапочки и шапочка). Работающих на данной операции должны соответствовать требованиям ГОСТ 12.4.103-83. рабочее место содержать в соответствии с инструкцией. Замерять запыленность ежедневно с записью в журнале. Запыленность не должна превышать 3, 5 пылинки размером более 0, 5 мкм на 1 литр воздуха. Если степень запыленности превышает норму, к работе не приступать, сообщить руководителю. На данную технологическую операцию требования электронной гигиены составляют: класс чистоты на рабочем месте – 100, класс чистоты в общем объеме помещения – 1000, температура - 22 + 0, 5 0C, влажность – 40 + 5%. Протирать рабочее место салфетками, смоченными водой, не реже 3 раза в смену: перед началом работы, после обеденного перерыва и в конце смены. Протирать наконечники пинцетов салфетками, смоченными спиртом в начале работы и через 2-3 часа работы. Получить у руководителя по спирт и салфетки. Спирт хранить в бюксе, салфетки в стакане. Получить подложку в таре с предыдущей операции – 1я сушка фоторезиста. Время межоперационного хранения подложек не должно превышать 2х часов. При неисправностях оборудования остановить работу и сообщить руководителю подразделения Включить установку совмещения и экспонирования OSTEC EVG620. Включить подачу вакуума. Проверить работу воздушной завесы Загрузить подложку пинцетом в блок предварительного позиционирования установки. Активировать функцию – подготовка к работе, загрузка Визуально проконтролировать: предварительное позиционирование, транспортировку на манипулятор - соответствует ли положение подложки на столике, нарисованному рядом эскизу - устанавливает ли погрущик подложку в центр поворотного диска манипулятора После установи закрыть крышку манипулятора. Активировать функцию - автоматическая калибровка При появление надписи колеровка выполнена приступать к совмещению С помощью джойстика и монитора встроенного электронного микроскопа произвести совмещение: - сначала грубое совмещение строк и столбцов, - а затем точное совмещение по реперным знакам В меню экспонирование выбрать соответствующую программу - номер программы взять у руководителя подразделения Активировать функцию – экспонирование - Проконтролировать время по встроенному электронному секундомеру - Проконтролировать освещенность по встроенному люксметру - При снижение освещенности и появление соответствующей надписи на табло установки, остановить работу и сообщить руководителю подразделения о необходимости замены лампы осветителя. При соблюдение параметров программы сделать отметку в журнале Активировать функцию – разгрузка завершение работы Забрать подложку пинцетом со столика, поместить в тару

ОКУ

Операционная карта универсальная

3

МГОУ

605124

605124 ОКУ

Т

Код, наименование технологической оснастки

Л/М

Наименование детали, сб. единицы или материала

О

Содержание операции (перехода)

То

Заполнить сопроводительный лист и рабочий журнал. Отправить подложку на следующую операцию проявление фоторезиста По окончании работы: - выключить установку; - перекрыть подачу вакуума; При работе на установке соблюдать требования по электробезопасности, установленные инструкцией по ТБ. Не приступать к работе на установке без получения общего инструктажа по технике безопасности, который проводится руководителем подразделения не реже одного раза в квартал с отметкой в журнале. Прекратить немедленно работу и сообщить руководителю подразделения, если при соприкосновении с установкой ощущается воздействие электрического тока. Ремонт и наладку установки производить только наладчику. Оператору запрещается вскрывать электрические блоки установки. Уважаемый преподаватель курсовая скачена из интернета и студентом даже не прочитана

ОКУ

Операционная карта универсальная

 

Заключение

Сутью литографического процесса является создание на поверхности подложки защитной фотомаски, своего рода трафарета для последующих процессов. Литография контактным способом, один из путей создания такого трафарета, имеющий свои плюсы и минусы. Не один из способов литографии не является универсальным, но вместе они покрывают весь спектр задач данной технологии.

В табл. 5 приведены результаты сравнения 3х типов литографических процессов. Реальная ширина экспонируемой линии, примерно в 4 раза превышает точность совмещения.

Таблица 2. Сравнение экспонирующего оборудования,

и соответствующих ему шаблонов и резистов.

	Контакт	Электронный луч	Рентгеновское излучение
Минимальный размер	1	5	4
Производительность	4	1	1
Стоимость и простота шаблона	2	3	1
Чувствительность к рельефу	2	4	4
Простота резиста и его стоимость	4	1	1
Стоимость оборудования	5	1	2
Простота управления	5	4	3
Восприимчивость к дефектам	1	4	4
Перспективы развития для субмикронной литографии	1	5	3
Общий балл	26	32	26
Место	4	1	4

Ключом к высокопроизводительной и качественной литографии являются высококачественные стойкие шаблоны, которые способны выдерживать термические и механические напряжения. Возможность изготовления маски с резкостью края лучше чем 1/10 воспроизводимого размера, обеспечения достаточной плоскости шаблона и сохранения ее, а также рисунка неизменным во время экспонирования.

Список литературы

А. И. Курносов, В. В. Юдин – Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 1986 г.

Ю. В. Панфилов Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы.

ЗАО "Фраст-М" каталог фоторезистов.

ЗАО "Фраст-М" фоторезист позитивный ФП-383 ТУ 2378-005-29135749-2007 характеристики и применение.

Ostec micro каталог продукции – установки для литографических процессов.

Установка отмывки полупроводниковых пластин Ostec ADT 976 руководство по эксплуатации.

Установка нанесения, проявления и снятия фоторезиста Ostec EVG®101 руководство по эксплуатации.

Установка прецизионного двухстороннего совмещения и экспонирования Ostec EVG620 руководство по эксплуатации.

Nikon каталог продукции – Микроскопы для исследования полупроводниковых пластин.

Прямой моторизированный инспекционный микроскоп Nikon Eclipse L200А руководство по эксплуатации.

Sawatec каталог продукции – температурные установки.

Установка сушильная Sawatec HP 150 руководство по эксплуатаци