5. Вхідна та вихідна ємність зв’язку розраховується на нижній граничній частоті
Ср1 = 1/ 2p¦н R1 // R2 // [h21е (rе +Rш)].
Ср1 =
Ср1= = 29 × 10-6 Ф
Із ряду номіналів Е24 в більшу сторону приймаємо ємність рівною 30 мкФ
Ср2 >
Ср2 = = 1,59 (мкФ)
Із ряду номіналів Е24 в більшу сторону приймаємо ємність рівною 1,6 мкФ
Завдання.
Розрахувати підсилювач потужності середнього класу якості.
Вихідні дані:
потужність на виході Rн = 50 Вт,
опір навантаження RН = 8 Ом,
напруга сигналу на вході UВХ = 1,8 В,
нижня гранична частота fН = 20Гц,
гранична частота транзисторів fa³ 3 МГц,
режим АВ, напруга живлення - симетрична.
Вибір схеми підсилювача
Згідно до вимог, які ставляться до підсилювачів середнього класу якості, складемо таку схему (рис.2.1): вхідний каскад - диференційний на транзисторах VT1 і VT2 (відмінна стабільність за постійним струмом, між каскадами не потрібні розділювальні конденсатори, два входи), проміжний каскад - підсилювач зі СЕ на транзисторі VT3, вихідний каскад - двотактний емітерний повторювач на транзисторах VT4 і VT5, між базами яких включені діоди VD1…VD3 для зміщення каскаду в стан провідності (для поліпшення температурної компенсації діоди повинні мати тепловий контакт з вихідними транзисторами), режим роботи АВ, вихідна напруга надходить в коло зворотного зв’язку R4, R5, C2 (наявність С2 означає, що коефіцієнт зворотного зв’язку за постійним струмом дорівнює одиниці, це мінімізує дрейф і гарантує зневажено мале значення постійної напруги на виході підсилювача - тому не потрібні конденсатори на виході). За допомогою резисторів R7, R8 виконується невеликий зворотній зв’язок за струмом, який поліпшує стабільність за постійним струмом.
Рисунок 2.1 - Схема підсилювача потужності з НЗЗ.
Розрахунок схеми:
1. Визначаємо за невеликим запасом потужність, яку повинні віддавати транзистори обох плеч каскаду
Р~ ³ 1,1· Рн. (2.1)
Р~ ³ 1,1· 50 ³ 55 Вт.
Приймаємо потужність, яку повинні віддавати транзистори обох плеч каскаду Р~ = 60 Вт.
2. Потрібна амплітуда напруги на навантаженні
(2.2)
= 31 В.
3. Максимальній вихідний струм (струм колектора)
(2.3)
= 3,9 А.
4. Потрібна напруга живлення
(2.4)
= 64 В.
де Uк min - напруга на колекторі, що відповідає початку лінійної частки характеристик колекторного струму. Приймаємо Uк min = 1,0 В.
5. Вибираємо потужні транзистори протилежного типу провідності (так звану комплементарну пару) VT4 і VT5 за потужністю Р~ і . За довідковими даними позначаємо середнє значення bо. Транзистори, які можуть бути використані в даній схемі - це КТ 816В та КТ 817В, їхні параметри: КТ 818АКТ 819А
Pк max = 25 Вт,Pк max = 25 Вт,
Uкбо = 60 B,Uкбо = 60 B,
h21е ³ 25,h21е ³ 25,ІКМ = 3А, ІКМ = 3А,
fa³ 3 МГц, fa³ 3 МГц,
тир p-n-pтир n-p-n
Приймаємо середнє значення bо рівним 25 для VT4 і VT5.
6. Підсилювач класу АВ повинен мати достатньо великий струм спокою у момент переходу сигналу через нуль, тобто тоді протягом деякого інтервалу часу обидва транзистори находитимуться у стані провідності, що забезпечується за допомогою діодів VD1…VD3 зміщених у прямому напрямку. Вони повинні забезпечити потрібну напругу зміщення DU. Яка створюється сумою напруг база-емітер Uбе обох транзисторів VT4 і VТ5 і Іо (R7 + R8), тобто DU = 2Uбе + Іо (R7 + R8). Звичайно приймають для потужних транзисторів Uбе = 0,6В (кожному транзистору потрібні 0,6 В на переході база-емітер для того, щоб через нього протікав помітний струм).
Струм спокою Іо слід вибрати з мінімуму перехідних нелінійних спотворень. Якщо потужність на гучномовці обмежена 1 Вт, то Іо = 5…10 мА. Для потужності 10…30 Вт - Іо = 40…60 мА. Тому обираємо струм спокою рівний Іо = 60 мА. Опір резисторів R7,R8 вибирають не більш як декілька ом або менше, а падіння напруги на них дорівнює не більш декількох частин вольта. Разом з тим вони ввімкнути послідовно з Rн і тому зменшують потужність, яка віддається в навантаження. Виходячи з цього доцільніше прийняти Іо (R7 + R8) = Uбе= 0,6В і визначаємо R7 = R8, тобто
R7 = R8 = Uбе / Іо × 2 (2.5)
R7 = R8 = 0,6/ (100 × 10-3 × 2) = 3 Ом.
Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистори рівні 3 Ом.
Приймаємо потужність резисторів рівною 0,125 Вт.
Для роботи транзисторів VT4 і VТ5 потрібні 0,6 В на переході база-емітер, для цього потрібні три діоди, кожен з котрих дає Uд = 0,6 В.
... 4. Як графічно позначаються польові транзистори? Інструкційна картка №9 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки» І. Тема: 2 Електронні прилади 2.4 Електровакуумні та іонні прилади Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумово ...
... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...
... швидкості (доплерівські локатори), власне локатори (дальність, азимут, і кут місця). 2.2 Наземні лазерні далекоміри Лазерна дальнометрія є однією з перших областей практичного застосування лазерів у закордонній військовій техніці. Перші досліди відносяться до 1961 року, а зараз лазерні далекоміри використовуються і в наземній військовій техніці (артилерійські, такі), і в авіації (далекоміри, ...
... і базового струму? 7. Опишіть включення біполярного транзистора в режимі підсилення напруги. напівпровідник перемінний струм транзистор Лабораторне заняття 16 «Основи електроніки» 1. Виконати завдання інформаційно-репродуктивного і практично-стереотипного характеру, користуючись таблицями. Таблиця 10.1 Номер запитання, завдання Запитання, завдання Номер відповіді ...
0 комментариев