2.7 Розрахунок елементів блоку синхронізації

Рисунок 2.5 – Схема блока синхронізації.
Розрахунок блоку синхронізації робимо з урахування наступних даних:
IН>Iбv1, UН>Uвv1=U'2=30 (В), Ек= (В).

Максимальна потужність:
Pmax=I Ek=0,0025
Ek=0,0025 20=0,05(Вт)
20=0,05(Вт)
Обираємо транзистор типу КТ 203 Б з наступними параметрами: Uк.доп.=30(В); Iк.доп=10(мА); β=30-150; fа=5(мГц); Uе.б.=15(В); Pроз.=150(мВТ).
Визначаємо опір R2:

Потужність, що розсіюється опором R2 визначається як:
PR2=Ik2 R2=0,01
R2=0,01 500=0,05(Вт).
500=0,05(Вт).
Приймаємо опір R2 МЛТ-0,1-500 (Ом).
Визначаємо величину струму бази:

Визначаємо опір R1:

Потужність, що розсіюється опором R1 визначається як:
PR1=Iб2 R1=0,00162
R1=0,00162 9375=2,4(Вт)
9375=2,4(Вт)
Приймаємо опір R1 ОМЛТ-5-10 (кОм), конденсатор С1=10 (мкФ).
Коефіцієнт трансформації трансформатора:

Через малу потужність розрахунок трансформатора не проводиться. Вторинна обмірка трансформатора може розташуватися на силовому трансформаторі джерела живлення.

3 РОЗРАХУНОК ПАРАМЕТРІВ ДЖЕРЕЛА ЖИВЛЕННЯ ДЛЯ СІФУ
3.1 Вибір схеми і розрахунок основних параметрів джерела живлення.
Вибираємо схему джерела живлення:

Рисунок 3.1 – джерело живлення СІФУ.
Визначаємо мінімальні припустиму вхідну напругу стабілізатора:

Номінальне і максимальне значення напруги на вході стабілізатора при коливанні мережі на ± 10%.

Максимальне падіння на регулюючому транзисторі:
Uек.мах.=Uвх.мах.-Uвих.=30-24(В)
Максимальна потужність розсіювання на транзисторі VT3:
PV2=Uек.мах. Iвих.мах.=6
Iвих.мах.=6 0,2=1,2(Вт)
0,2=1,2(Вт)
Вибираємо регулюючий транзистор П214 з параметрами: Pк.доп=10(Вт). Uк.доп.=45(В); Iк.мах.=5(А); β1=30.
Колекторний струм транзистора:

Максимальна потужність розсіювання на транзисторі VT2:
PV1=Uек.мах. Iк1.мах.=10
Iк1.мах.=10 0,012=0,12(Вт).
0,012=0,12(Вт).
Вибираємо транзистор, що согласує, ГТ403А с параметрами: Pк.доп=0,6(Вт). Uк.доп.=30(В); Iк.мах.=1,25(А); β1=20..60.
Базовий струм транзистора, що согласує:

Опір R4, що задає струм Ic дорівнює:

Потужність розсіювання опора R4 дорівнює:
PR4=Iс2 R4=0,0052
R4=0,0052 4000=0,1(Вт)
4000=0,1(Вт)
Напруга на колекторі підсилювання транзистора VT4:
Uекv1=Uвих.-Uст1=24-10=14(В); Uст1<Uвих.мін.=19-3=16(В).
Вибираємо стабілітрон
Д811 з Uст1=(10..12)В; Iст1=5 (мА)
Задаємось максимальним колекторним струмом підсилювального транзистора Iкv3.max.5(мА), тоді потужність, що розсіюється на колекторі VT4:
PkV3=UekV32 Ik.max=10
Ik.max=10 0,005=0,05(Вт).
0,005=0,05(Вт).
Вибираємо підсилювальний транзистор МП39 з параметрами: Pк.доп=0,15(Вт). Uек.доп.=15(В); Iк.мах.=0,04(А); ; Iк.мах.=0,04(А).
Опір R2 знаходимо як:

Задаємо струм дільника Iд=5…10(мА). Коефіцієнт передачі дільника:

Сумарний опір дільника:

Визначаємо мінімальний і максимальний ККД стабілізатора:

... 4. Як графічно позначаються польові транзистори? Інструкційна картка №9 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки» І. Тема: 2 Електронні прилади 2.4 Електровакуумні та іонні прилади Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумово ...
... напругою 127 і 220 В, частотою 50 Гц із відхиленнями від +5% до - 15% від номіналу; потужність, споживана з мережі, не більш 280 Вт; маса апарата 23 кг. Апарат для ультразвукової терапії УЗТ-31. Апарат призначений для лікування акушерсько-гінекологічних захворювань, але застосовується також в оториноларингології, стоматології дерматології й в інших областях медицини. Апарат розроблений ВНИИМП і ...
... трудомістка і складна справа. Тому частіше всього для оцінки нагрівання двигуна використовують непрямі методи, зокрема, метод еквівалентних величин і метод середніх втрат. Оскільки електропривод візка мостового крана працює у повторно-короткочасному режимі, то для перевірки його на нагрівання необхідно побудувати навантажувальну діаграму двигуна на підставі рівняння /23/, в яке входить момент і ...
... і вказівки до дипломного проектування для студентів спеціальності “Радіотехніка” /Укл. В.О.Дмитрук, В.В.Лисак, С.М.Савченко, В.І.Правда. – К.: КПІ, 1993. – 20 с. 8. Костиков В.Г., Парфенов Е.М., Шахнов В.А. Источники электропитания электронных средств. Схемотехника и конструирование: Учебник для вузов. – 2-е изд. – М.: Горячая линия – Телеком, 2001. – 344 с.: ил. 9. Перельман Б.Л. ...
0 комментариев