2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру

Розрахуємо орієнтовану площу плати.

Для визначення мінімально допустимої площі плати ГІМС, необхідно провести площі під кожний вид плівкових і навісних елементів: резисторів, конденсаторів, контактних площадок, дискретних компонентів. Площу плати визначають по формулі:

 (2.9)

Для цього:

1)  Розрахуємо площу резистивного шару [5]:

 

2) Розрахуємо площу контактних площадок:

 

Отже,  


2.4 Розробка топології плати ГІМС

Основною особливістю конструювання напівпровідникових інтегральних схем являється необхідність врахування взаємозв’язку між параметрами елементів, що створюються тим чи іншим способом, з яких створюються елементи, фізичними процесами в них і технологією виготовлення. Розміри і форму кожного елементу мікросхеми задають фотошаблоном і режимом локальної дифузії, тобто підбираючи розміри фотошаблону, концентрацію домішок, режими дифузії і т.п., можна створювати елементи параметрами, що вимагаються.

Розробка топології – основний етап в проектуванні напівпровідникових інтегральних схем, на якому вирішуються питання компоновки елементів мікросхеми і з’єднань між ними. Для цього попередньо аналізується принципова електрична схема, вибрана для інтегрального виконання.

Розробку топології проводимо від третьої особи в такій послідовності: складання комутаційної схеми з’єднання елементів на платі; розрахунок конструкцій плівкових елементів; визначення необхідної площі плати і узгодження з типорозміром корпуса, вибраного для ГІМС; розробка ескізу топології; оцінка якості розробленої топології і при необхідності її коректування.

Для складання схеми з’єднань на принциповій електричній схемі плівкові елементи і навісні компоненти, послідовність їх розташування і проводить спрощення схеми з’єднань з метою зменшення кількості перетинів провідників і зменшення їх довжини.

Далі приступають до розробки ескізу топології. На цьому етапі розв’язують задачу оптимального розміщення на платі плівкових елементів, навісних компонентів і з’єднань між ними, а також між зовнішніми контактними площадками на платі і виводами корпуса.

Для розробки ескізних топологічних креслень необхідно знати: схему електричну принципову і схему з’єднань елементів; форму і геометричні розміри плівкових елементів і навісних компонентів; орієнтовні розміри і матеріал плати, попередньо вибраний метод індивідуальної герметизації, вид і розміри корпуса чи метод встановлення плати в блоці при груповій герметизації.

Загальними принципами проектування топологічної структури є:

-мінімізація площі, яку займають елементи і схема в цілому;

-мінімізація кількості перетинів міжелементних з’єднань;

-рівномірне розміщення елементів по площі підкладки;

-мінімізація кількості матеріалів, які застосовуються для реалізації плівкових елементів;

-підвищення ступеня інтеграції елементів і технологічних процесів.

Початковий етап розробки топології полягає в виготовленні ескізних креслень, виконаних на міліметровому папері в масштабі 10:1 чи 20:1.

Обравши масштаб 10:1, розрахувала своє креслення на міліметровці.

Далі необхідно усунути недоліки цього варіанту, тобто креслить топологічне креслення з урахуванням всіх стандартних умов, вказую матеріали виготовлення, оформляю таблиці та пишу технічні вимоги. В якості резистивного шару обирає кермет, оскільки схема не потребує високої точності і не розсіює багато тепла; в якості провідників та приєднань конденсаторів обираю мідь, а контактні площадки припайки ніжок мікросхеми з алюмінію

2.5 Топологічне креслення окремих шарів

При переробці першого варіанту топології звичайно не вдається отримати досконалу конфігурацію шарів, тому робота над наступними варіантами топології зводиться до усунення недоліків першого варіанту для того, щоб креслення відповідало всім конструктивно-технологічним вимогам і обмеженням.

Після того, як остаточно вибраний варіант топології, приступають до виконання креслень шарів мікросхеми по елементам (резистори, провідники, контактні площадки і т.д.).Наприклад, для резистивного шару виконується таблиця координат, в якій приводяться координати всіх вершин кожного із резисторів. Відповідно цим координатам виконуються всі плівкові резистори. Окрім резистивного шару більше нічого не зображується. Також приведені розміри для довідок.


Информация о работе «Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 43904
Количество таблиц: 4
Количество изображений: 6

Похожие работы

Скачать
142838
20
5

... і, нарешті, крипторотоколу. Це все було зроблено для того, щоб полегшати формалізування опису протоколів для доказування їхньої стійкості. Розділ 3. Оцінка стійкості криптографічних протоколів на основі імовірнісних моделей 3.1. Методика оцінки стійкості Формальний доказ стійкості в рамках обчислювальної моделі складається з трьох етапів. 1. Формальна поведінка учасників протоколу і ...

Скачать
164335
52
0

... і функції, тобто вимірювати відхилення швидкості магнітної стрічки та коефіцієнт детонації у відповідних умовах експлуатації протягом досить тривалого часу. В конструкції максимально використані стандартні і нормалізовані вироби. Детонометр має невеликі габаритні розміри, споживає малу кількість електроенергії. Прилад простий і зручний в експлуатації. Вступ Бурхливий розвиток науки і техніки на ...

Скачать
191192
6
39

... принтера також містить різні мови опису даних (Adobe PostScript, PCL і тощо.). Ці мови знову ж таки призначені для того, щоб забрати частину роботи у комп'ютера і передати її принтеру. Розглянемо фізичний принцип дії окремих компонентів лазерного принтера. 2.5.29 Фотобарабан Як вже писалося вище, найважливішим конструктивним елементом лазерного принтера є фотобарабан, що обертається, за ...

0 комментариев


Наверх