Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ

(Государственный Технический Университет)

Контрольное домашнее задание по дисциплине

«Электротехника и Электроника»

На тему:

«Определение параметров полупроводниковых приборов по их

статическим вольтамперным характеристикам»

Выполнил

студент 921 учебной группы

Антонов В.Г

Проверил

доцент Полубедов В.С.

Серпухов, 2010г.

Содержание

1. Назначение полупроводникового прибора

2. Электрические параметры полупроводникового прибора

3. Предельные эксплуатационные данные полупроводникового прибора

4. Вольтамперные характеристики полупроводникового прибора

5.Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

Список литературы

1. Назначение полупроводникового прибора

1) Выпрямительный Диод Д202

Выпрямительным диодом (или выпрямителем) называют компонент электрической цепи, преобразующий переменный ток в постоянный. Обычно это полупроводниковый диод, оказывающий высокое сопротивление току, текущему в одном направлении, и низкое сопротивление току, текущему в одном направлении, и низкое сопротивление току, текущему в обратном направлении.

Д202 – сплавной кремниевый диод, предназначенный для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Конструктивно оформлен в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

2) Стабилитрон Д808

Полупроводниковым стабилитроном называется полупроводниковый кремневый диод, нормальным режимом работы которого является режим электрического пробоя. Вольтамперная характеристика полупроводниковых кремневых диодов в области электрического пробоя имеет участок, который характеризуется тем, что при изменении тока в больших приделах, величина напряжения на диоде остаётся практически постоянной.

Это свойство использовано для создания приборов осуществляющих стабилизацию напряжения.

Д808 – стабилитрон кремниевый сплавной малой мощности. Предназначен для стабилизации напряжения 7…14 В в диапазоне токов стабилизации 3…33 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип стабилитрона приводится на корпусе. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Масса стабилитронане более 1 г.

3) Биполярный транзистор ГТ108

Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, состоящий изтрех областей с различными типами проводимости и двумя взаимодействующими р-n переходами.

Основное назначение транзистора - усиление или переключение электрических сигналов. В зависимости от чередования областей полупроводниковых слоев различают n-p-n и p-n-p транзисторы.

Транзистор ГТ108 - германиевый сплавной малой мощности. Предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г.

2 Электрические параметры полупроводникового прибора

1) Диод Д202:

- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 400 мА не более 1В;

- Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс не более500 мкА;

- Емкость p-n-перехода 79 пФ.

2) Стабилитрон Д808:

- Напряжение стабилизации при Iст = 5 мА:

при Т = +25°С…………………………………………….……..7 - 8,5 В;

при Т = -60°С……………………………………………………6 - 8,5 В;

при Т = +125°С………………………………………………….7 - 9,5 В;

- Температурный коэффициент напряжения стабилизации, не более:

в диапазоне температур +30...+125°С………………….……0,07%/°С;

в диапазоне температур –60…+70°С……………………………1%/°С;

- Временная нестабильность напряжения стабилизации

при Iст = 5 мА…......................................................................................±1%;

- Уход напряжения стабилизации через 5 с после включения, не более:

за первые 5 мин…………………………………………………....170 мВ;

за последующие 10 мин…………………………………………….20 мВ;

- Постоянное прямое напряжение при Iпр = 50 мА, Т = -60 и +25°С,

не более……………………………………………………………..1 В;

- Постоянный обратный ток при Uобр = 1 В, не более………….0,1 мкА;

- Дифференциальное сопротивление, не более:

при Iст = 1 мА………………………………………………………12 Ом;

при Iст = 5 мА и Т = +25°С………………………………………….6 Ом;

при Iст = 5 мА и Т = + 125°С………………………………………15 Ом;

- Емкость перехода…………………………………………………400 пФ;

- Тепловое сопротивление……………………………………0,36 °С/мВт;

 - Обратное сопротивление при Uобр = 1 В……………………...1 МОм;

 - Гарантийная наработка не менее………………………………...5000 ч;

- Срок хранения…………………………………………………….8,5 лет.

3) Транзистор ГТ108:

- Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой при Uкб=5 В, Iэ= 1 мА не менее:

ГТ108А……………………………………………...……………..0,5 МГц;

ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г …………………………...……………...1МГц;

- Напряжение насыщения коллектор эмиттер при Iк=50мА

Iб=5 мА не более……………………………………………………......3 В;

Статистический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5В, Iэ=1 мА:

при Т=293К:

ГТ108А……………………………………………………….20 – 50;

ГТ108Б………………………………………………………..35 – 80;

ГТ108В…………………………………………………....…...60 –130;

ГТ108Г………………………………………………………110 – 250;

при Т=328К:

ГТ108А………………………………………………………..20 – 100;

ГТ108Б…………………………………………………………...35 – 160;

ГТ108В……………………………………………………....…...60 – 260;

ГТ108Г…………………………………………………………….110 – 500;

при Т=243К:

ГТ108А…………………………………………………………….15 – 50;

ГТ108Б……………………………………………………………..20 – 80;

ГТ108В……………………………………………………....…...40 – 130;

ГТ108Г……………………………………………………………...70 – 250;

- Обратный ток коллектора при Uкб=5В не более:

При Т=293К……………………………………………………….10 мкА;

При Т=328К………………………………………………………250мкА;

- Обратный ток эмиттера при Uкб=5 В не более…………………15 мкА;

- Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=5 В, f=1 МГц не более…..50 пФ;

- Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, Iэ=1 мА,

f=465 кГц не более…………………………………………………..…5 нс.