3. Предельные эксплуатационные данные полупроводникового прибора
1) Диод Д202:
- Постоянное (импульсное) обратное напряжение ………………100 В;
- Средний прямой ток:
при наличии теплоотводящего шасси площадью 40 см2 ….…....400 мА;
без теплоотводящего шасси……………………………………....100 мА;
- Граничная частота:
без снижения электрических режимов…………………………...20 кГц;
при снижении величины выпрямленного тока на 10%...................30 кГц;
при снижении величины выпрямленного тока на 30% …………50 кГц;
- Температура окружающей среды………………………… -60...+125°С;
- Температура корпуса…………………………………………... +135°С;
- Температура перехода…………………………………………. +150°С;
- Относительная влажность при 40°С до…………………………...98%;
- Давление окружающего воздуха……………………..7х102 - 2х105 Па;
- Вибрационные ускорения (10-600 Гц) до…………………………7,5g;
- Постоянные и ударные ускорения до…………………………….150g;
- Отсутствие механических резонансов при перегрузках 6-10g
на частотах………………………………………………………10-60 Гц;
- Гарантийная наработка не менее……………………………..5000 ч;
2) Стабилитрон Д808:
- Минимальный ток стабилизации…………………………………..3 мА;
- Максимальный ток стабилизации:
при Т < +50 °С……………………………………………………….33 мА;
при Т = +125 °С (+100 °С)…………………………………………...8 мА;
- Постоянный прямой ток…………………………………………...50 мА;
- Рассеиваемая мощность:
при Т < +50 °С………………………………………………….280 мВт;
при Т = + 125 °С (+100 °С)………………………………………..70 мВт;
- Температура окружающей среды………………………..-60 ...+125°С;
- Давление окружающего воздуха……………………2,7х104- 3х105 Па;
- Вибрационные ускорения (10-600 Гц) до……………….10 g (до 7,5g);
- Многократные удары с ускорением до……………… ………...100g;
- Постоянные ускорения до……………………………...100g (до 20g);
- Вибрация на фиксированной частоте с ускорением до…………...12g.
3) Транзистор ГТ108:
- Постоянное напряжение коллектор-база…………………….………5В;
- Импульсное напряжение коллектор-база при τи ≤ 5мкс……….…80В;
- Полное тепловое сопротивление……………………….……..0,8 К/мВт;
- Постоянный ток коллектора……………………………………….50 мА;
- Температура перехода………………………………………………353К;
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т=293К……………………………………………………..75 мВт;
при Т=328К……………………………………………………...33,3 мВт;
- Температура окружающей среды………………………от 228 до 328 К.
4. Вольтамперные характеристики полупроводникового прибора
Рисунок 1. - Вольтамперная характеристика диода
Рисунок 2. - Вольтамперная характеристика стабилитрон
Рисунок 3. - Входные и выходные характеристики транзистора
5. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам
1) Диод Д202:
S - крутизна вольтамперной характеристики;
Ri- внутреннее сопротивление по переменному току;
R0 - внутреннее сопротивление по постоянному току;
КВЫП- коэффициент выпрямления;
2) Транзистор ГТ108:
h11- входное сопротивление при коротком замыкании во входной цепи;
h12- коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи;
h21- коэффициент передачи тока при коротком замыкании в выходной цепи;
h22- выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;
3) Стабилитрон Д808:
RД- дифференциальное сопротивление;
R0- сопротивление по постоянному току;
Uст - напряжение стабилизации;
Iст – ток стабилизации;
Iст.макс, Iст.мин – максимальный и минимальный ток стабилизации;
Список литературы
1. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. - Издание 3.
1982 г.
2. Катаранов Б.А., Палаженко А.В., Сиротинский И.Л. Электроника. Учебное пособие к практическим занятиям. - Изд. СВИ РВ, 1996 г.
3. Справочник для аппаратуры широкого применения. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981г.
4. http://smps.h18.ru/directory.html
5. http://oldradio.tesla.hu/szetszedtem/443orosz-tapegyseg/d808.pdf
6. http://www.155la3.ru/datafiles/d202.pdf
... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...
... диода для предварительного расчета Работа №4 Исследование однооперационного тиристора Цель работы Изучение параметров и характеристик тиристора и исследование однофазного управляемого выпрямителя. Теоретическая часть Однооперационный тиристор является плоскостным полупроводниковым прибором, который состоит из четырех слоев р1-n1-р2-n2. Тиристор имеет три вывода: анод (А), катод (К), ...
... называется электронно-дырочным или р-n переходом. Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости, т.е. представляет собой нелинейное сопротивление. Работа почти всех полупроводниковых приборов, применимых в радиоэлектронике, основана на использовании свойств одного или нескольких p-n переходов. Пусть внешнее напряжение отсутствует (рис.1). Так как носители ...
... параметров модели транзистора, зависимости этих параметров от температуры и конструкции, рассмотрены методы экстракции параметров модели из экспериментальных характеристик. Анализ PSpice модели БТ показал, что наряду с достоинствами этой модели есть и существенные недостатки. В целом модель биполярного транзистора в PSpice может с высокой точностью и в широком диапазоне напряжений, токов и ...
0 комментариев