3. Предельные эксплуатационные данные полупроводникового прибора

1) Диод Д202:

- Постоянное (импульсное) обратное напряжение ………………100 В;

- Средний прямой ток:

при наличии теплоотводящего шасси площадью 40 см2 ….…....400 мА;

без теплоотводящего шасси……………………………………....100 мА;

- Граничная частота:

без снижения электрических режимов…………………………...20 кГц;

при снижении величины выпрямленного тока на 10%...................30 кГц;

при снижении величины выпрямленного тока на 30% …………50 кГц;

- Температура окружающей среды………………………… -60...+125°С;

- Температура корпуса…………………………………………... +135°С;

- Температура перехода…………………………………………. +150°С;

- Относительная влажность при 40°С до…………………………...98%;

- Давление окружающего воздуха……………………..7х102 - 2х105 Па;

- Вибрационные ускорения (10-600 Гц) до…………………………7,5g;

- Постоянные и ударные ускорения до…………………………….150g;

- Отсутствие механических резонансов при перегрузках 6-10g

на частотах………………………………………………………10-60 Гц;

- Гарантийная наработка не менее……………………………..5000 ч;


2) Стабилитрон Д808:

- Минимальный ток стабилизации…………………………………..3 мА;

- Максимальный ток стабилизации:

при Т < +50 °С……………………………………………………….33 мА;

при Т = +125 °С (+100 °С)…………………………………………...8 мА;

- Постоянный прямой ток…………………………………………...50 мА;

- Рассеиваемая мощность:

при Т < +50 °С………………………………………………….280 мВт;

при Т = + 125 °С (+100 °С)………………………………………..70 мВт;

 - Температура окружающей среды………………………..-60 ...+125°С;

- Давление окружающего воздуха……………………2,7х104- 3х105 Па;

- Вибрационные ускорения (10-600 Гц) до……………….10 g (до 7,5g);

- Многократные удары с ускорением до……………… ………...100g;

- Постоянные ускорения до……………………………...100g (до 20g);

- Вибрация на фиксированной частоте с ускорением до…………...12g.

3) Транзистор ГТ108:

- Постоянное напряжение коллектор-база…………………….………5В;

- Импульсное напряжение коллектор-база при τи ≤ 5мкс……….…80В;

- Полное тепловое сопротивление……………………….……..0,8 К/мВт;

- Постоянный ток коллектора……………………………………….50 мА;

- Температура перехода………………………………………………353К;


- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Т=293К……………………………………………………..75 мВт;

при Т=328К……………………………………………………...33,3 мВт;

- Температура окружающей среды………………………от 228 до 328 К.

4. Вольтамперные характеристики полупроводникового прибора

Описание: 111

Рисунок 1. - Вольтамперная характеристика диода

Рисунок 2. - Вольтамперная характеристика стабилитрон

Рисунок 3. - Входные и выходные характеристики транзистора


5. Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

1) Диод Д202:

S - крутизна вольтамперной характеристики;

Ri- внутреннее сопротивление по переменному току;

R0 - внутреннее сопротивление по постоянному току;

КВЫП- коэффициент выпрямления;

2) Транзистор ГТ108:

h11- входное сопротивление при коротком замыкании во входной цепи;

h12- коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи;

h21- коэффициент передачи тока при коротком замыкании в выходной цепи;

h22- выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;


3) Стабилитрон Д808:

RД- дифференциальное сопротивление;

R0- сопротивление по постоянному току;

Uст - напряжение стабилизации;

Iст – ток стабилизации;

Iст.макс, Iст.мин – максимальный и минимальный ток стабилизации;


Список литературы

1.  Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. - Издание 3.

1982 г.

2.  Катаранов Б.А., Палаженко А.В., Сиротинский И.Л. Электроника. Учебное пособие к практическим занятиям. - Изд. СВИ РВ, 1996 г.

3.  Справочник для аппаратуры широкого применения. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981г.

4.  http://smps.h18.ru/directory.html

5.  http://oldradio.tesla.hu/szetszedtem/443orosz-tapegyseg/d808.pdf

6.  http://www.155la3.ru/datafiles/d202.pdf


Информация о работе «Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 9367
Количество таблиц: 0
Количество изображений: 4

Похожие работы

Скачать
50268
3
3

... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...

Скачать
95058
15
68

... диода для предварительного расчета Работа №4 Исследование однооперационного тиристора Цель работы Изучение параметров и характеристик тиристора и исследование однофазного управляемого выпрямителя. Теоретическая часть   Однооперационный тиристор является плоскостным полупроводниковым прибором, который состоит из четырех слоев р1-n1-р2-n2. Тиристор имеет три вывода: анод (А), катод (К), ...

Скачать
16440
0
9

... называется электронно-дырочным или р-n переходом. Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости, т.е. представляет собой нелинейное сопротивление. Работа почти всех полупроводниковых приборов, применимых в радиоэлектронике, основана на использовании свойств одного или нескольких p-n переходов. Пусть внешнее напряжение отсутствует (рис.1). Так как носители ...

Скачать
47493
1
33

... параметров модели транзистора, зависимости этих параметров от температуры и конструкции, рассмотрены методы экстракции параметров модели из экспериментальных характеристик. Анализ PSpice модели БТ показал, что наряду с достоинствами этой модели есть и существенные недостатки. В целом модель биполярного транзистора в PSpice может с высокой точностью и в широком диапазоне напряжений, токов и ...

0 комментариев


Наверх