Навигация
ПТ с управляющим p-n-переходом
41666
знаков
0
таблиц
5
изображений
5.5 ПТ с управляющим p-n-переходом
В таком полевом транзисторе контакты подводятся к полоскам в "кармане" высокоомного полупроводника n-типа. Наружная полоска является истоком; средняя полоска – сток – положительна относительно источника, так что от истока к стоку текут основные носители (электроны). Области затвора (p-типа) расположены в верхнем и нижнем слоях и соединены между собой диффузионно (рис. 7).
В рабочем режиме на p-n-переход подается напряжение обратного смещения, так что в областьn-типа распространяется зона обеднения. Изменяя обратное смещение на затворе, можно управлять шириной канала между затворами и модулировать ток. При достаточно большом напряжении происходит отсечка. Изменяя сочетания напряжений на затворе и стоке, можно сделать так, чтобы насыщение тока достигалось на любом постоянном уровне тока вплоть до нуля.
ПТ с управляющим p-n-переходом отличается очень высоким входным импедансом и очень низким уровнем шума. Поэтому он хорошо подходит для входного каскада тюнеров-усилителей.
Недостатки и надежность. В таких применениях, как телефонное, спутниковое, автомобильное и промышленное оборудование, от транзисторов требуется очень высокий уровень надежности. Скромная АТС, например, насчитывает около миллиона компонентов (в том числе транзисторов, резисторов и конденсаторов). За год они наберут около 1010ч наработки на компонент. Один отказ за миллиард часов наработки – желательная и достижимая в настоящее время интенсивность отказов – соответствует примерно одному отказу в месяц.
Существуют два типа отказов: внезапные (обусловленные дефектами изготовления, такими, как непрочное скрепление и треснувшие микрокристаллы) и постепенные (которые могут быть вызваны диффузией контактных материалов и поверхностными процессами, причем то и другое подвержено температурному ускорению).
Для типичных транзисторов доля внезапных отказов может достигать 0,1%. Но такие отказы случаются обычно на начальной стадии работы транзистора. Когда речь идет о транзисторах для особо важных систем, например спутниковых, внезапные отказы можно отсеять путем испытаний на ускоренное температурное старение или старение под нагрузкой, а также путем термоциклирования. Однако такие методы оправдывают себя лишь в случае особо ответственного оборудования.
Постепенные отказы (когда повреждение накапливается) носят более фундаментальный характер. Эффекты, лежащие в их основе, можно собирательно назвать эффектами поверхностного заряда, хотя некоторые из них суть проявление связанного заряда на внутренней границе кремний –диоксид или поверхностных состояний, способных захватывать заряд; это могут быть эффекты, связанные с наличием подвижных ионов, например натрия, в диоксиде либо подвижных ионов или загрязнений на внешней стороне слоя диоксида или нитрида кремния. Тем не менее трудности, связанные с различными поверхностными зарядами, в основном устранены. Контроль за упомянутыми поверхностными эффектами доведен до такого уровня, что в качественно выполненных приборах они не представляют проблемы, и транзисторы pnp-типа столь же надежны, как и транзисторыnpn-типа.
Срок службы транзистора всегда укорачивает влага, остающаяся в газовой среде приборов, герметизированных в металлический корпус, и осаждающаяся на поверхности приборов, герметизированных пластмассой. Влага может придать подвижность поверхностным загрязнениям и тем самым привести к возникновению проводящих каналов. Это можно обнаружить, подав смещение на незагерметизированный транзистор и подышав на него. Если на поверхности транзистора имеется достаточно большой заряд, то ток утечки увеличивается и усиливаются пробойные явления, что указывает на образование проводящего канала. Но стоит снять напряжение и высушить поверхность, как транзистор восстанавливает свои характеристики. Влага также вызывает электролитическую коррозию металла электрода. Золото корродирует в присутствии даже малых количеств хлора (обычно в виде ионного остатка химического моющего средства, флюса или травильного раствора).
Сверхвысокочастотные транзисторы и МОП-устройства легко повреждаются разрядом статического электричества. Для защиты от такого повреждения их выводы соединяют накоротко на время складского хранения и транспортировки.
Прогноз на будущее. Будут и далее совершенствоваться и все шире применяться такие методы, как ионная имплантация. Расширится применение интерметаллических соединений. Транзисторы в интегральных схемах уменьшатся в размерах, станут более быстродействующими, будут потреблять меньше мощности. Развитие транзисторной техники пойдет по двум направлениям: будут наращиваться рабочая мощность и рабочее напряжение дискретных транзисторов. В области низких уровней мощности все большую роль будут играть интегральные схемы. Цены на них будут и далее снижаться. Будет все больше расширяться круг применения интегральных схем в логических устройствах, системах контроля и управления, системах обработки информации для всех аспектов жизни человека и общества. В 1960 были впервые созданы интегральные схемы всего лишь с несколькими биполярными транзисторами на микрокристалл. В 1976 степень интеграции превысила четверть миллиона. К 1980 этот показатель достиг почти миллиона, а в 2000 приблизился к 10 млн.
Список литературы
1. http://ru.wikipedia.org/wiki/Полупроводник
2. http://www.krugosvet.ru/enc/nauka_i_tehnika/tehnologiya_i_promyshlennost/TRANZISTOR.html
3. Галкин В.И., Прохоренко В.А.Полупроводниковые приборы. Минск 1979
4. Зи С.М.Физика полупроводниковых приборов. М., 1984.
Похожие работы
... : ,(2.8) где фотопроводимость; — константа для данного образца; — термическая энергия активации проводимости (обычно 0,1—0,3 эв). Знак световых носителей тока у большинства органических полупроводников дырочный. Некоторые адсорбированные пары и газы существенно изменяют фотоэлектрическую чувствительность органических полупроводников. Зависимость фототока от освещенности выражается ...
... resistor – сопротивление. Тиристоры представляют класс полупроводниковых приборов, который подразделяется на диодные (динисторы), триодные (тринисторы), запираемые и симметричные (симисторы). 5. История развития полупроводников После изобретения в 1904 г. Дж. Флемингом двухэлектродной лампы-диода и Л. Де Форестом в 1906 г. трехэлектродной лампы-триода в радиотехнике произошла революция. ...
... с элементарными полупроводниками и полупроводниковыми соединениями набор электрофизических параметров, определяющих возможности применения материалов в конкретных полупроводниковых приборах. Среди алмазоподобных полупроводников, в том числе соединений типа А В , распространены твердые растворы замещения. Необходимыми условиями образования твердых растворов являются кристаллохимическое ...
... ван-дер-ваальсовым силам взаимодействия без учета запаздывания [3]. Таким образом они автоматически учитываются в приведенных формулах. В заключении отметим, что использование диэлектрического формализма и представления о поверхностных плазмонах для описания адгезионных свойств различных материалов дает возможность после значительно меньшей по объему вычислительной работы по сравнени
0 комментариев