3.2.3 Рассчёт мощности, выделяемой на p-n переходе
1) Составили электрическую схему замещения тиристора (рис.3.15).
2)Рассчитали мощность, выделяющуюся на р-n переходе тиристора:
2.1)Используя схему замещения, изображённую на рис.3.15, рассчитали падение напряжения на тиристоре:
(3.54)
где UT0=1.1 – пороговое напряжение тиристора, В;
Id=15 – действующее значение прямого тока, проходящего через тиристор, А;
rT=27∙10-3 – динамическое сопротивление тиристора, Ом.
2.2)Рассчитали мощность, выделяемую на p-n переходе:
(3.55)
где UT=1.505 – действующее значение падения напряжения на тиристоре, В;
3.2.4 Расчёт транзисторного ключа (рис.3.14)
1).Выбор транзистора.
При выборе транзистора руководствовались правилом: максимальный ток коллектора тиристора должен быть больше максимального тока коммутируемой цепи (постоянного тока управления тиристора)
Схема параллельного транзисторного ключа.
Рис.3.14.
Электрическая схема замещения тиристора.
Рис.3.15.
и максимальное обратное напряжение между коллектором и эмиттером, должно быть больше максимального напряжения коммутируемой цепи (напряжения управления тиристорами). Исходя из этого, выбрали прибор из [6]. Параметры выбранного прибора приведены в таблице 3.20.
Таблица 3.20.
Параметры выбранного полупроводникового прибора.
Марка прибора | Справочные данные прибора | ||
Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ, В | Максимальный ток коллектора транзистора Iк, А | Коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме с общим эмиттером | |
КТ660Б | 30 | 0.8 | 200-400 |
2). Поскольку в пункте 3.1.2 мы уже рассчитали параметры резисторов R1 и R2 (таблица 3.3), то проведём проверку на предмет достаточности тока, заданного резистором R2 от источника питания. Для этого воспользовались условием насыщения биполярного транзистора (ток коллектора должен быть более чем 3-5 раз меньше произведения тока базы на коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером):
Для этого пренебрегая падением напряжения на базовом переходе транзистора в режиме насыщения определили ток базы:
(3.56)
где Iк= 0.010 – ток коллектора проходящий через транзистор в режиме насыщения, А
= 200 -минимальный коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме с общим эмиттером;
Iб=0.008 – ток базы транзистора, заданный резистором R2, А.
Из выражения (3.56) видно, что условие насыщение биполярного транзистора выполняется.
3). Расчёт параметров резистора Rк.
Поскольку в режиме отсечки транзистора через этот резистор проходит ток, равный постоянному току управления тиристора, то сопротивление резистора рассчитывается по формуле:
(3.57)
где IGT=0.15- постоянный ток управления тиристора, мА;
Выбрали номинальное сопротивление резистора из [3]: Rк=33Ом.
По (3.3), подставляя значения тока IGT и номинального сопротивления Rк рассчитали мощность, выделяемую на резисторе Rк, в результате получили: РRк=0.74Вт
4).Выбрали резистор Rк из [3]. Параметры выбранного прибора приведены в таблице 3.21.
Таблица 3.21.
Параметры выбранных резисторов.
Обозначение резисторов | Параметры выбранных резисторов | |||
марка | мощность,Вт | номинал, Ом | допуск, % | |
Rк | МЛТ | 1 | 33 | 5 |
3.3 Расчёт задающего генератора
3.3.1 Выбор схемы генератора
Согласно техническому заданию длительность квазистационарного состояния 30 мс.
Частота соответствующая такой длительности вычисляется по формуле (3.58):
(3.58)
где Т=0.03 – длительность квазистационарного состояния цифрового управляющего устройства, с.
Чтобы обеспечить стабильную частоту задающего генератора необходимо использовать схему с кварцевой стабилизацией частоты. Из [7] выбрали схему генератора (рис.3.16).
... чертеж или схема выполняются в САПР AutoCAD, поэтому наиболее часто используемой вспомогательной программой является конвертор из формата P-CAD в AutoCAD. 1. Основы математического аппарата анализа и синтеза комбинационных логических устройств Все устройства, оперирующие с двоичной информацией, подразделяются на два класса: - комбинационные (дискретные автоматы без памяти). - ...
... схемы цифровых РПУ и сделаны выводы об их преимуществах, и применении в современной авиационной радиоэлектронной аппаратуре. 1.Обзор современных схем построения ЦРПУ 1.1 Схемы построения цифровых РПУ Обобщенная схема цифрового радиоприемного устройства представлена на рисунке 1. Рисунок 1 Развитие техники и технологии цифровых интегральных схем привело к тому, что заключительное ...
... главную регулируемую обратную связь и дополнительные обратные связи. 1 ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СХЕМА ОБЪЕКТА УПРАВЛЕНИЯ В качестве объекта управления используется управляемый полупроводниковый выпрямитель, двигатель постоянного тока независимого возбуждения типа 2ПН-132МУХЛ4. Вал двигателя соединен с тахогенератором. Выписываем из справочника параметры двигателя: Pн=2,5кВт Nн=1000 об¤мин; Nм=4000 ...
... телекоммуникаций может потребоваться не одна смена стандарта связи без смены комплекта приемо-передающей аппаратуры. Все это возможно в более сложных цифровых радиопередающих устройствах, построенных на основе специализированных цифровых процессоров передатчиков (TSP), которые будут рассмотрены в следующей главе. 2. Цифровые синтезаторы частоты с косвенным синтезом (ФАПЧ) Современные ...
0 комментариев