Войти на сайт

или
Регистрация

Навигация


МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД

Методи одержання і вимоги до діелектричних плівок


Зміст

Вступ

1. Термовакуумне напилення

1.1 Етапи термовакуумного напилення

1.2 Суть методу

2. Реактивне іонно-плазмове розпилення

2.1 Суть методу

2.2 Методика розпилення

2.3 Переваги іонно-плазмового розпилення

3. Термічне окислення

3.1 Методика окислення

3.2 Властивості термічного окислення

4. Анодне окислення

4.1 Окис алюмінію

4.2 Окис танталу

4.3 Окис вольфраму

4.4 Окис титану

5. Хімічне осадження

5.1 Двоокис кремнію

5.2 Нітрид кремнію

6. Вимоги до діелектричних плівок

Висновок

Список використаної літератури


Вступ

Осадження плівок широко використовується при розробці елементів сучасних інтегральних схем. Для цієї мети широко використовуються не лише напівпровідникові тонкі плівки але і діелектричні тонкі плівки.

Діелектричні плівки використовуються для ізоляції між різними шарами в мікросхемах, в якості масок при дифузії іонній імплантації, для дифузії із легованих плівок з метою запобігти втрат з них легуючих елементів і таке інше. Найбільш поширеним застосуванням діелектричних плівок є в конденсаторах, транзисторах, а також для захисних покрить. [1]

При формуванні ізоляційних шарів використовують такі наступні хімічні сполуки і елементи:

моно окис кремнію SiO, двоокис кремнію SiO2,

моно окис германіюGeO, трьох сірчиста сурма Sb2S3,

двоокис титану TiO2, окисел титану Ta2O5,

окисел алюмініюAl2O3, а також халькогенідні стекла , кварц, вуглеводні, полімери та ряд інших. [2]

Існує ряд методів одержання тонких діелектричних плівок. Багато є також методів змішання, які бувають більш вдосконаленими. У даній курсовій роботі коротко розглянуто такі наступні п’ять методів:

·  термовакуумне напилення;

·  реактивне іонно-плазмове розпилення;

·  термічне окислення;

·  анодне окислення;

·  хімічне осадження.

В даній роботі також розглянуто переваги і недоліки кожного з цих методів, як залежить тиск, температура та інші чинники на формування тонких діелектричних плівок, також схематично зображено кілька реакторів для різних методів одержання плівок, в яких відбувається осадження плівок, також коротко розглянуто переваги і недоліки таких реакторів.

Після короткого опису методів одержання тонких діелектричних плівок приведені основні вимоги які мають бути накладені при виготовленні діелектричних плівок їх властивостей.

В завершальній частині даної курсової роботи зроблено короткий висновок розглянутих методів одержання діелектричних тонких плівок і вимог до них.


1. Термовакуумне напилення [5]

Одним із найкращих методів одержання діелектричних плівок є термовакуумне напилення.

1.1 Етапи термовакуумного напилення

а) випаровування вихідної речовини; б) перенесення її від випаровувала до підкладки, в процесі якого частинки випаровуваної речовини стискаються з підкладкою, передають їй частину своєї енергії і осідають на ній; в) процеси адсорбції і десорбції; г) поверхнева дифузія адсорбованих частинок і утворення зароків; д) ріст зародків з утворенням гранул; е) зрощення зародків в суцільну плівку; є) ріст суцільної плівки і перекристалізація; ж) орієнтовне нарощування.

В процесі кристалізації тонких плівок по мірі їх росту проходять структурні зміни, які суттєво впливають на кінцеву структуру плівок. Так як і для розгляду тонких металічних плівок, структура діелектричних плівок залежить від швидкості осадження, температури підкладки, стану її поверхні, тиску, складу кінцевих газів.

1.2 Суть методу

Суть даного методу полягає в нагріві речовини у вакуумі до температури, при якій зростає кінетична енергія атомів і молекул достатня для їх виривання від поверхні і розповсюдження її в навколишнє середовище.

В даний час важливу роль відіграє моноокис кремнію. Його одержують напиленням у вакуумі; його типові діелектричні втрати становлять приблизно 0,4%. Є також можливість регулювати парціальний тиск, швидкість осадження, температуру підкладки і обробку після осадження. Точний хімічний склад такої діелектричної плівки визначити не можна.

Напилення двоокису кремнію має певні трудності внаслідок високої температури його плавлення. Випаровування можна здійснювати електронним бомбардуванням. В цьому випадку діелектричні шари по своєму складу близькі до двоокису кремнію. Але принципова різниця є в тому, що коефіцієнт втрат SiO2 плівок набагато вищий коефіцієнту втрат в таких плівках як SiO. Були зроблені багаточисленні спроби для напилення діелектриків з високою діелектричною проникністю таких як титанат барію. Прямі напилення призводять до часткового розділення окислів, які можна попередити швидким випаровуванням невеликих зерен масивного матеріалу. Інший спосіб заснований на одночасному випаровуванні барію і окислів титану шляхом нагріву їх за допомогою електронного променя. Обидва методи дозволяють отримати плівки з високою діелектричною проникністю (500-1300), але з великими втратами (15% на частоті 1кГц). Були ткож визначені мінімальні значення опору пробою який становить 0,2 мВ . см-1.

На рис. 1.1 схематично зображена установка для напилення плівок термовакуумним методом.

Рис1.1. Конструкція реактора для термовакуумного напилення.

1 – Газовий потік (в камеру) при гетеруванні; 2 – десорбція газів з нагрітих стінок арматури; 3 – область мінімальної швидкості конденсації на підкладці; 4 – підкладка; 5 – напилена плівка; 6 – газ; 7 – випаровував; 8 – відбивач; 9 – насос.


2. Реактивне іонно-плазмове розпилення

Метод іонно-плазмового розпилення включає в себе реактивне розпилення і розпилення в високочастотних розрядах.

2.1 Суть методу

Суть методу полягає в тому, що мішень із розпилюваного матеріалу бомбардують швидкими іонами газу; при цьому з її поверхні вибиваються атоми, які осаджуються на підкладку, що знаходиться близько до мішені.

Для джерел іонів використовують плазму тліючого розряду, що виникає в атмосфері інертного газу. Склад плазми, енергія іонів і характер процесів взаємодії розпалюваної речовини з плазмою і матеріалом підкладки визначають властивості одержаних тонких діелектричних плівок. За допомогою метода іонно-плазмового розпилення одержують плівки того ж хімічного складу, що і матеріал, який використовують для розпилення.


Информация о работе «Методи одержання і вимоги до діелектричних плівок»
Раздел: Физика
Количество знаков с пробелами: 36294
Количество таблиц: 1
Количество изображений: 6

Похожие работы

Скачать
158702
2
1

... у провадженні судових експертиз та попередніх досліджень за завданнями слідчого або органу дізнання. Крім того, техніко-криміналістичні засоби та методи в залежності від мети поділяють на такі, які використовуються для: —  збирання речових доказів (виявлення, фіксація, вилучення та упаковка); —  дослідження доказів; —  профілактики. Іноді у межах зазначеної класифікації виділяють і засоби та ...

Скачать
48067
0
0

... нестаціонарні мають одне істотне обмеження. У більшості випадків теорія цих методів припускає слабку залежність теплофізичних характеристик від температури. Тому їх застосування вимагає спеціального обґрунтування.   2. Методи дослідження електричних властивостей полімерів   Електретно-термічний аналіз ЕТА називають метод вивчення полімерів, що полягає в одержанні електрета й наступному вим ...

Скачать
39298
0
0

... [16]. Методична база, створена в різних науках про працю, а також методична база проектування, що розуміється в самому широкому змісті слова, включаючи інженерне, являють собою великий простір методів. Технічні засоби, необхідні для ергономічних досліджень, часто являють собою стандартні пристрої і прилади, спеціально не орієнтовані на застосування в даній області. Тому потрібна адаптація цих ...

Скачать
35866
22
41

... 350 - 2000 ppm AS-MLC /AppliedSensor Inc. CO 0.5 - 500 ppm AS-MLK /AppliedSensor Inc. CH4 Від 0.01 до 4%   2. Сучасні датчики газів, та методи їх отримання   2.1 Нові матеріали та наноструктури – перспективна база елементів для датчиків газів   В зв’язку з інтенсивним розвитком виробництва поверхневих датчиків газів, досліджуються придатні для їх побудови сучасні напівпрові ...

0 комментариев


Наверх