Навигация
1.4 Установка кристаллов
Установка кристалла - это выбор координатных или кристаллографических осей. В отличие от кристаллофизической системы координат, которая является прямоугольной, кристаллографическая система подчинена внутренней структуре кристалла. Поэтому, в общем виде, она является косоугольной, а в тригональной и гексагональной сингонии принята даже четырехосная система (табл. 4).
При установке кристаллов следует руководствоваться следующими условиями:
· координатные оси можно совмещать с осями симметрии L2, L3, L4, L6, Li4, Li6;
· координатные оси можно совмещать, когда нет или мало осей симметрии, с нормалями к плоскостям симметрии;
· координатные оси при отсутствии элементов симметрии или их недостаточном количестве, а это характерно для триклинной и моноклинной сингонии, можно совмещать с осями наиболее развитых зон или, что то же самое, параллельно ребрам кристаллов.
При установке кристаллов в низшей категории удлинение кристаллов необходимо направлять по III кристаллографической оси.
В ТРИКЛИННОЙ СИНГОНИИ координатные оси совмещаются с осями наиболее развитых зон.
В МОНОКЛИННОЙ СИНГОНИИ единственный элемент симметрии совмещается со второй кристаллографической осью, остальные - по осям наиболее развитых зон. Ось III ориентируется по удлинению кристалла и по оси развитой зоны.
В РОМБИЧЕСКОЙ СИНГОНИИ элементов симметрии достаточно, оси или нормали к плоскостям совмещаются с координатными осями. Система координат прямоугольная.
В ТЕТРАГОНАЛЬНОЙ СИНГОНИИ - ось 4-го порядка совмещается с III кристаллографической осью, а первые две с осями 2-го порядка либо выходящими на ребрах, либо на гранях под углом 90º друг к другу. Система координат прямоугольная. Возможны два рода установки:
1-го рода - координатные оси совмещаются с осями симметрии, выходящими на ребрах;
2-го рода - координатные оси совмещаются с осями симметрии, выходящими из середины граней.
В ТРИГОНАЛЬНОЙ и ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ СИНГОНИЯХ установка производится по 4-м осям, причем IV ось совмещается с осью 3го или 6-го порядка, а первые три с осями 2-го порядка через 120º друг к другу. Здесь также возможны два рода установки:
1-го рода, когда за I, II, III оси выбираются оси, выходящие на ребрах;
2-го рода, когда оси, выходящие на серединах граней, принимаются за I, II,III оси.
В КУБИЧЕСКОЙ СИНГОНИИ для кристаллов кубического облика установка производится по осям 4-го порядка, для кристаллов тетраэдрического облика по осям Li4 или, что то же самое, L2, в кристаллах пентагондодекаэдрического облика - по осям 2-го порядка. Система координат прямоугольная.
Таблица 4 Схемы установки кристаллов в различных сингониях
| Сингония |
Кристаллографические оси |
Единичная грань | Константы кристалли- ческих решеток | ||||||||||||||||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | ||||||||||||||||||||||||
| Триклинная | Оси параллельны действительным или возможным ребрам кристалла,
С
α = β = γ = 90˚ | Отсекает на осях неравные отрезки III
c0
I а0 = в0 = с0 | α β, γ; a : 1 : с | ||||||||||||||||||||||||
| Моноклинная |
| Отсекает на осях неравные отрезки III
в0II
I | β; a : 1 : с
| ||||||||||||||||||||||||
| Ромбическая |
направлениями - с L2 или с L2 и перпендикуляром к 2Р III
III II
γ 90˚ α = β = γ =90˚ |
с0 а0 в0
| а : 1 : с | ||||||||||||||||||||||||
| Тетрагональная | Z - вертикальна и совмещается с L4 или Li4. X и У двойным осям,
90˚ I α = β = γ = 90˚ | На осях Х и У - равные отрезки и
III c0
I
| 1 : 1 : с |
| |||||||||||||||||||||||
| Тригональная, гексагональная | Гексагональная установка: IVось совмещается с L3 или L6 ,
ребрам IV
III II
120˚ I II
60˚ -III II |
IV IV
-Ш 60˚ II 2 60˚ II (01 1-го рода 2-го рода а б | 1 : 1 : 1 : с |
| |||||||||||||||||||||||
| Кубическая | Оси совмещаются с 3L4 или 3Li4
I 90˚
90˚ II III
α = β = γ = 90˚ | Отсекает равные отрезки. III а0 а0
I а0 = в0 = с0 |
|
| |||||||||||||||||||||||
Z - параллельна оси наиболее развитого пояса. III
III
II
II
β I
γ 
I 
в0 II
a0
к Р.
Х и Z в плоскости 
Z - вертикальна
III L2PC
II 
α 90˚
β II
γ 90˚ I
I β =α = γ = 90˚
с0
а0
а0 = в0 = с0
Оси совмещаются с единичными 
3L23PC
II 
90˚ α 90˚
β II I
Отсекает на осях неравные отрезки. 
III
I II
а0 = в0 = с0
или их 
90˚ 
90˚
II I
неравные им по оси Z
а0 в0 II
а0 = в0 = с0
IV
I
60˚ 120 III б
На двух осях равные отрезки, на одной неравный
с0
I c0 I а0
60 а0 а0 а0
60˚ а 
1) -III (11
1)
III III III
II II
I 
90˚ I
I II
I
а0 IIПохожие работы
... , а затем и более фундаментального, одновременно и самого абстрактного (динамического) понимания симметрии. 2. 2.2.Симметрия кристаллов. Правильную, симметричную форму кристаллов издавна объясняли симметричным расположением атомов. Само существование атомов было еще гипотезой, но внешнее проявление стройного порядка заставляло предполагать внутреннюю причину. Быть может, правильные пирамиды, ...
... , в результате чего сформировались натечные образования оникса, малахита, кальцита и др. В зависимости от применения коллекционный материал подразделяется на несколько видов: для учебных коллекций, научных исследований, минералогических музеев, личных сборов. Месторождения драгоценных камней часто являются вторичными. Благодаря процессам выветривания первичных месторождений драгоценные камни, ...
... двум. Верхняя граница, напротив, размыта и неотчетлива. Но ясно, что она должна находиться в той области, где добавление еще одного члена уже не изменяет свойств кластера: в этой области и заканчивается переход из количества в качество. Ниже мы увидим, что эта граница не вполне однозначна, но практически большая часть изменений, существенных для химика, заканчивается при ~103 частицах в группе. ...
... без сопровождения структурного бурения достаточной координации. Необходимо ускорить обоснование и реализацию геолого-геофизического (геодинамического) полигона вокруг СГ-4. В направлении повышения научной эффективности сверхглубокого бурения необходимо существенно усилий исследовательские возможности на самой скважине, особенно систематических замеров на больших глубинах флюидного трещинно- ...
0 комментариев