Навигация
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
13301
знак
2
таблицы
2
изображения
Министерство образования Российской Федерации
ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет-УПИ
Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»
Оценка работы____________
Члены комиссии___________
УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕКУРСОВАЯ РАБОТА
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Подпись Дата Ф.И.О.
Руководитель Елфимов В.И.
Студент Костарева Т.В.
Группа: Р-224б
Номер зачетной книжки 09111006
Екатеринбург 2003
Оглавление
1. Цель курсовой работы
2. Задание на курсовую работу
3. Содержание курсовой работы
Список используемой литературы
Приложение 1. Перечень элементов
Приложение 2. Принципиальная схема усилительного каскада
1. Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, в развитии навыков выполнения информационного поиска, пользования справочной литературой, определения параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего представления о конкретных электронных элементах.
2. Задание на курсовую работу
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого следует рассчитать параметры эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графоаналитическим методом определить основные параметры усилительного каскада.
3. Содержание курсовой работы
1. Паспортные данные
Транзистор КТ602А
Транзистор кремниевый планарный n-p-n универсальный маломощный. Предназначен для применения в схемах генерирования и усиления сигналов радиотехнических устройств.
Электрические параметры
Граничное напряжение при Iэ=50 мА, t=5 мкс, f=2 кГц ……………70 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА .3В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА..…….3 В
Емкость коллекторного перехода при Uкб=50 В, f=2 МГц, не более 4пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб=0 В, f=2 МГц, не более 25 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10 В, Iк=10 мА, f=2 МГц, ...300 пс
Граничная частота…………………………………………….…150 МГц
Обратный ток коллектора при Uкб=120 В, Т=298 К, не более:..70 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база………………………….120 В
Импульсное напряжение коллектор-база………………………….160 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ……………………..100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ………………………………5 В
Постоянный ток коллектора ………………………………………75 мА
Постоянный ток эмиттера………………………………………….80 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=358 К………………0,2 Вт
Температура перехода……………………………………………....393 К
Температура окружающей среды………..……………...от 233 до 358 К
2. На семействе выходных характеристик строим нагрузочную прямую
Нагрузочная прямая определяется уравнением
и строится по двум точкам: при IК = 0, UКЭ = ЕП и при UКЭ = 0, IК = ЕП/RК.
Так как выбрана схема с делителем напряжения, уравнение нагрузочной прямой преобразуется к виду
и строится по двум точкам: при IК = 0, UКЭ = ЕП и при UКЭ = 0, IК = ЕП/RК. В ходе построения нагрузочной прямой, значение Rк было изменено, чтобы нагрузочная прямая проходила более круто, соответственно Rк = 390 Ом, Rн = 680 Ом.
Рис. 1. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером и фиксированным напряжением база-эмиттер
3. Выбираем на нагрузочной прямой режим покоя (рабочую точку)
Фиксируем параметры режима покоя.
Рабочую точку выбираем примерно посередине между режимами отсечки и насыщения в точке пересечения нагрузочной прямой с ближайшей выходной характеристикой. Фиксируем параметры режима покоя: Uкэо=13,8 В, Uбэо=0,79 В, Iко=16,7 мА, Iбо=0,625 мА.
Для получения фиксированного напряжения смещения на базе транзистора применяется резисторный делитель напряжения, а конкретные значения величин R1 и R2 выбираются исходя из необходимой величины 
. Эта схема называется схемой стабилизации с фиксированным напряжением смещения базы. Выберите ток делителя IД, протекающий через R2, из условия IД = (10 - 20) IБ0 и определите величины сопротивлений резисторов R1, R2:
, .
,
Похожие работы
... в прямом направлении (оба открыты). Режим отсечки. В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты). Существуют три схемы включения транзисторов в усилительных каскадах: с общей базой, с общим эмиттером и общим коллектором. 11. Как строится нагрузочная прямая по переменной составляющей по отношению к выбранной точке покоя? Выбрав рабочую точку покоя А ...
... системах связи; выравнивания АЧХ малошумящих усилителей, входные каскады которых реализуются без применения цепей высокочастотной коррекции. На рис. 7.5,а приведена принципиальная схема усилителя с реактивной межкаскадной КЦ четвертого порядка, позволяющей реализовать заданный наклон АЧХ усилительного каскада, эквивалентная схема по переменному току приведена на рис. 7.5,б [14]. а) ...
... приведенного на рисунке 6.4, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 1) и условий: =50 Ом; =0,9. Решение. По формулам (1.68), (1.69) получим =3 кОм; =10,4 пФ. Теперь по (1.70) найдем =478 МГц. 7 РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ С ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНЫМИ КОРРЕКТИРУЮЩИМИ ЦЕПЯМИ 7.1 РАСЧЕТ ВЫХОДНОЙ КОРРЕКТИРУЮЩЕЙ ЦЕПИ В рассматриваемых выше усилительных каскадах ...
... : IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (рис. 4.4, а). Выходной характеристикой является зависимость: IК = f(UКБ) при IЭ = const (рис. 4.4, б). а) б) Рисунок 4.4 – Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ Выходные ВАХ имеют три характерные области: 1 – сильная зависимость Iк от UКБ (нелинейная начальная область); 2 – слабая ...
0 комментариев