Навигация
Графически определяем малосигнальные параметры
13301
знак
2
таблицы
2
изображения
3. Графически определяем малосигнальные параметры
транзистора в окрестностях рабочей точки
Н-параметры по семейству входных и выходных характеристик:
- входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
- коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
- выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи);
- коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.
Для повышения точности расчетов приращения DIК, DIБ, DUБЭ, DUКЭ берем симметрично относительно рабочей точки транзистора в режиме покоя;
5. Рассчитываем величины элементов эквивалентной схемы транзистора
Определяем параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора, которая представлена на рис. 4.
Рис. 4. Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто)
Вычисляем параметры схемы Джиаколетто, воспользовавшись следующими соотношениями:
- барьерная емкость коллекторного перехода; 
, Из ряда номинальных значений выбираем 
- выходное сопротивление транзистора; 
- сопротивление коллекторного перехода; 
- сопротивление эмиттерного перехода по эмиттерному току; 
- сопротивление эмиттерного перехода базовому току; 
- распределенное сопротивление базы,
где tОС – постоянная времени обратной связи транзистора; 
- диффузионная емкость эмиттерного перехода,
где ¦Т – граничная частота транзистора; 
- собственная постоянная времени
транзистора; t = 0,015 (нс)
- крутизна транзистора; S = 1,81 (А/В)
6. Определяем граничные и предельные частоты транзистора
а) выписываем из справочника для биполярного транзистора значения граничных и предельных частот ¦гр = ¦Т, оцениваем граничную частоту из соотношения: ¦Т = |Н21Э| ¦изм = 0,15 ГГц - граничная частота усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером, где |Н21Э| - модуль коэффициента передачи по току на высоких частотах, ¦изм - частота, на которой он измерен (справочные данные);
б) рассчитываем граничные и предельные частоты биполярного транзистора, воспользовавшись следующими соотношениями:
- предельная частота в схеме включения транзистора с общим эмиттером;
- предельная частота в схеме включения транзистора с общей базой;
- максимальная частота генерации;
- предельная частота транзистора по крутизне;
Похожие работы
... в прямом направлении (оба открыты). Режим отсечки. В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты). Существуют три схемы включения транзисторов в усилительных каскадах: с общей базой, с общим эмиттером и общим коллектором. 11. Как строится нагрузочная прямая по переменной составляющей по отношению к выбранной точке покоя? Выбрав рабочую точку покоя А ...
... системах связи; выравнивания АЧХ малошумящих усилителей, входные каскады которых реализуются без применения цепей высокочастотной коррекции. На рис. 7.5,а приведена принципиальная схема усилителя с реактивной межкаскадной КЦ четвертого порядка, позволяющей реализовать заданный наклон АЧХ усилительного каскада, эквивалентная схема по переменному току приведена на рис. 7.5,б [14]. а) ...
... приведенного на рисунке 6.4, при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 1) и условий: =50 Ом; =0,9. Решение. По формулам (1.68), (1.69) получим =3 кОм; =10,4 пФ. Теперь по (1.70) найдем =478 МГц. 7 РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ С ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНЫМИ КОРРЕКТИРУЮЩИМИ ЦЕПЯМИ 7.1 РАСЧЕТ ВЫХОДНОЙ КОРРЕКТИРУЮЩЕЙ ЦЕПИ В рассматриваемых выше усилительных каскадах ...
... : IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (рис. 4.4, а). Выходной характеристикой является зависимость: IК = f(UКБ) при IЭ = const (рис. 4.4, б). а) б) Рисунок 4.4 – Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ Выходные ВАХ имеют три характерные области: 1 – сильная зависимость Iк от UКБ (нелинейная начальная область); 2 – слабая ...
0 комментариев