3.3 Диоды
Полупроводниковые диоды.
Полупроводниковые диоды – электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий один p-n переход и два выхода.
Структура диода.
Графическое изображение .
Буквами p и n обозначаются слои полупроводника, с проводниками соответственно
P-positive
N-negative
Полупроводниковый диод образуется простым соединением кристалла типа N и с кристаллом типа Р. Обычно концентрация основных носителей заряда(дырок в слое Р и электронов в слое N) сильно отличаются.
Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию называют электроном, а меньшую концентрацию – база.
На границе раздела P-N перехода существует потенциальный барьер, обусловленный физическими процессами.
В зависимости от соотношения линейных размеров выпрямляющего P-N перехода и характеристической длины в пути неосновных носителей заряда в базе.
Различают плоскостные и точечные диоды. Выпрямляющими свойствами может обладать контакт между металлом и полупроводником, который назван переходом Шотки. Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки(в отличии от P-N перехода) является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок.
Выпрямительный диод.
Полупроводниковый диод предназначенный для преобразования переменного(2-х полярного) тока в ток одной полярности, называют выпрямительным диодом.
Высокочастотные и импульсные диоды.
Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов включения и выключения при прохождении импульсного сигнала называют импульсным диодом.
Под высокочастотными диодами обычно понимают различные типы точечных диодов.
Диоды служат для выпрямления переменного тока в импульсных устройствах.
В качестве переключателя, распределителей сигналов и т.д. Диоды пропуская ток в одном направлении преобразуют переменный ток в постоянный.
1) Вольтамперная характеристика
2) Максимально допускаемое обратное напряжение
3) максимально допустимый прямой ток
Основные типы диодов. Условно графические обозначения:
1) выпрямительные, переключающие и импульсные диоды
2) стабилитроны – полупроводниковый диод, напряжение на котором(в области электрического пробоя при обратном смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабилитроном.
3) Стабистор – полупроводниковый диод, напряжение на котором( в области электрического пробоя при прямом смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабистором.
4) Диод Шотки.
5) варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения, называется варикапом.
Классификация системы обозначений. Диоды до 1982 года ГОСТ 5461-59(старого образца)
Обозначение состоит из 2-3 элементов:
1: Д-диод
2: номер
От 1 до 100 – точечный германиевый
От 101 до 200 – точечный кремниевый
От 301 до 400 – точечный германиевый
От 401 до 500 – сверхвысокочастотные диоды
3: буква обозначающая различие диодов одной серии по электрическим параметрам.
В основу обозначения полупроводниковых диодов(отраслей) ГОСТ ОСТ 1336.919-81 положен буквенно-цифровой код.
1-й элемент(цифра или буква) – обозначаем исходный полупроводниковый материал:
Г(1) – германий и его соединения
К(2) – кремний и его соединения
А(3) –галлий и его соединения
Н(4) – индий и его соединения
2-й элемент(буква) – обозначает подкласс прибора
Д-диод
А-СВЧ диоды
Ц - Выпрямительные столбы и блоки
В - варикап
И-тоннельные диоды
С-стабилитроны
Г-генераторы
Л-излучающие оптоэлектронные диоды
О-оптопары
3-й элемент(цифра) – основные функции возможности прибора, наиболее характерны эксплуатационные приборы.
4-й элемент
От 0,1 до 99
От 101 до 999
5-й элемент(буква) – условно определяющая классификацию приборов, изготовленных по единой технологии.
Пример обозначения:
2Ф204В
2-кремниевый
Ф - выпрямительный
2- хар-р эксплуатационные
04- порядковый номер разработки
В-разбраковка по параметрам
Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, преобразования эл. Сигналов.
Марка | Расшифровка | 1 пр. ток А | I обр. ток А | U обр. ток В |
АЛ-102А | Галийный излучающий опто – электронный диод | 10 мА. | - | 2 В. |
КД202А | Кремниевый диод характерные эксплуатац. Признаки | 5 А | 0,8 мА | 50 В |
Д814Д | Диод параметрический кремневый (стабилитрон) | 24 мА. | - | 13 – 14 В. |
КС156А | Кремневый стабилитрон | 10 мА. | - | 5,6 В. |
Д814Д | Стабилитрон кремниевый сплавной | 24 мА | 0,1 мкА | 13-14 В |
Д223Б | Диод кремниевый сплавной | 300 мА | 1 мкА | 150 В |
... на кристалл) и средней степени интеграции (СИС - 10 -1000 компонентов на кристалл). Появилась идея, которая и была реализована, проектирования семейства компьютеров с одной и той же архитектурой, в основу которой положено главным образом программное обеспечение. В конце 60-х появились мини-компьютеры. В 1971 году появился первый микропроцессор. Быстродействие (операций в секунду) порядка 1 млн ...
... это делать. Буфера адресов позволяют в конечном итоге сгладить неравномерность поступления запросов к памяти и тем самым повысить эффективность ее использования. Третьей структурной особенностью БЭСМ-6 является метод использования сверхоперативной, неадресуемой из программы памяти небольшого объема, цель которого≈автоматическая экономия обращений к основному оперативному запоминающему ...
... процессоры, входящие в состав периферийных устройств). В многомашинной вычислительной системе несколько процессоров, входящих в вычислительную систему, не имеет общей оперативной памяти, а имеют каждый свою (локальную). Каждый компьютер в многомашинной системе имеет классическую архитектуру, и такая система применяется достаточно широко. Однако эффект от применения такой вычислительной системы ...
... пользователя. С помощью клавиатуры управляют компьютерной системой, а с помощью монитора получают от нее оклик. Принцип действия. Клавиатура относится к стандартным средствам персонального компьютера. Ее основные функции не нуждаются в поддержке специальными системными программами (драйверами). Необходимое программное обеспечения для начала работы с компьютером уже имеется в микросхеме ПЗУ в ...
0 комментариев