2. Полупроводниковые диоды
Диод
Диод — это полупроводниковый прибор с одним электрическим р-n переходом и двумя выводами. В зависимости от функционального назначения, уровня требуемых электрических параметров в диодах в качестве электрических переходов используются выпрямляющие электронно-дырочные переходы, переходы Шотки, гетеропереходы.
Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки в отличие от р-п перехода является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок. Поэтому через переход Шотки может не происходить инжекция неосновных носителей заряда в полупроводнике.
Следовательно, в диодах Шотки отсутствует процесс накопления и рассасывания неосновных носителей в базе. В силу этого такие диоды имеют лучшие частотные свойства по сравнению с диодами с р-п переходом.
А так же диоды подразделяются по площади p-n перехода на точечные и плоскостные.
В точечных диодах p-n переход получают при помощи металлической иглы с нанесенной на острие примесью. При пропускании импульса тока примесь диффундирует в толщу полупроводника, образуя полусферический слой противоположного типа электропроводности.
Точечные диоды имеют малую емкость перехода (< 1 пФ) могут, применятся на всех частотах вплоть до СВЧ. Однако вследствие малой площади перехода точечные диоды допускают токи не более десятков mA.
Плоскостные диоды изготовляют методом сплавления или диффузии. Для их изготовления в пластину исходного полупроводника вплавляется капля примеси, либо создаются условия для диффузии газообразной примеси.
Плоскостные диоды допускают прохождение прямых токов, доходящих до сотен ампер в мощных диодах, но обладают большой емкостью до сотен пФ, что ограничивает частотный диапазон их применения областью НЧ.
Диффузионная область диодов более богата примесями – она является эмиттером. Противоположная область является базой.
Выводы диодов образуются с помощью Me, образующих омический контакт с полупроводником.
Классификация полупроводниковых диодов
В основе практического применения диодов в радиотехнике и их классификации лежит ряд свойств переходов:
1. Выпрямительные.
2. Высокочастотные диоды.
3. Импульсные.Используют свойства асимметрии вольт- амперной характеристики.
4. Стабилитроны. Используют явления электрического пробоя перехода.
5. Варикапы. Используют зависимость емкости перехода от приложенного напряжения.
6. Туннельные и обратные диоды. Используют туннельный эффект в переходе.
7. Диоды Шоттки. Используют свойства перехода Me – п/п.
Классификация современных полупроводниковых приборов запечатлена в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая за последние 30 лет трижды претерпевала изменения. Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919 - 81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого изготовлен прибор. Для обозначения исходного материала используются буквы или цифры, приведённые ниже:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида галлия);
И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу) приборов. Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующих букв:
Д — диодов выпрямительных и импульсных;
Ц — выпрямительных столбов и блоков;
В — варикапов;
И — туннельных диодов;
А — сверхвысокочастотных диодов;
С — стабилитронов;
Г — генераторов шума;
Л — излучающих оптоэлектронных приборов;
О — оптронов;
Н — диодных тиристоров;
У — триодных тиристоров.
Третий элемент обозначения - это цифра, которая определяет основные функциональные возможности прибора. Для обозначения характерных функциональных возможностей, эксплуатационных признаков приборов используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов:
Диоды (подкласс Д):
0 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А;
4 — для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;
5 — для импульсных диодов с временем восстановления более 150 нс, но не свыше 500 нс;
6 — для импульсных диодов с временем восстановления 30 ... 150 нс;
7 — для импульсных диодов с временем восстановления 5 ... 30 нс;
8 — для импульсных диодов с временем восстановления 1 ... 5 нс;
9 — для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.
Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):
1 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А;
3 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
4 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А.
Варикапы (подкласс В):
1 —для построечных варикапов;
2 — для умножительных варикапов.
Туннельные диоды (подкласс И):
1 — для усилительных туннельных диодов;
2 — для генераторных туннельных диодов;
3 — для переключательных туннельных диодов;
4 — для обращённых диодов.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):
1 — для смесительных диодов;
2 — для детекторных диодов;
3 — для усилительных диодов;
4 — для параметрических диодов;
5 — для переключательных и ограничительных диодов;
6 — для умножительных и настроечных диодов;
7 — для генераторных диодов;
8 — для импульсных диодов.
Стабилитроны (подкласс С):
1 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 ... 100 В;
3 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;
4 — для стабилитронов мощностью 0,3 .. 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
5 — для стабилитронов мощностью0,3.. 5Втсноминальнымнапряжением
стабилизации 10...100 В;
6 — для стабилитронов мощностью0,3.. 5Втсноминальнымнапряжением
стабилизации более 100 В;
7 — для стабилитронов мощностью5 .10Втсноминальнымнапряжением
стабилизации менее 10 В;
8 — для стабилитронов мощностью 5 . 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10... 100 В;
9 — для стабилитронов мощностью 5 . 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 B.
Генераторы шума (подкласс Г):
1 — для низкочастотных генераторов шума;
2 — для высокочастотных генераторов шума.
Диодные тиристоры (подкласс Н):
1 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;
2 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А.
Триодные тиристоры (подкласс У):
Незапираемые тиристоры:
1 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
2 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;
7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.
Запираемые тиристоры:
3 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
4 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;
8 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А,
Симметричные тиристоры:
5 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
6 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;
9 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.
Четвёртый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа. Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трёхзначное число от 101 до 999.
Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.
В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).
В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:
цифры 1 . 9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;
букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;
цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов:
1 —с гибкими выводами без кристаллодержателя;
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 — с жёсткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 — с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов.
Буква Р после последнего элемента обозначения - для приборов с парным подбором, буква Г - с подбором в четвёрки, буква К - с подбором в шестёрки.
Для приборов, изготовленных до 1982 года действовала другая система обозначений. Условные обозначения состояли из двух или трёх элементов.
Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов.
Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения:
от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;
от 101 | до | 200 — | для точечных кремниевых диодов; |
от 201 | до | 300 — | для плоскостных кремниевых диодов; |
от 301 | до | 400 — | для плоскостных германиевых диодов; |
от 401 | до | 500 — | для смесительных СВЧ детекторов; |
от 501 | до | 600 — | для умножительных диодов; |
от 601 | до | 700 — | для видеодетекторов; |
от 701 | до | 749 — | для параметрических германиевых диодов; |
от 750 | до | 800 — | для параметрических кремниевых диодов; |
от 801 | до | 900 — | для стабилитронов; |
от 901 | до | 950 — | для варикапов; |
от 951 | до | 1000 — | для туннельных диодов; |
от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов.
Третий элемент обозначения - буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов.
Четвёртый элемент - буква указывает на модификацию прибора в серии.
Если малые габаритные размеры приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полосы). Цветной код указывается в технических условиях на соответствующий прибор.
Для обозначения стабилитронов до 1981 года в качестве третьего и четвёртого элементов присваивались числа:
малой мощности (Р < 0,3 Вт):
от 101 до 199 — с напряжением стабилизации 0,1 ... 9,9 В;
от 210 до 299 — с напряжением стабилизации 10 ... 99 В;
от 301 до 399 —с напряжением стабилизации 100 ... 199 В;
средней мощности (0,3 Вт < Р < 5 Вт):
от 401 до 499 — с напряжением стабилизации 0,1 ... 9,9 В;
от 510 до 599 — с напряжением стабилизации 10 ... 99 В;
от 601 до 699 — с напряжением стабилизации 100 ... 199 В;
большой мощности (Р > 5 Вт):
от 701 до 799 — с напряжением стабилизации 0,1 ... 9,9 В;
от 810 до 899 — с напряжением стабилизации 10 . 99 В;
от 901 до 999 — с напряжением стабилизации 100 ... 199 В.
Две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа, например КС175А - кремниевый стабилитрон малой мощности с напряжением стабилизации 7,5 В.
Выпрямительные диоды и область их применения
Выпрямительный диод – полупроводниковый диод, предназначенный для выпрямления напряжения переменного тока.
Выпрямительные диоды используют в качестве вентилей – элементов с односторонней проводимостью. Основное их применение - выпрямление токов с частотой до единиц кГц.
Простейшая схема однополупериодного выпрямления показана на рис.
Во время положительной полуволны напряжение e(t) через нагрузку RН протекает импульс прямого тока с амплитудой Im.
При воздействии отрицательной полуволны напряжение e(t) через диод протекает малый обратный ток Iобр.
Таким образом, через нагрузку протекает пульсирующий ток, в виде импульсов, длящихся пол периода и разделенных промежутком также в пол периода.
В более сложных двухполупериодных выпрямителях энергия источника e(t) используется более рационально.
Схема такого выпрямителя имеет вид:
В результате через RН при воздействии каждого полупериода напряжение e(t) протекает импульс тока одной полярности. Это позволяет достичь большего значения среднего выраженного тока IСР.
Промышленность выпускает специальные двухполупериодные диодные мосты – сборку, состоящую из 4 диодов (например, марки КД 906 КЦ 401, КЦ 405, КЦ 407, КЦ 409).
Выпрямительные диоды применяются также в цепях управления и коммуникации, для ограничения выбросов напряжения в цепях с индуктивностями, а также во всех цепях, где необходимы вентильные элементы и не предъявляется жестких требований к частотно-временным параметрам.
Список принятых сокращений параметров диодов.
Iвыпр.ср.макс - максимальное значение среднего выпрямленного диодом тока.
Іобр - обратный ток через диод.
Іобр.ср - средний обратный ток через диод.
Іпр - прямой ток через диод.
Іпр.макс - максимальный прямой ток.
Іпр.и.макс - импульсный максимальный прямой ток.
Іпр.ср - средний прямой ток через диод.
Іпр.ср.макс - максимальное значение среднего прямого тока через диод. Uобр.макс - максимальное постоянное обратное напряжение, приложенное к диоду.
Uобр.и.макс - максимальное импульсное обратное напряжение, приложенное к диоду.
Uпр - падение напряжения на диоде при его прямом включении.
Uпр.ср - среднее падение напряжения на диоде при его прямом включении.
fmax - максимальная частота, на которой ещё сохраняется свойство односторонней проводимости диода.
Диоды выпрямительные малой мощности до 1А
Тип диода | Uпр. при Іпр.; | Іобр. {Іобр.ср} при Uобр.макс, мкА | Предельные режимы | fмакс, кГц | Рисунок | ||
{Uпр.ср} п | ри {Іпр.ср} | Uобр.макс, {Uобр.и.макс}, В | Iвыпр.ср.макс; {Іпр.ср.макс}; [Іпр.макс], мА | ||||
B | мА | ||||||
АД110А | 1,5 | 10 | 5-10-3 | 30 | 10 | 1000 | 1 |
ГД107А | 1 | 10 | 20 | 15 | 20 | - | 2 |
Д2Б | 1 | 5 | 100 | 30 | {16} | 100 | 3 |
Д2В | 1 | 9 | 250 | 40 | {25} | 100 | 3 |
КД102А | 1 | 50 | 0,1 | 250 | 100 | 4 | 7 |
КД102Б | 1 | 50 | 1 | 300 | 100 | 4 | 7 |
Диоды выпрямительные средней мощности до 10А
Тип диода | Uпр. при Іпр.; | Іобр. {Іобр.ср} при Uобр.макс, мА | Предельные режимы | fмакс, кГц | Рисунок | ||
{Uпр.ср} п | ри {Іпр.ср} | Uобр.макс, {Uобр.и.макс}, В | Iвыпр.ср.макс; {Іпр.ср.макс}; [Іпр.макс], А | ||||
B | А | ||||||
Д229Г | {1} | {0,4} | {0,2} | {200} | {0,4} | 1 | 3 |
Д229Д | {1} | {0,4} | {0,2} | {300} | {0,4} | 1 | 3 |
Д243 | {1,2} | {10} | {3} | {200} | {10} | - | 4 |
Д243А | {1} | {10} | {3} | {200} | {10} | - | 4 |
Д247 | {1,2} | {10} | {3} | {500} | {10} | - | 4 |
Д247Б | {1,5} | {5} | {3} | {500} | {5} | - | 4 |
Д248Б | {1,5} | {5} | {3} | {600} | {5} | - | 4 |
КД202А | {0,9} | {5} | {0,8} | 35, {50} | {5} | 1,2 | 2 |
КД202Б | {0,9} | {3,5} | {0,8} | 35, {50} | {3,5} | 1,2 | 2 |
Диоды выпрямительные средней мощности до 10А
Тип диода | Іпр.макс, {Іпр.ср.макс}, А | Іпр.и.макс, А | Uобр.и.макс, В | Uобр.макс, В | Uпр, В | fмакс, {f}, кГц |
2Д2993А | {20} | - | 250 | 200 | 0,88 | - |
2Д2993Б | {20} | - | 200 | 100 | 0,88 | - |
2Д2995А | {20} | 375 | 50 | - | 0,94 | 200 |
Д18 | 0,016 | 0,05 | - | 20 | 1,0 | - |
Д219А | 0,05 | 0,5 | - | 70 | 1,0 | - |
Д220 | 0,05 | 0,5 | - | 50 | 1,5 | - |
Д311 | 0,04 | 0,5 | 30 | 30 | 0,4 | - |
Д311А | 0,08 | 0,6 | 30 | 30 | 0,4 | - |
Д311Б | 0,02 | 0,5 | 30 | 30 | 0,5 | - |
Д312 | 0,05 | 0,5 | 100 | 100 | 1,5 | - |
КД209А | {0,7} | 15 | 400 | 400 | 1,0 | {1} |
Диоды выпрямительные большой мощности свыше 10А
Тип диода | In, А | U0, B | I0, mA | H, ̊C/Bт | f, кГц | Т, ̊C |
Д104-10 | 10(160) | 100(175) | 10 | 2,2 | 1,3 | -50…+175 |
Д104-16 | 16(260) | 100(175) | 8 | 1,5 | 1,3 | -50…+175 |
Д112-10 | 10(210) | 100…1400 | 21 | 3 | 1,5 | -50…+190 |
ДЛ112-25 | 25(300) | 400…1500 | 27 | 1,1 | 1,5 | -50…+160 |
Д143-1000 | 1000(18000) | 400…1600 | 75 | 0,034 | 2 | -60…+190 |
ДЧ151-100 | 100(2700) | 500…1200 | 100 | 0,27 | 16 | -60…+140 |
Обозначение в таблице :
In- средний выпрямленный ток, в скобках- допустимый в импульсном режиме;
U0- максимальное обратное напряжение, в скобках- допустимый в импульсном режиме;
I0- постоянный обратный ток при максимальном обратном напряжении;
H- Тепловое сопротивление переход-корпус;
f- верхняя рабочая частота;
T- температура перехода.
Стабилитроны и область их применения
Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения в различных схемах ЭА.
ВАХ стабилитрона имеет участок с высокой крутизной, где напряжение слабо зависит от тока через диод (обратная ветвь). Существуют стабилитроны общего назначения, прецизионные, импульсные двуханодные и стабисторы.
Стабилитроны общего назначения применяются в стабилизаторах источников питания, ограничителях напряжения.
Прецизионные применяются в источники опорного напряжения и при термокомпенсации.
Импульсные – для стабилизации импульсных напряжений и ограничения амплитуды импульса.
Двуханодные стабилитроны применяются в схемах стабилизаторов и ограничителей с термокомпенсацией.
Стабисторы – для стабилизации малых напряжений.
Стабилитроны общего назначения
Обозначения в таблице для стабилитронов общего назначения:
U — напряжение стабилизации;
а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;
b — временная нестабильность напряжения стабилизации;
R — дифференциальное сопротивление, в скобках при токе стабилизации; Iмин—І макс — минимальный и максимальный токи стабилизации;
Р — максимальная рассеиваемая мощность;
Т — температура окружающей среды.
Параметры стабилитронов общего назначения приведены в табл.
Тип | U, B | a, %/̊С | b, % | R, Ом | Iмин— Імакс, мА | Р,мВт | Т,̊С |
Д808 | 7...8,5 | 0,07 | ±1 | 12(1) | 3...33 | 280 | -60...+125 |
Д809 | 8...9,5 | 0,08 | ±1 | ЩЦ | 3...29 | 280 | -60...+125 |
Д811 | 10... 2 2 | 0,095 | ±1 | 30(1) | 3...23 | 280 | -60...+125 |
Д813 | 11,5... 14 | 0,095 | ±1 | 35(1) | 3...20 | 280 | -60...+125 |
Д814А | 7...8,5 | 0,07 | ±1 | 12(1) | 3...40 | 340 | -60...+125 |
Д817Г | 90... 110 | 0,14 | 6 | 50(50) | 5..50 | 2 Вт | -60...+120 |
2С124Д-1 | 2,2...2,6 | -0,075 | ±1,5 | 180(3) | 0,25...20 | 50 | -60...+125 |
2С127Д-1 | 2,5...?,9 | -0,075 | ±1,5 | 180(3) | 0,25.18 | 50 | -60...+125 |
2С130Д-1 | 2,8.„3,2 | -0,075 | ±1,5 | 180(3) | 0,25.. Л 6 | 50 | -60...+125 |
Стабилитроны прецизионные
Обозначения в таблице для прецизионных стабилитронов:
U — напряжение стабилизации;
а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;
b — временная нестабильность напряжения стабилизации;
Iмин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;
Р — рассеиваемая мощность;
Т — температура окружающей среды.
Параметры прецизионных стабилитронов
Тип | U, B | a, %/̊С | b, % | Iмин— Імакс, мА | Р, мВт | Т,̊С | |
Д818А | 9…10,35 | 0,02 | ±0,11 | 3...33 | 300 | -60. | ..+125 |
2С108А | 6,1 ...6,4 | ±0,002 | ±0,8мВ | 3...10 | 70 | -60. | ..+ 125 |
2С166К | 6,3...6,9 | ±0,0005 | ±1,4мВ | 3...10 | 70 | -60. | ..+125 |
2С190Б | 8,5...9,5 | ±0,005 | ±0,02 | 5... 15 | 150 | -60. | ..+125 |
2С164Н | 6,1 ...6,7 | ±0,001 | ±1,ЗмВ | 3...10 | 70 | -60.. | ,.+125 |
Стабилитроны импульсные
Обозначения в таблице для импульсных стабилитронов:
U — напряжение стабилизации;
а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;
b — временная нестабильность напряжения стабилизации;
Імин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;
Іимп — максимальный импульсный ток стабилизации при t<10 мкс,
Q= 100;
Р — рассеиваемая мощность;
Т — температура окружающей среды.
Параметры импульсных стабилитронов приведены
Тип | U, В | а, %/̊С | b, % | Імин— Імакс, мА | Іимп, мА | Р, мВт | Т, ̊С |
2С175К-1 | 7,1. ..7,9 | 0,065 | ±1,5 | 0,1...2,66 | 30 | 20 | -60...+125 |
2С182К-1 | 7,8...8,6 | 0,075 | ±1,5 | 0,1...2,44 | 30 | 20 | -60…+125 |
2С186К-1 | 6,4. .7,1 | 0,05 | ±1,5 | 0,1...2,94 | 30 | 20 | -60...+125 |
2С191К-1 | 8,6...9,6 | 0,08 | ±1,5 | 0,1...2,2 | 30 | 20 | -60...+125 |
2С210К-1 | 9,5... 10,5 | 0,09 | ±1,5 | 0,1...2 | 30 | 20 | -60...+125 |
2С211К-1 | 10,4...11,5 | 0,095 | ±1,5 | 0,1...1,8 | 30 | 20 | -60...+125 |
2С212К-1 | 11,4... 12,6 | 0,095 | ±1,5 | 0,1..1,7 | 30 | 20 | -60...+125 |
2С175Е | 7,15...7,9 | 0,1 | ±1,5 | 3...20 | 200 | 150 | -60...+125 |
КС175Е | 7,1...7,9 | 0,1 | ±1,5 | 3...17 | 200 | 125 | -60...+125 |
2С182Е | 7,8...8,6 | 0,1 | ±1,5 | 3...18 | 200 | 150 | -60...+125 |
КС 182В | 7,4...9 | 0,1 | ±1,5 | 3...15 | 200 | 125 | -60…+125 |
2С191Е | 8,6...9,5 | 0,1 | ±1,5 | 3...16 | 200 | 150 | -60...+125 |
Стабилитроны двуханодные
Обозначения в таблице для двуханодных стабилитронов:
U — напряжение стабилизации;
dU — несимметричность напряжения стабилизации;
а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;
b — временная нестабильность напряжения стабилизации;
Імин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;
Р — рассеиваемая мощность;
Т — температура окружающей среды.
Параметры двуханодных стабилитронов
Тип | U, В | dU, B | а,%/̊С | b, % | Імин— Імакс, | Р,мВт | Т, ̊С |
мА | |||||||
2С162А | 5,5...6,8 | 0,24 | -0,06 | ±1 | 3...22 | 150 | -60...+125 |
КС162А | 5,5...6,6 | 0,25 | -0,06 | ±1,5 | 3...22 | 150 | -55...+100 |
2С168В | 6,2.-7,4 | 0,26 | ±0,05 | ±1 | 3...20 | 150 | -60...+125 |
КС168В | 6,3...7,3 | 0,27 | ±0,05 | ±1,5 | 3...20 | 150 | -55...+100 |
2С170А | 6,4.7,6 | 0,27 | 0,01 | ±1 | 3...20 | 150 | -60...+125 |
КС170А | 6,4...7,6 | 0,28 | 0,01 | ±1,5 | 3...20 | 150 | -55...+100 |
2С175А | 6,8...8,2 | 0,28 | ±0,04 | ±1 | 3...18 | 150 | -60...+125 |
КС175А | 7...8 | 0,3 | ±0,04 | ±1,5 | 3...18 | 150 | -55...+100 |
2СТ82А | 7,5...8,9 | 0,31 | 0,04 | ±1 | 3...17 | 150 | -60:..+125 |
КС182А | 7,6...8,8 | 0,33 | 0,05 | ±1,5 | 3...17 | 150 | -55...+100 |
2С191А | 8,2... 10 | 0,35 | 0,06 | ±1 | 3...15 | 150 | -60...+125 |
КС191А | 8,5...9,7 | 0,36 | 0,06 | ±1,5 | 3...15 | 150 | -55...+100 |
2С210Б | 9,1... 10,9 | 0,38 | 0,07 | ±1 | 3...14 | 150 | -60...+125 |
КС210Б | 9,3... 10,7 | 0,4 | 0,07 | ±1,5 | 3...14 | 150 | -55...+100 |
2С211И | 10;.. 12 | 0,42 | 0,07 | ±1 | 3...13 | 150 | -60...+125 |
2С212В | 10,9... 13,1 | 0,46 | 0,07 | ±1 | Зм. 12 | 150 | -60...+125 |
2С2136 | 11,1...14,2 | 0,49 | 0,075 | ±1 | 3...10 | 150 | -60...+125 |
КС213Б | 12,1... 13,9 | 0,52 | 0,08 | ±1,5 | 3...10 | 150 | -55...+100 |
Стабисторы
Обозначения в таблице для стабисторов:
U — напряжение стабилизации;
а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;
b — временная нестабильность напряжения стабилизации;
Імин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;
Р — рассеиваемая мощность;
Т — температура окружающей среды.
Параметры стабисторов
Тип | U, В | а,%/̊С | b, % | Імин— Імакс,мА | Р, мВт | Т, ̊С |
Д219С | 0,57(1)...1(50} | 1...50 | - | -60...+120 | ||
Д220С | 0,59(1)... 1,5(50) | - | - | 1...50 | - | -60...+120 |
Д223С | 0,59(1)...1 (50) | - | - | 1...50 | - | -60...+120 |
2С107А | 0,57...0,73(1) | -0,34 | ±3,2 | 1...120 | 125 | -60...+125 |
КС 107 А | 0,63...0,77(10) | -0,3 | - | 1...100 | 125 | -60...+125 |
2С113А | 1,17...1,43(10) | -0,42 | - | 1...100 | 180 | -60...+125 |
КС113А | 1,17...1,43(10) | -0,3 | - | 1...100 | 180 | -60...+125 |
2С119А | 1,71...2,09(10) | -0,42 | ±3,5 | 1…100 | 260 | -60...+125 |
КС119А | 1,71...2,09910) | -0,4 | - | 1...100 | 260 | -60...+125 |
Тиристоры
Д235А, Д235Б, Д235В, Д235Г
Тиристоры кремниевые диффузионно - сплавные структуры p-n-p-n триодные не запираемые . Предназначены для применения в качестве переключающих элементов средней мощности. Выпускаются в металлическом корпусе с жёсткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. Масса тиристора не более 16 г.
Электрические параметры. Напряжение в открытом состоянии при Iос = 2 А,
Iу.от = 50 мА, не более:
Т = +25 °С2 В
Т = -60 °С2,5 В
Отпирающее импульсное напряжение управления
при Uзс = 10 В и Т = -60 °С, не более5 В
Постоянный ток в закрытом состоянии при Uзс = Uзс.макс, не более:
Т = +25 и -60 °С2 мА
Т = +100 °С, Тк = +80 °С3 мА
Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс, не более:
Т = +25 и -60 °С2 мА
Т = +100 °С, Тк = +80 °С3 мА
Отпирающий постоянный ток управления при Uзс = 10 В, не более:
Т = +25 °С30 мА
Т = -60 °С50 мА
Отпирающий импульсный ток управления при Uзс = 10 В:
Т = -60 °С, не более250 мА
Т = +100 °С, не менее0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные.
Обратное постоянное напряжение управления1 В
Постоянное напряжение в закрытом состоянии:
при Т = +25 °С:
Д235А, Д235В50 В
Д235Б, Д235Г100 В
при Т = -60 и +100 °С:
Д235А, Д235В40 В
Д235Б, Д235Г80 В
Постоянное обратное напряжение: при Т = +25 °С:
Д235В50 В
Д235Г100 В
при Т = -60 и +100 °С:
Д235В40 В
Д235Г80 В
Постоянный ток в открытом состоянии при Тк = -60 ...+70 °С1 2 А Импульсный ток в открытом состоянии:
при Іос.ср < 1 А и ta < 10 мс10 А
при одиночных импульсах длительностью до 50 мкс60 А
Постоянный ток управления при Тк = -60 ... +100 °С150 мА
Импульсный ток управления при ta = 50 мкс и Тк = -60... +100 °С 350 мА
Средняя рассеиваемая мощность при Тк = -60 ... +70 °С14 Вт
Температура окружающей среды-60 ... Тк = +100 °С
КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е
Тринисторы кремниевые диффузионно - сплавные p-типа триодные не запираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Выпускаются в металлостеклянном герметичном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора приводится на корпусе. Масса не более 2,5 г.
Электрические параметры.
Ток утечки, не более, мА0,3
Обратный ток утечки, не более, мА0,3
Ток спрямления при Uпр = 10 В, мА0,05 ... 7,5
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянный или средний прямой ток при температуре
от -55 до +50 °С, мА75
Прямой ток управляющего электрода, мА15
Прямое импульсное напряжение, В:
для КУ101А, КУ101Б50
для КУ101Г50
для КУ101Е50
Обратное напряжение, В:
для КУ101А10
для КУ101Б50
для КУ101Г80
для КУ101Е150
КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г
Тринисторы кремниевые планарно - диффузионные Предназначены для работы в качестве симметричных управляемых ключей средней мощности для схем автоматического регулирования в коммутационных цепях силовой автоматики на переменном токе. Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с винтом, масса не более 18 г.
Электрические параметры.
Ток утечки, не более, мА5
Ток выключения при Uпр = 10 В и температуре -55 °С, не более, мА150
Предельные эксплуатационные данные.
Прямой ток управляющего электрода, мА500
Обратное или прямое напряжение, В:
для КУ208А100
для КУ208Б200
для КУ208В300
для КУ208Г400
Амплитуда тока перегрузки:
при температуре от -55 °С до + 50 °С, А30
при температуре 70 °С, А15
2У221А (ТИЧ5-100-8-12), 2У221Б (ТИЧ5-100-8-21), 2У221В (ТИЧ5-100- 6-23), КУ221А, КУ221Б, КУ221В, КУ221Г, КУ221Д
Тиристоры кремниевые диффузионные структуры p-n-p-n триодные не запираемые импульсные высокочастотные . Предназначены для применения в телевизионных приёмниках цветного изображения при частоте до 30 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. Масса тиристора не более 7 г.
Электрические параметры. Импульсное напряжение в открытом состоянии при Іос.и = 20 А, to = 40.60 мкс, Іу.пр.и = 0,15.1 А, tу = 10.100 мкс и f < 200 Гц, не более3,5 В
Отпирающее импульсное напряжение управления при Uзс = 440 В, Іос.и = 11 А, ta = 10.50 мкс, tу = 2 мкс и f < 200 Гц, не более:
для 2У221А - 2У221В5 В
для КУ221А - КУ221В5 В
Отпирающий импульсный ток управления при Uзс.и = 440 В,
Іос.и = 11 А, ta = 10.50 мкс, tу = 2 мкс и f < 200 Гц, не более:
для 2У221А - 2У221В100 мА
для КУ221А - КУ221В150 мА
Предельные эксплуатационные данные. Импульсное напряжение в закрытом состоянии:
2У221А, 2У221Б800 В
2У221В, КУ221Г600 В
КУ221А, КУ221В700 В
КУ221Б750 В
КУ221Д500 В
Постоянное напряжение в закрытом состоянии:
2У221А, 2У221Б500 В
2У221В400 В
КУ221А - КУ221Д300 В
Импульсное обратное напряжение50 В
Минимальное напряжение в закрытом состоянии10 В
Обратное импульсное напряжение управления
2У221А, 2У221В, КУ221А, КУ221Г, КУ221Д10 В
2У221Б, КУ221Б, КУ221В30 В
Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии:
КУ221А, КУ221В750 В
КУ221Б800 В
КУ221Г700 В
КУ221Д600 В
Импульсный ток в открытом состоянии:
пилообразная форма импульсов тока при ta = 27 мкс и f = 16 кГц
для 2У221А - 2У221В, КУ221А - КУ221В8 А
синусоидальная форма импульсов тока при ta = 13 мкс и f = 16 кГц
для 2У221А - 2У221В, КУ221А - КУ221В15 А
синусоидальная форма импульсов тока при ta = 50 мкс и f = 50 Гц 100 А
прямоугольная форма импульсов тока при ta = 2 мкс,
dUзс / dt > 100 А / мкс и f = 20 кГц
для 2У221А - 2У221В15 А
экспоненциальная форма импульсов тока при ta = 1,5 мс,
Шр = 80 мкс и f = 3 Гц
для КУ221А - КУ221Д70 А
Средний ток в открытом состоянии в однофазной однополупериодной схеме с активной нагрузкой и синусоидальной форме тока при f = 50 Гц и в = 180°3,2 А
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии:
2У221А700 В / мкс
КУ221А500 В / мкс
2У221Б, 2У221В, КУ221Б - КУ221Д200 В / мкс
Прямой импульсный ток управления2 А
Минимальный импульсный ток управления:
2У221А - 2У221В, КУ221А - КУ221В0,15 А
КУ221Г, КУ221Д0,1 А
Минимальная длительность импульса прямого тока управления:
2У221А - 2У221В0,5 мкс
КУ221А - КУ221Д2 мкс
Температура окружающей среды:
для 2У221А - 2У221В-60.Тк = +85 °С
для КУ221А - КУ221Д-40.Тк = +85 °С
... 2.1. Общие сведения Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Полупроводники одновременно являются плохими проводниками и плохими диэлектриками. Граница между полупроводниками и диэлектриками условна, так как диэлектрики при высоких температурах могут вести себя как полупроводники, а ...
... Полупроводниками называют вещества, значения удельного сопротивления которых при нормальной температуре находятся между значениями удельного сопротивления проводников и диэлектриков (в диапазоне 10-3 – 1010 Ом·см). Основным свойством полупроводника является зависимость его электропроводности от воздействия температуры, электрического поля, излучения, механической энергии. Полупроводники в ...
... , отсутствием необходимости определения толщины и удельного сопротивления металлического слоя, уменьшением числа операций обработки результатов. Формула изобретения Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл, включающий последовательное нанесение напылением на диэлектрическую подложку через трафарет слоя металла (в виде змейки) толщиной 200 нм, слоя дийодида ...
... resistor – сопротивление. Тиристоры представляют класс полупроводниковых приборов, который подразделяется на диодные (динисторы), триодные (тринисторы), запираемые и симметричные (симисторы). 5. История развития полупроводников После изобретения в 1904 г. Дж. Флемингом двухэлектродной лампы-диода и Л. Де Форестом в 1906 г. трехэлектродной лампы-триода в радиотехнике произошла революция. ...
0 комментариев