2. Полупроводниковые диоды

Диод

Диод — это полупроводниковый прибор с одним электрическим р-n переходом и двумя выводами. В зависимости от функционального назначения, уровня требуемых электрических параметров в диодах в качестве электрических переходов используются выпрямляющие электронно-дырочные переходы, переходы Шотки, гетеропереходы.

Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки в отличие от р-п перехода является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок. Поэтому через переход Шотки может не происходить инжекция неосновных носителей заряда в полупроводнике.

Следовательно, в диодах Шотки отсутствует процесс накопления и рассасывания неосновных носителей в базе. В силу этого такие диоды имеют лучшие частотные свойства по сравнению с диодами с р-п переходом.

А так же диоды подразделяются по площади p-n перехода на точечные и плоскостные.

В точечных диодах p-n переход получают при помощи металлической иглы с нанесенной на острие примесью. При пропускании импульса тока примесь диффундирует в толщу полупроводника, образуя полусферический слой противоположного типа электропроводности.

Точечные диоды имеют малую емкость перехода (< 1 пФ) могут, применятся на всех частотах вплоть до СВЧ. Однако вследствие малой площади перехода точечные диоды допускают токи не более десятков mA.

Плоскостные диоды изготовляют методом сплавления или диффузии. Для их изготовления в пластину исходного полупроводника вплавляется капля примеси, либо создаются условия для диффузии газообразной примеси.

Плоскостные диоды допускают прохождение прямых токов, доходящих до сотен ампер в мощных диодах, но обладают большой емкостью до сотен пФ, что ограничивает частотный диапазон их применения областью НЧ.

Диффузионная область диодов более богата примесями – она является эмиттером. Противоположная область является базой.

Выводы диодов образуются с помощью Me, образующих омический контакт с полупроводником.

Классификация полупроводниковых диодов

В основе практического применения диодов в радиотехнике и их классификации лежит ряд свойств переходов:

1.        Выпрямительные.

2.         Высокочастотные диоды.

3.        Импульсные.Используют свойства асимметрии вольт- амперной характеристики.

4.        Стабилитроны. Используют явления электрического пробоя перехода.

5.        Варикапы. Используют зависимость емкости перехода от приложенного напряжения.

6.        Туннельные и обратные диоды. Используют туннельный эффект в переходе.

7.        Диоды Шоттки. Используют свойства перехода Me – п/п.

Классификация современных полупроводниковых приборов запечатлена в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая за последние 30 лет трижды претерпевала изменения. Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919 - 81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого изготовлен прибор. Для обозначения исходного материала используются буквы или цифры, приведённые ниже:

Г или 1 — для германия или его соединений;

К или 2 — для кремния или его соединений;

А или 3 — для соединений галлия (например, для арсенида галлия);

И или 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия).

Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу) приборов. Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующих букв:

Д — диодов выпрямительных и импульсных;

Ц — выпрямительных столбов и блоков;

В — варикапов;

И — туннельных диодов;

А — сверхвысокочастотных диодов;

С — стабилитронов;

Г — генераторов шума;

Л — излучающих оптоэлектронных приборов;

О — оптронов;

Н — диодных тиристоров;

У — триодных тиристоров.

Третий элемент обозначения - это цифра, которая определяет основные функциональные возможности прибора. Для обозначения характерных функциональных возможностей, эксплуатационных признаков приборов используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов:

Диоды (подкласс Д):

0          — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

1          — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А;

4 — для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;

5          — для импульсных диодов с временем восстановления более 150 нс, но не свыше 500 нс;

6          — для импульсных диодов с временем восстановления 30 ... 150 нс;

7          — для импульсных диодов с временем восстановления 5 ... 30 нс;

8          — для импульсных диодов с временем восстановления 1 ... 5 нс;

9          — для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.

Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1          — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2          — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А;

3          — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

4          — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А.

Варикапы (подкласс В):

1          —для построечных варикапов;

2          — для умножительных варикапов.

Туннельные диоды (подкласс И):

1          — для усилительных туннельных диодов;

2          — для генераторных туннельных диодов;

3          — для переключательных туннельных диодов;

4          — для обращённых диодов.

Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

1          — для смесительных диодов;

2          — для детекторных диодов;

3          — для усилительных диодов;

4          — для параметрических диодов;

5          — для переключательных и ограничительных диодов;

6          — для умножительных и настроечных диодов;

7          — для генераторных диодов;

8          — для импульсных диодов.

Стабилитроны (подкласс С):

1          — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

2          — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 ... 100 В;

3          — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

4 — для стабилитронов мощностью 0,3 .. 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

5 — для стабилитронов мощностью0,3.. 5Втсноминальнымнапряжением

стабилизации 10...100 В;

6 — для стабилитронов мощностью0,3.. 5Втсноминальнымнапряжением

стабилизации более 100 В;

7 — для стабилитронов мощностью5 .10Втсноминальнымнапряжением

стабилизации менее 10 В;

8          — для стабилитронов мощностью 5 . 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10... 100 В;

9          — для стабилитронов мощностью 5 . 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 B.

Генераторы шума (подкласс Г):

1          — для низкочастотных генераторов шума;

2          — для высокочастотных генераторов шума.

Диодные тиристоры (подкласс Н):

1          — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;

2          — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А.

Триодные тиристоры (подкласс У):

Незапираемые тиристоры:

1          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

2          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;

7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Запираемые тиристоры:

3          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

4          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;

8          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А,

Симметричные тиристоры:

5          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

6          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;

9          — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Четвёртый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа. Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трёхзначное число от 101 до 999.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:

цифры 1 . 9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов:

1          —с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2          — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3          — с жёсткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4          — с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5          — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;

6          — с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов.

Буква Р после последнего элемента обозначения - для приборов с парным подбором, буква Г - с подбором в четвёрки, буква К - с подбором в шестёрки.

Для приборов, изготовленных до 1982 года действовала другая система обозначений. Условные обозначения состояли из двух или трёх элементов.

Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов.

Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения:

от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;

от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;
от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;
от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;
от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;
от 501 до 600 — для умножительных диодов;
от 601 до 700 — для видеодетекторов;
от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов;
от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов;
от 801 до 900 — для стабилитронов;
от 901 до 950 — для варикапов;
от 951 до 1000 — для туннельных диодов;

от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов.

Третий элемент обозначения - буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов.

Четвёртый элемент - буква указывает на модификацию прибора в серии.

Если малые габаритные размеры приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полосы). Цветной код указывается в технических условиях на соответствующий прибор.

Для обозначения стабилитронов до 1981 года в качестве третьего и четвёртого элементов присваивались числа:

малой мощности (Р < 0,3 Вт):

от 101 до 199 — с напряжением стабилизации 0,1 ... 9,9 В;

от 210 до 299 — с напряжением стабилизации 10 ... 99 В;

от 301 до 399 —с напряжением стабилизации 100 ... 199 В;

средней мощности (0,3 Вт < Р < 5 Вт):

от 401 до 499 — с напряжением стабилизации 0,1 ... 9,9 В;

от 510 до 599 — с напряжением стабилизации 10 ... 99 В;

от 601 до 699 — с напряжением стабилизации 100 ... 199 В;

большой мощности (Р > 5 Вт):

от 701 до 799 — с напряжением стабилизации 0,1 ... 9,9 В;

от 810 до 899 — с напряжением стабилизации 10 . 99 В;

от 901 до 999 — с напряжением стабилизации 100 ... 199 В.

Две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа, например КС175А - кремниевый стабилитрон малой мощности с напряжением стабилизации 7,5 В.

Выпрямительные диоды и область их применения

Выпрямительный диод – полупроводниковый диод, предназначенный для выпрямления напряжения переменного тока.

Выпрямительные диоды используют в качестве вентилей – элементов с односторонней проводимостью. Основное их применение - выпрямление токов с частотой до единиц кГц.

Простейшая схема однополупериодного выпрямления показана на рис.

Во время положительной полуволны напряжение e(t) через нагрузку RН протекает импульс прямого тока с амплитудой Im.

При воздействии отрицательной полуволны напряжение e(t) через диод протекает малый обратный ток Iобр.

Таким образом, через нагрузку протекает пульсирующий ток, в виде импульсов, длящихся пол периода и разделенных промежутком также в пол периода.

В более сложных двухполупериодных выпрямителях энергия источника e(t) используется более рационально.

Схема такого выпрямителя имеет вид:


В результате через RН при воздействии каждого полупериода напряжение e(t) протекает импульс тока одной полярности. Это позволяет достичь большего значения среднего выраженного тока IСР.

Промышленность выпускает специальные двухполупериодные диодные мосты – сборку, состоящую из 4 диодов (например, марки КД 906 КЦ 401, КЦ 405, КЦ 407, КЦ 409).

Выпрямительные диоды применяются также в цепях управления и коммуникации, для ограничения выбросов напряжения в цепях с индуктивностями, а также во всех цепях, где необходимы вентильные элементы и не предъявляется жестких требований к частотно-временным параметрам.

Список принятых сокращений параметров диодов.

Iвыпр.ср.макс - максимальное значение среднего выпрямленного диодом тока.

Іобр - обратный ток через диод.

Іобр.ср - средний обратный ток через диод.

Іпр - прямой ток через диод.

Іпр.макс - максимальный прямой ток.

Іпр.и.макс - импульсный максимальный прямой ток.

Іпр.ср - средний прямой ток через диод.

Іпр.ср.макс - максимальное значение среднего прямого тока через диод. Uобр.макс - максимальное постоянное обратное напряжение, приложенное к диоду.

Uобр.и.макс - максимальное импульсное обратное напряжение, приложенное к диоду.

Uпр - падение напряжения на диоде при его прямом включении.

Uпр.ср - среднее падение напряжения на диоде при его прямом включении.

fmax - максимальная частота, на которой ещё сохраняется свойство односторонней проводимости диода.

Диоды выпрямительные малой мощности до 1А

Тип диода Uпр. при Іпр.; Іобр. {Іобр.ср} при Uобр.макс, мкА Предельные режимы fмакс, кГц Рисунок
{Uпр.ср} п ри {Іпр.ср} Uобр.макс, {Uобр.и.макс}, В Iвыпр.ср.макс; {Іпр.ср.макс}; [Іпр.макс], мА
B мА
АД110А 1,5 10

5-10-3

30 10 1000 1
ГД107А 1 10 20 15 20 - 2
Д2Б 1 5 100 30 {16} 100 3
Д2В 1 9 250 40 {25} 100 3
КД102А 1 50 0,1 250 100 4 7
КД102Б 1 50 1 300 100 4 7

Диоды выпрямительные средней мощности до 10А

Тип диода Uпр. при Іпр.; Іобр. {Іобр.ср} при Uобр.макс, мА Предельные режимы fмакс, кГц Рисунок
{Uпр.ср} п ри {Іпр.ср} Uобр.макс, {Uобр.и.макс}, В Iвыпр.ср.макс; {Іпр.ср.макс}; [Іпр.макс], А
B А
Д229Г {1} {0,4} {0,2} {200} {0,4} 1 3
Д229Д {1} {0,4} {0,2} {300} {0,4} 1 3
Д243 {1,2} {10} {3} {200} {10} - 4
Д243А {1} {10} {3} {200} {10} - 4
Д247 {1,2} {10} {3} {500} {10} - 4
Д247Б {1,5} {5} {3} {500} {5} - 4
Д248Б {1,5} {5} {3} {600} {5} - 4
КД202А {0,9} {5} {0,8} 35, {50} {5} 1,2 2
КД202Б {0,9} {3,5} {0,8} 35, {50} {3,5} 1,2 2

Диоды выпрямительные средней мощности до 10А

Тип диода Іпр.макс, {Іпр.ср.макс}, А Іпр.и.макс, А Uобр.и.макс, В Uобр.макс, В Uпр, В fмакс, {f}, кГц
2Д2993А {20} - 250 200 0,88 -
2Д2993Б {20} - 200 100 0,88 -
2Д2995А {20} 375 50 - 0,94 200
Д18 0,016 0,05 - 20 1,0 -
Д219А 0,05 0,5 - 70 1,0 -
Д220 0,05 0,5 - 50 1,5 -
Д311 0,04 0,5 30 30 0,4 -
Д311А 0,08 0,6 30 30 0,4 -
Д311Б 0,02 0,5 30 30 0,5 -
Д312 0,05 0,5 100 100 1,5 -
КД209А {0,7} 15 400 400 1,0 {1}

Диоды выпрямительные большой мощности свыше 10А

Тип диода

In, А

U0, B

I0, mA

H, ̊C/Bт f, кГц Т, ̊C
Д104-10 10(160) 100(175) 10 2,2 1,3 -50…+175
Д104-16 16(260) 100(175) 8 1,5 1,3 -50…+175
Д112-10 10(210) 100…1400 21 3 1,5 -50…+190
ДЛ112-25 25(300) 400…1500 27 1,1 1,5 -50…+160
Д143-1000 1000(18000) 400…1600 75 0,034 2 -60…+190
ДЧ151-100 100(2700) 500…1200 100 0,27 16 -60…+140

Обозначение в таблице :

In- средний выпрямленный ток, в скобках- допустимый в импульсном режиме;

U0- максимальное обратное напряжение, в скобках- допустимый в импульсном режиме;

I0- постоянный обратный ток при максимальном обратном напряжении;

H- Тепловое сопротивление переход-корпус;

f- верхняя рабочая частота;

T- температура перехода.


Стабилитроны и область их применения

Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения в различных схемах ЭА.

ВАХ стабилитрона имеет участок с высокой крутизной, где напряжение слабо зависит от тока через диод (обратная ветвь). Существуют стабилитроны общего назначения, прецизионные, импульсные двуханодные и стабисторы.

 

Стабилитроны общего назначения применяются в стабилизаторах источников питания, ограничителях напряжения.

Прецизионные применяются в источники опорного напряжения и при термокомпенсации.

Импульсные – для стабилизации импульсных напряжений и ограничения амплитуды импульса.

Двуханодные стабилитроны применяются в схемах стабилизаторов и ограничителей с термокомпенсацией.

Стабисторы – для стабилизации малых напряжений.

Стабилитроны общего назначения

Обозначения в таблице для стабилитронов общего назначения:

U — напряжение стабилизации;

а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;

b — временная нестабильность напряжения стабилизации;

R — дифференциальное сопротивление, в скобках при токе стабилизации; Iмин—І макс — минимальный и максимальный токи стабилизации;

 Р — максимальная рассеиваемая мощность;

Т — температура окружающей среды.

Параметры стабилитронов общего назначения приведены в табл.

Тип U, B a, %/̊С b, % R, Ом Iмин— Імакс, мА Р,мВт

Т,̊С

Д808 7...8,5 0,07 ±1 12(1) 3...33 280 -60...+125
Д809 8...9,5 0,08 ±1 ЩЦ 3...29 280 -60...+125
Д811 10... 2 2 0,095 ±1 30(1) 3...23 280 -60...+125
Д813 11,5... 14 0,095 ±1 35(1) 3...20 280 -60...+125
Д814А 7...8,5 0,07 ±1 12(1) 3...40 340 -60...+125
Д817Г 90... 110 0,14 6 50(50) 5..50 2 Вт -60...+120
2С124Д-1 2,2...2,6 -0,075 ±1,5 180(3) 0,25...20 50 -60...+125
2С127Д-1 2,5...?,9 -0,075 ±1,5 180(3) 0,25.18 50 -60...+125
2С130Д-1 2,8.„3,2 -0,075 ±1,5 180(3) 0,25.. Л 6 50 -60...+125

Стабилитроны прецизионные

Обозначения в таблице для прецизионных стабилитронов:

U — напряжение стабилизации;

а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;

b — временная нестабильность напряжения стабилизации;

Iмин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;

Р — рассеиваемая мощность;

Т — температура окружающей среды.

Параметры прецизионных стабилитронов

Тип U, B a, %/̊С b, % Iмин— Імакс, мА Р, мВт

Т,̊С

Д818А 9…10,35 0,02 ±0,11 3...33 300 -60. ..+125
2С108А 6,1 ...6,4 ±0,002 ±0,8мВ 3...10 70 -60. ..+ 125
2С166К 6,3...6,9 ±0,0005 ±1,4мВ 3...10 70 -60. ..+125
2С190Б 8,5...9,5 ±0,005 ±0,02 5... 15 150 -60. ..+125
2С164Н 6,1 ...6,7 ±0,001 ±1,ЗмВ 3...10 70 -60.. ,.+125

Стабилитроны импульсные

Обозначения в таблице для импульсных стабилитронов:

U — напряжение стабилизации;

а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;

b — временная нестабильность напряжения стабилизации;

Імин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;

Іимп — максимальный импульсный ток стабилизации при t<10 мкс,

Q= 100;

Р — рассеиваемая мощность;

Т — температура окружающей среды.

Параметры импульсных стабилитронов приведены

Тип U, В а, %/̊С b, %

Імин—

Імакс, мА

Іимп, мА Р, мВт Т, ̊С
2С175К-1 7,1. ..7,9 0,065 ±1,5 0,1...2,66 30 20 -60...+125
2С182К-1 7,8...8,6 0,075 ±1,5 0,1...2,44 30 20 -60…+125
2С186К-1 6,4. .7,1 0,05 ±1,5 0,1...2,94 30 20 -60...+125
2С191К-1 8,6...9,6 0,08 ±1,5 0,1...2,2 30 20 -60...+125
2С210К-1 9,5... 10,5 0,09 ±1,5 0,1...2 30 20 -60...+125
2С211К-1 10,4...11,5 0,095 ±1,5 0,1...1,8 30 20 -60...+125
2С212К-1 11,4... 12,6 0,095 ±1,5 0,1..1,7 30 20 -60...+125
2С175Е 7,15...7,9 0,1 ±1,5 3...20 200 150 -60...+125
КС175Е 7,1...7,9 0,1 ±1,5 3...17 200 125 -60...+125
2С182Е 7,8...8,6 0,1 ±1,5 3...18 200 150 -60...+125
КС 182В 7,4...9 0,1 ±1,5 3...15 200 125 -60…+125
2С191Е 8,6...9,5 0,1 ±1,5 3...16 200 150 -60...+125

Стабилитроны двуханодные

Обозначения в таблице для двуханодных стабилитронов:

U — напряжение стабилизации;

dU — несимметричность напряжения стабилизации;

а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;

b — временная нестабильность напряжения стабилизации;

Імин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;

Р — рассеиваемая мощность;

Т — температура окружающей среды.

Параметры двуханодных стабилитронов

Тип U, В

dU, B

а,%/̊С b, % Імин— Імакс, Р,мВт Т, ̊С
мА
2С162А 5,5...6,8 0,24 -0,06 ±1 3...22 150 -60...+125
КС162А 5,5...6,6 0,25 -0,06 ±1,5 3...22 150 -55...+100
2С168В 6,2.-7,4 0,26 ±0,05 ±1 3...20 150 -60...+125
КС168В 6,3...7,3 0,27 ±0,05 ±1,5 3...20 150 -55...+100
2С170А 6,4.7,6 0,27 0,01 ±1 3...20 150 -60...+125
КС170А 6,4...7,6 0,28 0,01 ±1,5 3...20 150 -55...+100
2С175А 6,8...8,2 0,28 ±0,04 ±1 3...18 150 -60...+125
КС175А 7...8 0,3 ±0,04 ±1,5 3...18 150 -55...+100
2СТ82А 7,5...8,9 0,31 0,04 ±1 3...17 150 -60:..+125
КС182А 7,6...8,8 0,33 0,05 ±1,5 3...17 150 -55...+100
2С191А 8,2... 10 0,35 0,06 ±1 3...15 150 -60...+125
КС191А 8,5...9,7 0,36 0,06 ±1,5 3...15 150 -55...+100
2С210Б 9,1... 10,9 0,38 0,07 ±1 3...14 150 -60...+125
КС210Б 9,3... 10,7 0,4 0,07 ±1,5 3...14 150 -55...+100
2С211И 10;.. 12 0,42 0,07 ±1 3...13 150 -60...+125
2С212В 10,9... 13,1 0,46 0,07 ±1

Зм. 12

150 -60...+125
2С2136 11,1...14,2 0,49 0,075 ±1 3...10 150 -60...+125
КС213Б 12,1... 13,9 0,52 0,08 ±1,5 3...10 150 -55...+100

Стабисторы

Обозначения в таблице для стабисторов:

U — напряжение стабилизации;

а — температурный коэффициент напряжения стабилизации;

b — временная нестабильность напряжения стабилизации;

Імин—Імакс — минимальный и максимальный токи стабилизации;

Р — рассеиваемая мощность;

Т — температура окружающей среды.

Параметры стабисторов

Тип U, В а,%/̊С b, % Імин— Імакс,мА

Р,

мВт

Т, ̊С
Д219С 0,57(1)...1(50} 1...50 - -60...+120
Д220С 0,59(1)... 1,5(50) - - 1...50 - -60...+120
Д223С 0,59(1)...1 (50) - - 1...50 - -60...+120
2С107А 0,57...0,73(1) -0,34 ±3,2 1...120 125 -60...+125
КС 107 А 0,63...0,77(10) -0,3 - 1...100 125 -60...+125
2С113А 1,17...1,43(10) -0,42 - 1...100 180 -60...+125
КС113А 1,17...1,43(10) -0,3 - 1...100 180 -60...+125
2С119А 1,71...2,09(10) -0,42 ±3,5 1…100 260 -60...+125
КС119А 1,71...2,09910) -0,4 - 1...100 260 -60...+125

Тиристоры

Д235А, Д235Б, Д235В, Д235Г

Тиристоры кремниевые диффузионно - сплавные структуры p-n-p-n триодные не запираемые . Предназначены для применения в качестве переключающих элементов средней мощности. Выпускаются в металлическом корпусе с жёсткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. Масса тиристора не более 16 г.

Электрические параметры. Напряжение в открытом состоянии при Iос = 2 А,

Iу.от = 50 мА, не более:

Т = +25 °С2 В

Т = -60 °С2,5 В

Отпирающее импульсное напряжение управления

при Uзс = 10 В и Т = -60 °С, не более5 В

Постоянный ток в закрытом состоянии при Uзс = Uзс.макс, не более:

Т = +25 и -60 °С2 мА

Т = +100 °С, Тк = +80 °С3 мА

Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр.макс, не более:

Т = +25 и -60 °С2 мА

Т = +100 °С, Тк = +80 °С3 мА

Отпирающий постоянный ток управления при Uзс = 10 В, не более:

Т = +25 °С30 мА

Т = -60 °С50 мА

Отпирающий импульсный ток управления при Uзс = 10 В:

Т = -60 °С, не более250 мА

Т = +100 °С, не менее0,5 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Обратное постоянное напряжение управления1 В

Постоянное напряжение в закрытом состоянии:

при Т = +25 °С:

Д235А, Д235В50 В

Д235Б, Д235Г100 В

при Т = -60 и +100 °С:

Д235А, Д235В40 В

Д235Б, Д235Г80 В

Постоянное обратное напряжение: при Т = +25 °С:

Д235В50 В

Д235Г100 В

при Т = -60 и +100 °С:

Д235В40 В

Д235Г80 В

Постоянный ток в открытом состоянии при Тк = -60 ...+70 °С1 2 А Импульсный ток в открытом состоянии:

при Іос.ср < 1 А и ta < 10 мс10 А

при одиночных импульсах длительностью до 50 мкс60 А

Постоянный ток управления при Тк = -60 ... +100 °С150 мА

Импульсный ток управления при ta = 50 мкс и Тк = -60... +100 °С 350 мА

Средняя рассеиваемая мощность при Тк = -60 ... +70 °С14 Вт

Температура окружающей среды-60 ... Тк = +100 °С

КУ101А, КУ101Б, КУ101Г, КУ101Е

Тринисторы кремниевые диффузионно - сплавные p-типа триодные не запираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Выпускаются в металлостеклянном герметичном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора приводится на корпусе. Масса не более 2,5 г.

Электрические параметры.

Ток утечки, не более, мА0,3

Обратный ток утечки, не более, мА0,3

Ток спрямления при Uпр = 10 В, мА0,05 ... 7,5

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянный или средний прямой ток при температуре

от -55 до +50 °С, мА75

Прямой ток управляющего электрода, мА15

Прямое импульсное напряжение, В:

для КУ101А, КУ101Б50

для КУ101Г50

для КУ101Е50

Обратное напряжение, В:

для КУ101А10

для КУ101Б50

для КУ101Г80

для КУ101Е150

КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208Г

Тринисторы кремниевые планарно - диффузионные Предназначены для работы в качестве симметричных управляемых ключей средней мощности для схем автоматического регулирования в коммутационных цепях силовой автоматики на переменном токе. Выпускаются в металлическом герметичном корпусе с винтом, масса не более 18 г.

Электрические параметры.

Ток утечки, не более, мА5

Ток выключения при Uпр = 10 В и температуре -55 °С, не более, мА150

Предельные эксплуатационные данные.

Прямой ток управляющего электрода, мА500

Обратное или прямое напряжение, В:

для КУ208А100

для КУ208Б200

для КУ208В300

для КУ208Г400

Амплитуда тока перегрузки:

при температуре от -55 °С до + 50 °С, А30

при температуре 70 °С, А15

2У221А (ТИЧ5-100-8-12), 2У221Б (ТИЧ5-100-8-21), 2У221В (ТИЧ5-100- 6-23), КУ221А, КУ221Б, КУ221В, КУ221Г, КУ221Д

Тиристоры кремниевые диффузионные структуры p-n-p-n триодные не запираемые импульсные высокочастотные . Предназначены для применения в телевизионных приёмниках цветного изображения при частоте до 30 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. Масса тиристора не более 7 г.

Электрические параметры. Импульсное напряжение в открытом состоянии при Іос.и = 20 А, to = 40.60 мкс, Іу.пр.и = 0,15.1 А, tу = 10.100 мкс и f < 200 Гц, не более3,5 В

Отпирающее импульсное напряжение управления при Uзс = 440 В, Іос.и = 11 А, ta = 10.50 мкс, tу = 2 мкс и f < 200 Гц, не более:

для 2У221А - 2У221В5 В

для КУ221А - КУ221В5 В

Отпирающий импульсный ток управления при Uзс.и = 440 В,

 Іос.и = 11 А, ta = 10.50 мкс, tу = 2 мкс и f < 200 Гц, не более:

для 2У221А - 2У221В100 мА

для КУ221А - КУ221В150 мА

Предельные эксплуатационные данные. Импульсное напряжение в закрытом состоянии:

2У221А, 2У221Б800 В

2У221В, КУ221Г600 В

КУ221А, КУ221В700 В

КУ221Б750 В

КУ221Д500 В

Постоянное напряжение в закрытом состоянии:

2У221А, 2У221Б500 В

2У221В400 В

КУ221А - КУ221Д300 В

Импульсное обратное напряжение50 В

Минимальное напряжение в закрытом состоянии10 В

Обратное импульсное напряжение управления

2У221А, 2У221В, КУ221А, КУ221Г, КУ221Д10 В

2У221Б, КУ221Б, КУ221В30 В

Не повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии:

КУ221А, КУ221В750 В

КУ221Б800 В

КУ221Г700 В

КУ221Д600 В

Импульсный ток в открытом состоянии:

пилообразная форма импульсов тока при ta = 27 мкс и f = 16 кГц

для 2У221А - 2У221В, КУ221А - КУ221В8 А

синусоидальная форма импульсов тока при ta = 13 мкс и f = 16 кГц

для 2У221А - 2У221В, КУ221А - КУ221В15 А

синусоидальная форма импульсов тока при ta = 50 мкс и f = 50 Гц 100 А

прямоугольная форма импульсов тока при ta = 2 мкс,

dUзс / dt > 100 А / мкс и f = 20 кГц

для 2У221А - 2У221В15 А

экспоненциальная форма импульсов тока при ta = 1,5 мс,

Шр = 80 мкс и f = 3 Гц

для КУ221А - КУ221Д70 А

Средний ток в открытом состоянии в однофазной однополупериодной схеме с активной нагрузкой и синусоидальной форме тока  при f = 50 Гц и в = 180°3,2 А

Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии:

2У221А700 В / мкс

КУ221А500 В / мкс

2У221Б, 2У221В, КУ221Б - КУ221Д200 В / мкс

Прямой импульсный ток управления2 А

Минимальный импульсный ток управления:

2У221А - 2У221В, КУ221А - КУ221В0,15 А

КУ221Г, КУ221Д0,1 А

Минимальная длительность импульса прямого тока управления:

2У221А - 2У221В0,5 мкс

КУ221А - КУ221Д2 мкс

Температура окружающей среды:

для 2У221А - 2У221В-60.Тк = +85 °С

для КУ221А - КУ221Д-40.Тк = +85 °С



Информация о работе «Основные качества полупроводников»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 74794
Количество таблиц: 26
Количество изображений: 13

Похожие работы

Скачать
57947
2
9

... 2.1. Общие сведения   Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Полупроводники одновременно являются плохими проводниками и плохими диэлектриками. Граница между полупроводниками и диэлектриками условна, так как диэлектрики при высоких температурах могут вести себя как полупроводники, а ...

Скачать
24493
3
9

... Полупроводниками называют вещества, значения удельного сопротивления которых при нормальной температуре находятся между значениями удельного сопротивления проводников и диэлектриков (в диапазоне 10-3 – 1010 Ом·см). Основным свойством полупроводника является зависимость его электропроводности от воздействия температуры, электрического поля, излучения, механической энергии. Полупроводники в ...

Скачать
29489
0
6

... , отсутствием необходимости определения толщины и удельного сопротивления металлического слоя, уменьшением числа операций обработки результатов. Формула изобретения Способ определения к.п.д. светочувствительных систем полупроводник-металл, включающий последовательное нанесение напылением на диэлектрическую подложку через трафарет слоя металла (в виде змейки) толщиной 200 нм, слоя дийодида ...

Скачать
65370
0
1

... resistor – сопротивление. Тиристоры представляют класс полупроводниковых приборов, который подразделяется на диодные (динисторы), триодные (тринисторы), запираемые и симметричные (симисторы).   5. История развития полупроводников После изобретения в 1904 г. Дж. Флемингом двухэлектродной лампы-диода и Л. Де Форестом в 1906 г. трехэлектродной лампы-триода в радиотехнике произошла революция. ...

0 комментариев


Наверх